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Current collapses were studied, which were observed in A1GaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with and without InGaN back barrier (BB) as a result of short-term bias stress. More serious drain current collapses were observed in InGaN BB A1GaN/GaN HEMTs compared with the traditional HEMTs. The results indicate that the defects and surface states induced by the InGaN BB layer may enhance the current collapse. The surface states may be the primary mechanism of the origination of current collapse in A1GaN/GaN HEMTs for short-term direct current stress. 相似文献
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传统热传导的分析基于连续模型,无法刻画热量在两个接触体之间的传递。该文提出了一种非连续介质中热传导过程的数值计算方法,并编制了相应的C++计算程序。该方法首先将计算域离散为一系列的块体,块体内部划分若干连续介质单元,块体边界设定为潜在接触界面,并利用半弹簧-半棱联合接触模型进行接触对的快速检索及标记。每个块体内部的热传导采用传统连续模型进行计算(该文采用有限体积法),每个接触界面采用点面接触型及棱棱接触型热传导模型进行描述。通过调整接触界面热传导系数中的刚度因子,可以实现接触界面对热传导过程不同的抵抗效应。数值算例表明,该文所述方法可以较为准确地模拟热量在非连续介质中的传递过程;接触界面上的刚度因子越大,界面对热传导过程的抵抗效应越小;当刚度因子大于100,界面抵抗效应基本消失,非连续介质的计算结果与连续介质的计算结果完全一致;此外,接触界面上的刚度因子仅影响热传导的瞬态过程,而不影响其稳态解。 相似文献
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掺铈YAP晶体的时间响应性能测量 总被引:1,自引:0,他引:1
对YAP:Ce晶体的时间响应性能进行了测量。利用锁模激光器产生的266nm激光照射到YAP:Ce晶体上,用GD40透紫光电管接受晶体产生的荧光,测量了YAP:Ce晶体的时间特性,得到了完整波形和时间性能参数。测量结果表明,波形前沿、半高宽、后沿和衰减时间分别为0.86ns、12.53ns、41.30ns和18.77ns。通过实验发现该晶体衰减时间很短(~26ns),比NaI:Tl快一个量级。且该晶体具有高光输出、高能量分辨率、高时间分辨率、对γ辐射敏感、γ/n甄别能力强等特点,该国产晶体在γ脉冲辐射测量中是一种比较好的候选晶体。 相似文献
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机器人运动学模型的建立普遍利用Denavit-Hartenberg(D-H)参数法,但是该代数方法的计算复杂度高。共形几何代数作为一种新的运算工具,具有几何直观性、简洁性,已经应用于机器人运动学。针对广泛应用的6自由度工业机器人,利用共形几何代数建立点、直线、圆周、平面和球体等几何对象,通过各对象之间的几何约束解决机器人运动学逆解。首先,以工业机器人典型的肩部、肘部和腕部结构为基础,定义3种结构形式;然后,利用已知的点以及相交约束关系建立直线、平面、圆周和球体等几何对象,通过它们的几何约束关系计算得到各个关节点并构造连杆直线;最后,构造旋转直线对象以及旋转平面并利用平行和垂直的几何约束关系计算各关节的旋转角,完成机器人逆解的计算。以常用的后3个关节轴线相交于1点和Universal Robot UR3的6自由度关节机器人为例,利用该算法进行运动学逆解的验证,计算结果表明该算法的正确性。 相似文献
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