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Mo/Al/Mo结构金属作为TFT的电极,刻蚀后的坡度角和关键尺寸差是重要的参数。明确影响坡度角和关键尺寸差的工艺参数,进而控制坡度角和关键尺寸差,这对工艺制程至关重要。本文探究了膜层结构、曝光工艺、刻蚀工艺对坡度角和关键尺寸差的影响,并对刻蚀工艺进行正交试验设计。实验结果表明:Al膜厚每减小60nm,坡度角下降约9°,关键尺寸差增加0.1μm。曝光工艺中,显影后烘烤会增加光阻粘附力,导致关键尺寸差减小0.1μm,同时坡度角增加约9°。刻蚀工艺中,过刻量每增加10%,坡度角下降3.3°,关键尺寸差增加0.14μm;正交试验结果表明,对关键尺寸差、刻蚀均一性、坡度角影响因素的重要性顺序是:液刀流量Air Plasma电压水刀流量。经上述探究表明,坡度角和关键尺寸差呈负相关关系,刻蚀程度增加,关键尺寸差增加,而坡度角则减小。可以通过调节工艺参数对坡度角和关键尺寸差进行控制。 相似文献
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在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist,简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案。实验结果表明:0+4mask技术的Gate制程中,ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀;将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀。在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中,基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留,均会引起Cu腐蚀;增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量、增加TFT基板在过渡区间(H2O与剥离液接触的区间)的传输速度,管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀。 相似文献
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目的 分析橡胶水泥土桩复合地基在上部荷载作用下的受力性能,为研究橡胶水泥土桩复合地基奠定基础.方法 通过ABAQUS有限元软件建立了桩土三维有限元模型,对不同橡胶粉掺入的橡胶水泥土桩进行计算分析,研究荷载-位移、桩身应力等各种影响其性能的曲线.结果 随着橡胶粉掺量的增加,荷载-沉降曲线拐点弱化.橡胶粉掺量增大,桩间土的竖向附加应力越大.由于橡胶粉掺入增加了桩间土的水平位移,使桩间土处于三向受压状态,促进了其承载能力的发挥,调整了桩土应力比.结论 合理的调配橡胶掺入比,可以在满足复合地基的沉降控制条件下,发挥桩土共同作用,改善复合地基的受力性能. 相似文献
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1 前言甲基叔丁基醚的合成技术,作为有效地分离 C_4混合物的方法,近年来得到迅速的发展,1991年世界产量将达到1000万 t/a。合成的甲基叔丁基醚,不但是一种优良的提高汽油辛烷值添加剂,而且由于在汽油基油中添加10%~15%,所以可增加汽油的产量,进而提高了经济效益;该技术也是从 C_4混合物中分离得到聚合级丁烯—1的有效方法;若将 MTBE 裂 相似文献