利用受激布里渊散射获得优质强激光

本文充分利用受激布里渊散射(SBS)对激光脉宽、光束光散角的压缩以及SBS镜的相位补偿特性和SBS光频移小的特点,采用双程放大的方法,对红宝石目标信号进行了相位补偿放大,并获得了优质高功率红宝石激光。另外利用SBS的参量特性对此方法进行     

聚合物发光二极管和激光器的新进展

本文综述了最近几年国内外聚合物发光二极管和激光器的研究进展状况和前景。对几种典型结构发光二极管和激光器做了简要介绍。并指出，这个领域虽然取得了很大成功，但仍有一些棘手的问题急待解决。     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构

用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.     

机器人手臂材料的弯曲极限测试

用两种材料制备Smooth-on Ecoflex00-30超弹体,测试其力学性能;通过Recur Dyn构建仿生机械臂有限元模型,进行弯曲性能测试.结果表明:两种材料配比为1:1时,断裂强度和伸长率最大;随固化温度升高,样品抗拉强度、伸长率、硬度及弹性模量先增后降;相同拉伸距离,拉伸时间越长抗拉强度越小,拉伸频率越大,抗拉强度越大;随拉力增加,样品弯曲度增大,当拉力为2.75 N时,达到弯曲极限;线缆两侧受力忽略不计,表面分布力是影响样品弯曲的主要原因.     

重根循环码的周期分布和广义周期分布

近几年来，重根循环码再度引起人们的重视，本文在文「１」的基础报重根循环码的周期２分布和广义周期分布，给出了通用的计算方法和计算公式，并确定了某些重根循环码的周期分布和广义周期分布。     

影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素

研究了影响ＬＥＣ生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布，热对流，坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭子长度都有影响。     

通过温度控制LEC—GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。     

ATM网络技术及应用

本文摘要介绍了ＡＴＭ技术的基本原理和ＡＴＭ与传统网络的互连技术，如局域网仿真，ＡＴＭ上。国际协议ＩＰ，多协议ＭＰＯＡ和ＡＴＭ上的ＩＰ交换机等。每种技术均有其优点和不足，选用休种完全取决于用户的应用需求。