循环流化床锅炉机组水冷壁的质量控制

以实用技术为基础,结合５０ＭＷ循环流化床锅炉机组水冷壁的生产实例,详细叙述了从材料投产质量控制,焊接的质量控制,到产品的质量检验,弯管检验,装配检验,水压试验及通球检查。介绍了水冷壁关键生产环节的质量控制方法和控制效果。     

控制爆破技术在人行天井掘进中的应用

我矿利用控制爆破技术在采场人行出口掘进的应用中取得了良好的经济效益 ,为完善留矿法回采工艺获得了一些新的经验。     

不同放电深度下LaNi3.8Co0.6Mn0.3Al0.3合金的电化学行为研究

为了分析储氢合金放电过程中的电化学反应与动力学变化规律,采用电化学交流阻抗分析方法研究 La-Ni3.8Co0.6Mn0.3Al0.3合金电极在不同放电深度下的电化学行为.结果表明:随着放电深度的增加,电极表面活性氢覆盖面积S 及内部金属颗粒间接触电阻Rpp逐渐降低,即电极的导电性增加;此外,交换电流密度Io也随放电深度增加而增大,意味着电极表面反应速率加快,同时氢扩散系数 DH 明显降低;合金电极动力学在放电前期主要由电极表面反应速率控制,后期由电极中氢原子在合金颗粒内部的氢扩散系数控制.     

超细Cu粉在导电浆料中的烧结性能研究

为了得到Cu导电浆料所需的纳米金属粉,通过直流电弧等离子法制备纳米Cu粉,利用X射线衍射(XRD)、FESEM等测试手段对Cu粉的晶体结构、形貌进行表征。以丙烯酸树脂、乙基纤维素和松油醇为有机载体,采用超细Cu粉(质量分数70%)为导电相配制了导电浆料,研究了不同烧结温度(450~600℃)及烧结时间(15~60 min)下Cu导电浆料的导电特性及形貌变化。结果表明,烧结工艺对导电膜层的导电性能影响较大,随着烧结温度的升高和保温时间的延长,浆料层的导电能力增强,方阻逐渐减小;600℃烧结60min时,浆料方阻最小,可达到14.8 mΩ/□。     

纳米铜导电墨水涂覆后的烧结工艺研究

通过高频感应等离子体蒸发凝聚法制备纳米铜粉,分散于有机载体中制备成纳米铜墨水。研究表明:制备的纳米铜粉球形度高,结晶性好,钝化处理以后表面形成含Cu_2O的钝化膜。墨水成膜以后在250~400℃烧结,膜层可获得优异的导电性。烧结时间对导电性的影响不大,烧结温度越高,导电性越好。经400℃烧结,大部分纳米铜粉熔化,形成面接触导电,烧结60 min,方阻为46.2 mΩ/□。     

无线传感器网络中基于骨架的路由协议*

传感器节点能量有限且通常不可补给,有效的路由协议有助于降低网络的能量消耗,延长网络寿命。提出了无线传感器网络中基于骨架的路由协议,在仅利用连接信息的基础上,首先提取出传感器网络的骨架,然后利用骨架对每个传感器节点命名,利用节点名称就可以实现源节点与目标节点间的路由。仿真实验表明了算法的有效性。     

马钢管理信息系统的建设与应用

1　前言国家把“采用电子技术 ,改造传统产业”作为“八五”发展的重点 ,原冶金部把马钢列为大型钢铁企业管理自动化的试点单位之一。马钢股份公司及时抓住机遇 ,加快建设马钢管理信息系统 (MGMIS) ,采用计算机、通讯与网络、数据库等技术 ,对马钢企业管理的各个方面实施信息化 ,不断促进企业管理科学化与决策最优化。特别是进入 90年代 ,马钢 MG-MIS工程在“总体设计 ,分步实施”的建设方针指导下 ,取得了长足的进步。信息中心和有关部门分别装配了 1 6套中小型计算机系统、部门服务器、微机和终端。建成了覆盖全公司各个部 (处 )和生…     

一种10位50 MSPS CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种CMOS流水线结构高速高精度A／D转换器，该器件具有50MHz工作频率和10位分辨率。设计采用双采样技术，提高了有效采样率；由于运用了冗余数字校正技术，可以采用低功耗的动态比较器。对转换器的单元结构进行了优化，并对主要电路进行了分析。     

非晶硅薄膜的红外热敏特性

用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄膜结构之间的关系.综合考虑非晶硅电阻率和电阻温度系数两个因素,采用掺杂比0.025,退火温度600℃的薄膜样品进一步研究.     

纳米银粉在低温银浆中的烧结工艺研究

为了在柔性基材上获得导电性良好的导电线路,以直流电弧等离子体蒸发凝聚法制备了纳米银粉,并以其作为导电功能相制备了低温银浆,对其烧结工艺展开了研究。结果表明所制的银粉为一种球形度高、结晶性良好、不同大小纳米颗粒复合的粉体,以其制备的银浆在250~300℃烧结即可形成导电性膜层,且烧结温度越高,所得膜层方阻越低。但烧结温度较高时,需缩短烧结时间,以避免膜层剧烈收缩产生的裂纹降低膜层的导电性。所制银浆经300℃烧结30 min所得膜层的导电性最好,方阻可低至8.8 m?/□。