锎源中子照射下硫的瞬发γ能谱测量

利用瞬发γ中子活化分析技术对不同质量的单质硫进行了定性测量,实验使用的是252Cf源和6″×6″NaI探测器,测量时间为1200s。实验结果表明：测量得到的硫元素的瞬发γ特征峰十分明显,元素特征得到了体现,证明该测量系统可对物料中的硫元素含量进行分析。     

房地产开发可行性分析中售价预测方法浅析

房地产开发可行性分析中售价预测方法浅析安力市场经济条件下，房地产开发企业对拟开发区的可行性分析评估结果，是直接影响企业投资决策的重要文件之一。形成一个比较客观的可行性分析，首先必须正确地将项目有关的各种情况摸清，这是一项深入实际调查研究的硬功夫；其次...     

脉冲离子束作用下的靶温度场-应力场耦合分析

靶温对无冷却装置的密封式中子发生器的靶寿命有重要影响。为对脉冲离子束作用下靶进行热-力耦合分析,采用以时-空二维高斯轴对称分布的功率密度为热源的间接耦合的有限元方法,获得了不同脉冲离子束工作状态下的靶温度场和应力场有限元分析结果。结合密封式中子发生器的靶温要求和热应力引起的靶膜热-力破坏效应,优化了密封式中子发生器中的脉冲离子束工作参数。     

波纹管补偿器与波纹管调长器的选用

通过对波纹管补偿器和波纹管调长器结构特点的比较,探讨了燃气行业中波纹管补偿器与波纹管调长器的选择与使用。     

14 MeV中子辐照钒引起的长寿命放射性

用HPGe探测器测量了钒以及杂质由14MeV中子活化引起的放射性,得到了50V(n,α)和51V(n,α)反应截面比值在14MeV处为0 584,并由此得到了50V(n,α)反应截面为(8 7±0 7)×10-27cm2。测量了钒中杂质成分被活化后其长寿命放射性核素的半衰期。     

电容储能点焊控制器的研制

主要介绍了电容储能点焊控制器的单片机程序流程、充电移相脉冲的生成、脉冲控制电路结构及调试过程中出现的几个问题.此控制嚣的研制,为进一步改进点焊质量、提高产品工作速度奠定了基础.     

高纯锗探测器探测效率研究

利用系列标准γ射线源对高纯锗探测器的探测效率进行了各种测量,与蒙特卡罗计算程序相结合,对于高纯锗探测效率进行了分析和讨论.计算效率与测量效率在4%以内吻合.在一定探测距离条件下面源与点源的探测效率在1%以内吻合,而且面源的自吸收可以用平行束在材料中的自吸收来计算;当面源靠近探测器时,由于γ射线的倾斜入射,这种方法就不适用了,需要用蒙特卡罗方法进行自吸收较正.     

NE230液体闪烁探测器对~(24)Naγ射线的响应

建立了 NE2 30液体闪烁探测器γ射线谱仪 ,用该谱仪测量了 2 4 Na源的γ射线 ,并将测量结果与 NE2 13探测器的测量结果进行了比较。运用蒙特卡罗程序对实验所用探测器的γ射线进行了计算模拟 ,发现 NE2 30实验结果与计算结果相差比较大。对探测效率及测量谱形的差异进行了探讨。     

元素级联γ射线的符合测量技术

介绍了一种符合测量技术,可极大地抑制康普顿坪和逃逸峰,从而凸显全能峰,使数据分析变得更为简单。该技术利用元素释放的级联衰变γ射线,用满足峰与峰相加的幅度信号作为符合信号,将符合信号作为门输入与原输入信号再进行符合即可得到凸显元素特征的不带康普顿坪的γ能谱。通过符合窗的选取,该技术可在复杂的辐射场中对特定元素进行选择性测量。