银纳米球阵列的局域表面等离子体特性研究

基于金属纳米颗粒的光散射理论,利用时域有限差分法计算了Ag纳米球阵列不同结构参数下的散射光谱、吸收光谱及散射效率,分析了Ag纳米球阵列在共振波长下的极化电场和极化电荷分布情况,讨论了Ag纳米球阵列的局域表面等离子体(LSP)对GaN基LED发光效率增加的机理。结果表明,随着间距的减小,Ag纳米球阵列LSP的散射峰逐渐呈双模分布,且位于长波段的散射峰蓝移;随着Ag纳米球直径的增大,LSP的共振波长红移且散射效率增大。当LSP的共振波长与LED辐射光波长相匹配时,Ag纳米球阵列的LSP与LED辐射光发生耦合作用,在一定条件下,部分耦合的能量辐射到自由空间,增大LED的内量子效率。     

1Gbps低功耗轨到轨mini-LVDS接收器。

一款用于芯片间高速通讯的微型低压差分信号(mini Low Voltage Differential Signaling, mini-LVDS)接收器,利用新型的差分输入级实现了轨到轨的输入,以共用负载管的NMOS和PMOS输入对来接收信号,二极管连接的负载管钳制稳定了输出的共模、差模.同时输入级增益不受偏置电流制约,功耗低.NMOS输入对以差分对形式工作,能抑制共模、差模噪声.     

EAST托卡马克的中性束注入方案

高能中性束注入(Neutral beam injection,NBI)是核聚变装置托卡马克采用的芯部辅助加热和非感应电流驱动主要手段之一.本文介绍了国家大科学工程全超导托卡马克实验装置(Experimental advanced super-conductingtokamak,EAST)上的高能NBI加热方案及注入器的工程要求,并讨论了中性束在EAST等离子体中的传输等相关问题.     

互连宽度对铜互连应力可靠性的影响

基于Cu的随动强化模型,用二维有限元分析方法,模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现,当互连尺寸减小到一定宽度后,静水应力先减小,后略有增加;随线宽的减小,等效塑性应变的最大值逐渐减小,塑性应变最大值的位置由Cu互连上界面处转向Cu互连上界面边角处,而发生等效塑性应变的区域先减小后增加。讨论了在不同Cu互连结构条件下,应力状态和塑性应变对Cu互连可靠性的影响。     

一种基于频率-电压变换器的高精度时钟振荡器

采用一种新的不需要参考时钟输入的频率锁定环路结构,设计了一种基于频率-电压变换器的频率可调高精度时钟振荡器.通过电路补偿,减少工艺和温度对频率的影响.系统输出时钟的频率范围为22.5360 MHz,最坏情况下的变化小于±4.5%.电路采用GSMC 0.13 μmCMoS 1P8M工艺的3.3 V器件实现,核心版图面积约为0.05 mm2.版图后仿真表明,在3.3 V电源电压和200 MHz输出频率下,时钟的抖动峰-峰值为25 ps,锁定时间为2 μs,功耗为5 mw.     

Flip-around结构高速采样保持电路的设计

分析了Flip-around结构采样保持电路产生失真的原因。采用增加哑开关管的自举开关,消除与输入有关的电荷注入和时钟馈通;采用增益增强技术,提高运算放大器的直流增益,并通过调整辅助运放的负载电容大小,实现主运放建立时间特性的优化。设计了一个Flip-around结构的高速采样保持电路;对电路各模块进行了功能仿真,给出了整个采样保持电路的仿真结果。     

基于Web教育辅助系统的设计与开发

以往的教育辅助系统往往关注的只是教育过程中的某个组成部分,功能结构单一,而且异构数据库间的耦合困难。针对这些问题,文章提出了一个通用的教育辅助系统的解决方案,它的最大特点就在于整合性,通盘考虑了教育过程中的主要问题,从而维护了教育过程的一致性和完整性。     

FCBGA封装器件的失效分析与对策

FCBGA(Flip-chip ball grid array)封装形式器件是近年来集成电路封装的最佳选择,其可靠性日益引起重视.本文简要介绍了FCBGA封装形式器件的结构特点以及相关的可靠性问题,通过两个FCBGA封装器件失效的案例,分析了两只FCBGA器件失效的原因,一个是由于芯片上的焊球间存在铅锡焊料而导致焊球短路,另一个则是因封装内填料膨胀分层而导致的焊球开路.本文提出了针对这种形式封装的器件在使用过程中的注意事项及预防措施,以减少该类失效情况的发生.     

LCD电极检测技术的现状与进展

综述了LCD电极检测技术,分析了不同检测方法的优缺点及其适用范围,并着重介绍了最近发展的LCD电极电自动视觉检测方法。     

a-Si:H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响

用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多晶硅薄膜.