多铁性材料Bi0.95R0.05(Fe0.95Mn0.05)O3(R=La,Pb)的磁性及局域结构研究

利用溶胶-凝胶法成功制备了共掺杂Bi0.95R0.05(Fe0.95 Mn0.05)O3(R=La,Pb)样品,并对样品的磁性进行了测量和研究.研究发现La掺杂的Bi(Fe0.95 Mn0.05)O3材料磁性有较大的提高,而Pb掺杂Bi(Fe0.95Mn0.05)O3样品的磁性减弱.同时,利用同步辐射实验技术对样品的局域结构进行了研究,进而分析样品磁性变化的原因.     

混合介质有效相对介电系数的逾渗理论计算

混合介质的有效相对介电系与其各组分的相对介电参数及组分配比的关系，无论是从理论研究还是从工程应用的方面上来看，都是一个重要的课题。以往的理论计算公式所得结果在混合比接近时与实验相差较大，并存在多值的问题。本文从随机无规分布的角度出发，应用逾渗理论，讨论了只有两种组分时的混合介质的有效相对介电系数的计算，得到了有效相     

手性材料电磁参量测量方法的理论研究

本文从麦克斯韦方程组，边界条件和手性材料的物质方程出发，导出单层平板形手性材料在有，无金属衬底情况下的电磁波的反射，透射关系，进而提出了可同时测量手性材料的复介电常数，复磁导率和复手性参量有的一种新方法。     

手性材料手性参数的圆波导测量方法

本文提出了用普通微波圆波导测量系统测量了手性材料复手性参数的方法。该方法还能同时测量手性材料复介电常数和复磁导率。为了得到手性参数,首先需要测量短路和开路时的复反射系数,及电磁波通过手性材料后的偏转角和轴比。测量结果与自由空间法的测量结果一致。     

双元共掺杂Bi1-xLax(Fe0.95Mn0.05)O3多铁性材料的磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Bi1-xLax(Fe0.95Mn0.05)O3(x=0,0.10,0.15)多晶样品。X射线衍射实验表明La、Mn离子共掺杂没有改变样品的四方晶格结构。X射线能量色散分析显示样品的化学组分几乎不变。Mn离子掺杂或者是(La、Mn)离子共掺杂,导致铁酸铋材料的磁性增强。X射线吸收精细结构实验表明Mn3+的局域结构的改变是样品磁性增强的原因。     

磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究

采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率.     

Y2O3-SnO2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O,Y(NO3)3.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO２薄膜,采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2干凝胶粉末的热分解、晶体过程。研究了Ｙ２Ｏ３－ＳnO2薄膜的电学和气敏性能,从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳnO2薄膜电学及气敏性能的影响。实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2薄膜在常温下对ＮＯx具有较好的灵敏度的选择性,并具有较好的响应恢复性能,在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度。     

磁镜场对PCVD制备SnO2导电薄膜的影响

本文利用自制的磁常研究了不同磁镜场对等离子体化学气相沉积技术制备的ＳｎＯ２导电薄膜电学性能的影响。     

带有氧化钨涂层的ITO平面电极在LB系列电解液中的阻抗分析

电致变色实验显示1mol／L六氟磷酸锂与碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯和碳酸甲乙酯所混合形成的电解液（LB）系列是一类非常节能的电致变色电解液，它们能用很小的充电电流（20μA／cm^2）使得氧化钨薄膜获得更长久、更好的变色性．研究氧化钨薄膜在LB系列电解液中的交流阻抗特性，有助于更好地理解氧化钨薄膜的变色性能．文中研究了带有氧化钨薄膜层的ITO平面电极处于LB系列电解液中的阻抗谱，分别得出了氧化钨薄膜和ITO电极的等效电路；测算出氧化薄膜的常相位角元件、薄膜电阻、韦伯电阻以及与ITO电极有关的电双层电容和电极电荷转移电阻．证实了LB315是性能优良的电解液．     

薄膜生长过程中孔洞填充的蒙特卡罗模拟

在一般的材料生长过程中,由于某些实验参数控制不当,比如生长过程中过高的沉积速率会导致局部的材料中出现孔洞,这种孔洞严重影响了薄膜材料的性能.本文以铜薄膜为例,利用动力学晶格蒙特卡罗方法,模拟了不同参数条件下对孔洞缺陷的影响.所研究的实验参数有:入射截止角、衬底温度和沉积速率.模拟结果表明:孔洞缺陷填充质量的好坏与实验参数有很大的关系.适当的参数有利于孔洞缺陷的完全填充,并且能避免孔洞内再次形成空洞.因此,可以通过优化工作参数来改善薄膜材料的质量,从而提高薄膜材料的性能.