硅烷偶联剂对制备硅酸锆薄膜及其抗氧化性能的影响

采用乙酸锆和正硅酸乙酯为原料, 硅烷偶联剂3-氨丙基三乙氧基硅(APTES)为表面改性剂, 通过溶胶-凝胶法制备了致密硅酸锆薄膜。系统研究了APTES的添加对硅酸锆薄膜的晶体结构、显微形貌及其抗氧化性能的影响。实验结果表明, 添加硅酸锆摩尔浓度10mol%的APTES可以制备出纯相的致密硅酸锆薄膜, 超过这一浓度则会出现少量的SiO₂杂质, 同时造成硅酸锆溶胶的黏度迅速升高。AFM测试结果表明添加APTES制备的薄膜更致密平滑。1300℃抗氧化测试102 h后, 未镀膜的碳化硅基底增重0.16%, 相比之下, 添加APTES前后的样品的增重分别为0.08% 和0.03%, 说明添加APTES有利于提高ZrSiO₄薄膜的致密度, 进而提高其抗氧化性能。     

非水解溶胶-凝胶法制备莫来石晶须

以正硅酸乙酯和无水氯化铝为前驱体,乙醚为氧供体,采用非水解溶胶-凝胶法制备了直径为0.2～20μm,长径比高达60～70的莫来石晶须.借助XRD、SEM和TEM等测试手段研究了莫来石干凝胶粉的活性、矿化剂氟化铝引入方式及其用量、成型压力以及煅烧温度等工艺参数对合成莫来石晶须的影响.结果表明:采用恒压回流工艺制备的莫来石干凝胶粉,在12MPa压力下压制成片状,以外置方式引入3wt%的氟化铝,在1200℃保温1h可制备质量较好的莫来石晶须.     

多层式金刚石膜上沉积ZnO薄膜的研究

提出了一种制作ZnO/金刚石/硅结构声表面波器件的新工艺。利用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,通过逐次调整气压、碳源浓度等生长参数,在硅基片上沉积了晶粒尺寸逐层减小的、光滑的多层式金刚石薄膜,表面粗糙度低于20 nm,厚度大于35μm。在金刚石膜上制作了线宽为8μm的IDT电极。尝试利用射频(RF)磁控溅射法在制备的多层式金刚石膜上生长ZnO薄膜,X-射线衍射(XRD)结果表明,当衬底温度(Th)为250℃、气压(P)为0.4 Pa时,在多层式金刚石薄膜衬底上可沉积高度c轴取向的ZnO薄膜,电阻率接近106Ω.cm,满足制作声表面波器件对衬底材料的要求。     

多层式金刚石薄膜的制备工艺研究

利用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,通过逐次调整气压、碳源浓度等生长参数,沉积了晶粒尺寸逐层减小的多层式金刚石薄膜.场发射扫描电镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示其表层晶粒平均尺寸约为20nm,厚度和表面平均粗糙度分别为35.81μm和18.8nm(2μm×2μm),皆能满足高频声表面波器件用衬底的要求.实验结果表明,多层式生长方法是制备声表面波器件用金刚石衬底的理想方法.     

海带绿豆保健鲜湿面的生产

在鲜湿面中加入海带浆、绿豆汁生产新型保健鲜湿面,所得海带绿豆鲜湿面具有天然色泽、表面光滑、口感好等特点,与普通鲜湿面相比营养丰富,且具有一定的保健功能.     

一种新的ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器

不同晶粒大小、高度c轴取向的氧化锌薄膜通过射频反应磁控溅射法成功地沉积在自支撑金刚石薄膜的成核面上.紫外光辐照下,ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器有明显的光响应特性.探测器的暗电流、光电流与ZnO薄膜的晶粒尺寸及质量有关.在+10 V偏压条件下,氧化锌薄膜的晶粒尺寸越大,则探测器的暗电流越小而光电流越大.光电流的时间依赖性证实了载流子的陷阱效应.     

无团聚HfO2纳米粉体的湿化学法制备及性能表征

以化学沉淀法制备HfO2纳米粉体，借助XRD、SEM、TEM、BET、激光粒度测试仪等测试方法研究了不同制备工艺对HfO2纳米粉料团聚状态的影响．采用初始浓度0．5mol／L的溶液，稳定溶液pH为9、添加表面活性剂PEG、用无水乙醇处理水洗后的湿凝胶、在700℃下煅烧，能制备无团聚，平均粒径为25nm，呈正交晶型的HfO2纳米粉体．200MPa冷等静压成型的素坯在氢气中1800℃保温2h得到96％理论密度的主相为正交相，有少量单斜相存在的HfO2陶瓷烧结体。     

海带保健酱的研制

以海带为主要原料,花生、芝麻作为辅料进行海带保健酱的研制,确定了海带浸泡时间和打浆加水量,并对海带、花生、芝麻以及调味料的用量对海带酱的影响加以探讨,并确定了较佳的保健酱配方。     

海带下脚料的食用菌深加工初探

利用组合菌株共同处理海带下脚料,获得海带下脚料发酵液中的可溶性膳食纤维24.792g/L,不溶性膳食纤维6.6g/L,固形物含量达30g/L,羟基自由基清除率达到64.4%。通过组合菌株处理海带下脚料为海藻深加工提供了一种新途径。     

牛蒡在食品工业中加工利用现状

综述了牛蒡在食品工业中的加工利用现状,对其广阔的发展前景和市场前景进行了展望。