磁控溅射法制备WO3薄膜及其非线性电学性质

利用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备了WO3薄膜，测量了薄膜的伏安特性和显微结构。实验表明实验制备了颗粒小于100nm的WO3多晶膜，薄膜具有良好的非线性电学行为，其非线性系数在0.1-1mA的范围内可达到10以上。简略讨论了WO3薄膜的非线性电输运机理。     

CuO－SnO_2纳米晶粉料的Sol－Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无机盐为起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１～２２ｎｍ，ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ_２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热—失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ）、透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征．实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ_２晶粒的生长；以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ_２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化．     

氮化铁薄膜中反常霍尔效应的研究

通过磁控溅射方法制备了氮含量不同的氮化铁薄膜,观察到随着氮含量的增加,薄膜的导电机制从金属到半导体的转变。霍尔电阻的测量表明在高电阻区域反常霍尔电阻率与纵向电阻率的标度律为线性,即反常霍尔效应遵循斜散射机制,但相应的反常霍尔电导率与纵向电导率的关系不总是线性。     

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了SnO2薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5．5时,SnO2薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀。     

苯胺的等离子体聚合薄膜特性研究

采用苯胺的等离子体聚合法，得到致密高、化学稳定性好的自支撑膜。ＩＲ光谱和导电性研究表明，它与化学法聚合得到的聚苯胺有明显不同的结构和特性，而且研究结果提示用此方法可得到中红外区的红外吸收材料。鉴于等离子体聚合产物大多是非结晶的无定形结构，我们通过ＳＥＭ和ＨＥＥＤ研究发现，该聚合产物单晶存在，这对等离子体聚合的理论和实验研究有着积极的意义。．     

SnO2气敏薄膜沉积速率的数值模拟

本文依据等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）制备ＳｎＯ２导电薄膜的过程，提出一种数学模型，通过数值计算，讨论了沉积的关键参量一活性粒了沉积速率与过程参数（气压，温度等）的相互关系对结果作了初步分析并与实验进行了比较。     

Properties of Al-doped Copper Nitride Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering

Cu3N and Al Cu3N films were prepared with reactive magnetron sputtering method. The two films were deposited on glass substrates at 0.8 Pa N2 partial pressure and 100 ℃ substrate temperature by using a pure Cu and AI target, respectively. X-ray diffraction （XRD） measurements show that the un-doped film was composed of Cu3N crystallites with anti-ReO3 structure and adopted [111] preferred orientation. XRD shows that the growth of Al-doped copper nitride films （AlxCu3N） was affected strongly by doping AI, the intensity of [111] peak decreases with increasing the concentration of Al and the high concentration of Al could prevent the Cu3N from crystallization. AFM shows that the surface of AlCu3N film is smoother than that of Cu3N film. Compared with the Cu3N films, the resistivities of the Al-doped copper nitride films （AlxCu3N） have been reduced, and the microhardness has been enhanced.     

脉冲准分子激光大面积扫描沉积V2O5光电薄膜及光谱分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。     

基于NaCl溶液的可重构电磁屏蔽体设计北大核心CSCD

为了实现电子信息系统在正常电磁条件下的通信电磁信号传输和强电磁干扰条件下的电磁防护双重功能,提出了一种利用NaCl溶液设计的可重构电磁屏蔽体。利用传输线阻抗匹配原理,对未加载溶液的固体封装结构进行了阻抗匹配设计,实现通信电磁信号的高效穿透传输;在强电磁干扰条件下,利用泵浦等方式将NaCl溶液注入空气夹层,促使原先的阻抗匹配设计失效,并利用溶液吸收损耗特性实现强电磁干扰信号的阻断或削弱。实例计算结果表明,电磁屏蔽体在正常电磁条件下可实现窄带通信电磁信号的无反射、零吸收、全透明传输;在强电磁干扰条件下通过注入NaCl溶液和调节其盐度,实现屏蔽效能的调谐,并在宽频带内达到了电磁屏蔽的标准要求。     

Fe3O4/CdS纳米复合微粒的合成及性能研究

用反相微乳液法合成Fe3O4/CdS纳米复合微粒.用UV-Vis、PL、VSM和TEM对产物进行了表征,并对其结合机理进行了简单分析,认为主要以化学键结合和表面类齿轮切合作用所致.还研究了不同的合成条件对复合材料性能的影响.结果表明,随着微乳液水核尺寸增大,荧光发射光谱逐渐红移,同时壳层厚度先增后减.复合材料中磁性组份比重过大会引起荧光的迅速减弱,磁性先驱物与量子点先驱物物质的量比为0.25～0.5时比较合适.