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21.
电容型高压套管作为典型的油纸绝缘设备之一,是电力变压器不可或缺的外部连接组件。为了评估频域介电谱法用于油纸绝缘套管含水量状态的有效性,研究了实验室油纸绝缘等效模型和现场套管的频域介电谱(frequency domain spectroscopy,FDS)特征在不同受潮程度和受潮类型时的变化规律。同时,结合界面极化数值模型分析结果,针对不均匀受潮样品和现场套管进行数值分析。结果表明:水分会影响频域介电谱(frequency domain spectroscopy,FDS)特性曲线整个频段。水分分布不均匀时,水分含量高的部分对油纸绝缘整体FDS特性曲线影响较大。不均匀程度越大,曲线波动越大,且具有典型的界面极化特征。因此,可采用频域介电谱方法对油纸绝缘套管的含水量进行评估,同时也能针对性地评估水分分布不均匀的影响。  相似文献   
22.
在线监测和GIS用于输电线路管理系统   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了加强输电线路状态运行管理,介绍了线路管理系统的数据结构、系统建立方法后分析了系统的功能:安排定期的线路巡视;及时采取措施预防突发事故的发生,实现输电线路的状态监测、状态巡视、状态检修等;对设备的基本参数和经验数据进行自动修正,并通过嵌入的各种算法、模型结合GIS系统绘制该地区的电子污区分布图、覆冰分布图等。实际运行证明,该系统对线路的安全运行起到了监测作用。  相似文献   
23.
采用絮凝-沉淀一体化设备对渤海海水进行反渗透海水淡化预处理的试验,考察了该设备的处理效果。当聚合氯化铁(PFC)的投量为5.0mg/L、聚丙烯酰胺(PAM)的投量为3.0mg/L时,在适宜的pH条件下(pH值约为11),经该设备处理后,出水的浊度〈1.0NTU,SDI值〈4.0,CODMn〈3.0mg/L。出水水质可满足反渗透工艺对进水的水质要求。  相似文献   
24.
张冠军  李涛 《水泥》2015,(10):13
<正>0引言我国石墨矿资源相当丰富,保有储量的石墨矿产地分布于20个省(区),居世界第1位。从地区分布来看,主要分布在黑龙江、四川、山东和河南等省。随着石墨生产的不断发展,石墨矿尾矿的产量也与日俱增,不仅占用了大量的土地,而且严重污染了环境,因此如何综合利用石墨尾矿,越来越受到人们的重视。  相似文献   
25.
针对三门峡水利枢纽高含沙水流对工程过流设施、部件造成的磨损破坏,工程增改建和设计变更对管理运用造成的影响,水库运用方式变更对工程设施造成的影响,工程设施老化、技术设备落伍对运行管理产生的影响,探索了运行管理措施的改进,攻克了有关技术难题,提高了工程整体运行的质量,确保了工程安全运行,取得了较好的社会效益和经济效益。  相似文献   
26.
针对锂离子电池在应用中存在功率与能量不能兼容以及大型组合电池匹配难的问题,从理论上研究了不同特性电池不同组合方式下的电特性,用试验方法验证了理论分析,提出了新的锂离子电池组合理论。  相似文献   
27.
为了研究不同大气压氩气射流结构的放电特性以及气流速率、外施电压和电极结构对射流体长度的影响,设计了外表面双电极、外表面单电极和中心同轴电极3种不同结构的氩气等离子体射流装置,并结合气体动力学和静电场进行了分析。实验结果表明,随着气流速率的增加,射流管内的氩气流动状态会经历从最初的层流态到中间的过渡态再到最后的湍流态的过...  相似文献   
28.
张冠军 《城市勘测》2009,(2):127-129
结合太中银铁路山西境内某采空区的变形测量工作,对铁路建设中采空区变形测量特点、等级、变形网及变形观测点的布设方法、测量周期的确定、外业观测、数据处理等进行了探讨。  相似文献   
29.
泥水平衡盾构开挖面稳定模型试验研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
以崇明越江隧道为背景提出了泥水平衡盾构动态开挖模型试验的可行试验方案,并通过该试验对泥水平衡盾构开挖面平衡的机理,盾构推进时沉降的分布规律进行了研究。试验结果表明,泥水平衡盾构开挖面导致的地表沉降很大程度上取决于开挖过程中泥舱压力的浮动范围。通过将试验结果与楔形体模型理论计算的极限泥浆压力进行对比,得出了更加合理的极限泥浆压力浮动范围,有利于指导将来实际工程的施工。  相似文献   
30.
真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性   总被引:5,自引:0,他引:5  
在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响 ,在沿面闪络之前 ,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流 ,而表面处理过的试品表现为空间电荷限制电流特性 ;同时两类试品表面的放电通道也表现出不同的特征。提出了一个新的模型来描述半导体材料沿面闪络的发展过程 ,即由焦耳热效应诱导的电流细丝现象而发展成最终的闪络 ,并认为这是一个发生在半导体表层内的过程 ,在靠近真空的侧面这一表层厚度约为 2 μm。  相似文献   
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