R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能

由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸收是一致的.光的透过率显示电压超过某一值后,膜的变色能力减弱并消失.XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构.     

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了SnO2薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明,随着磁比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5．5时,SnO2薄膜的电阻分布变得越来越不均匀。     

超小型超顺磁性氧化铁磁共振对比剂的制备及性能研究

制备了一种性能良好的超小型超顺磁性氧化铁磁共振对比剂。我们通过透射电镜、振动样品磁强计和红外光谱仪等测量手段研究了样品的形貌、粒径、磁学性能和表面包覆情况,并进行了磁共振成像动物实验,同时将我们的样品和哈佛医学院分子影像研究中心同类样品进行了比较。结果表明,我们所制备样品分散均匀,粒径在10nm以下,具有良好的超顺磁性,动物成像实验中成像效果优于哈佛医学院分子影像研究中心同类样品,表明我们所制备样品可以作为一种有前途的磁共振成像对比剂。     

Characterization of Thin Films Deposited with Precursor Ferrocene by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

In this paper, the characterization of thin films, deposited with the precursor ferrocene （FcH） by the plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD） technique, was investigated. The films were measured by Scanning Electronic Microscopy （SEM）, Atomic Force Microscopy （AFM）, Electron Spectroscopy for Chemical Analysis （ESCA）, and Superconducting Quantum Interference Device （SQUID）. It was observed that the film＇s layer is homogeneous in thickness and has a dense morphology without cracks. The surface roughness is about 36 nm. From the results of ESCA, it can be inferred that the film mainly contains the compound FeOOH, and carbon is combined with oxygen in different forms under different supply-powers. The hysteresis loops indicate that the film is of soft magnetism.     

Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ,Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．     

螺旋结构手性材料的结构参数对旋波性的影响

手性材料具有旋波性.本工作首次研究了螺旋结构手性掺杂体的几何结构参数对旋波性的影响.螺旋结构手性体的结构参数由螺旋体的螺径、螺距、线径和环数来表示.利用普通的微波圆波导测量系统,在8.5-11.5GHz频段内测量了电磁波通过不同螺旋结构手性材料后的偏转角.结果表明:螺旋体的几何结构参数对偏转角有较大影响,随着螺旋体结构参数的变化,有Cotton效应出现.这些实验结果为手性材料的设计提供了实验依据.     

脉冲准分子激光沉积纳米WO3多晶电致变色薄膜的研究

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在不同条件下,在透明导电衬底SnO2:In2O3(ITO）及Si (111)单晶衬底上沉积了非晶WOx薄膜,采用X射线衍射（XRD）、Raman光谱（RS）、Fourier红外光谱（FT－IR）及透射电镜扫描附件（STEM）对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析,结果表明：氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数,采用三斜相的WO3靶材,在100℃及20Pa氧压下沉积,经300℃以上退火处理,在Si（111）及ITO衬底上得到了三斜相的纳米晶WO3薄膜,随着氧压的减少,薄膜中氧缺位增多,采用ITO基片,氧20Pa,经300℃热处理的薄膜,呈多晶态,晶粒分布均匀,晶粒平均尺寸为20－30nm,经400℃热处理的薄膜,呈多晶态,晶界明显,晶粒分布呈开放型多孔结构,晶粒平均尺寸30－50nm,这一典型的结构有利于离子的注入和抽出。     

Properties of Al-doped Copper Nitride Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering

Cu3N and Al Cu3N films were prepared with reactive magnetron sputtering method. The two films were deposited on glass substrates at 0.8 Pa N2 partial pressure and 100 ℃ substrate temperature by using a pure Cu and AI target, respectively. X-ray diffraction （XRD） measurements show that the un-doped film was composed of Cu3N crystallites with anti-ReO3 structure and adopted [111] preferred orientation. XRD shows that the growth of Al-doped copper nitride films （AlxCu3N） was affected strongly by doping AI, the intensity of [111] peak decreases with increasing the concentration of Al and the high concentration of Al could prevent the Cu3N from crystallization. AFM shows that the surface of AlCu3N film is smoother than that of Cu3N film. Compared with the Cu3N films, the resistivities of the Al-doped copper nitride films （AlxCu3N） have been reduced, and the microhardness has been enhanced.     

氮化铁薄膜中反常霍尔效应的研究

通过磁控溅射方法制备了氮含量不同的氮化铁薄膜,观察到随着氮含量的增加,薄膜的导电机制从金属到半导体的转变。霍尔电阻的测量表明在高电阻区域反常霍尔电阻率与纵向电阻率的标度律为线性,即反常霍尔效应遵循斜散射机制,但相应的反常霍尔电导率与纵向电导率的关系不总是线性。     

脉冲准分子激光大面积扫描沉积V2O5光电薄膜及光谱分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。