简易数字存储示波器电子综合实验项目设计

设计了一个电子综合实验项目简易存储示波器,让学生利用低频,数字电路、单片机技术、EDA技术等相关专业技能,完成方案设计,电路制作、直到最后的调试验收整个项目开发过程。培养学生应用已学的专业基础知识,进行项目设计和开发的能力。     

基于第一性原理计算的C、Si、Ge的原子间相互作用势及晶格动力学

运用第一原理赝势技术,计算了金刚石结构晶体C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化.根据陈氏三维晶格反演得到了C-C、Si-Si、Ge-Ge的原子间相互作用对势;根据弹性系数的计算结果,确定了原子间相互作用的MSW(modified Stillinger-Weber)三体势参数;晶格动力学的计算结果和实验结果能够较好地符合.给出了一种基于第一性原理的计算、无参数调节地确定原子间相互作用势的技术路线,同时也给出了一种无参数调节地计算金刚石结构晶体晶格动力学的方法.     

佛山电视台14讯道大型数字标清转播车系统设计

佛山电视台原有一辆5讯道小型数字标清转播车,用于台外节目和活动的录直播。这辆转播车的摄像机档次较低,应急备份设备不完善,空间小,只能应付小型节目和活动的录直播。随着佛山经济、政治、文化的高速发展和佛山电视台的不断壮大,原有的小型转播车已无法适应新的要求。同时,随着佛山电视台新大楼的建设,那些新建成的1500m^2和600m^2的大中型演播室也需要视音频系统,     

2005年东盟政治经济与电信市场发展情况

在政治趋于稳定、经济持续发展的前提下,东盟电信市场继续稳步推进,不过,东盟各国的电信发展速度存在差异显著,越南、印尼、束埔塞和老挝等电信普及率较低的国家,电信用户的年增速在30％以上,而泰国、新加坡、菲律宾和文莱等电话普及率超过40%的国家,用户年增速已降至10％以内。电信业务的发展也不协调．移动用户的年增量一直远远高于固定用户,不过在小灵通、无绳电话的推动下．2005年出现了移动用户增速放慢、固定用户加快增长的局面。     

浅结欧姆接触研究

本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构是良好的接触结构     

一种电子系统认证芯片的电源规划

为了对所开发的电子产品进行保护,采用ASIC的方法设计基于硬加密技术的电子系统认证芯片。在后端物理设计中,为了使最终的芯片实现面积优化且满足功耗、时序等要求,采用预设计的方法对芯片进行功耗预估与布线拥塞分析。根据分析结果提高了芯片利用率,并针对预设计中存在的电压降（IR Drop）违规进行了详细的电源规划．包括全局电源网络的连接、电源环和电源条的设计．最终满足了功耗要求,实现了时序收敛以及面积优化。     

三种典型化学物质释放变态电离层的数值模拟研究

电离层人工变态会影响短波通信及卫星通信,对空间物理研究具有重要意义.基于中性气体扩散方程、离子化学反应方程及等离子体扩散方程,模拟了三种典型化学物质（氢气H₂、二氧化碳CO₂和三氟溴甲烷CF₃Br）经点源和多源释放后导致的电离层三维扰动变化,并利用自适应变步长的三维数字射线追踪技术讨论了化学释放变态电离层对不同频率短波传播的影响.结果表明:点源释放时产生的"空洞"在水平面上沿磁场线方向的轴长略大于其垂直方向;在释放量及释放高度相同的前提下,H₂扩散最快,CF₃Br扩散最慢,但就t=100 s时电子密度最大相对变化率而言,CF₃Br最大,CO₂次之,H₂最小;CF₃Br释放形成的"空洞"垂直范围最小,开始发生穿透现象所需的短波频率最高;H₂扰动下"空洞"边界的电子密度梯度最小,射线聚焦点明显偏高,聚焦效应最弱;多源释放产生类抛物线管状的电离层"空洞"结构,射线的传播路径更加多样,此时仍有聚焦效应出现,且聚焦点随射线频率增加而升高,聚焦效应减弱.     

美国宽带战略项目如何落地？

美国在《2009年美国复兴与再投资法》中设立了72亿美元的宽带发展基金,两年来,美国电信和信息管理部门如何处理相关项目申请,又通过哪些机制管理并监督这些宽带建设项目的实施？     

考虑风电随机性的风-火-蓄机组组合模型研究

风电的随机性增加了风-火系统的发电成本.风电的随机性是风电自身特点决定的,单纯依靠其自身无法解决.为了减少风电随机性对风火机组的影响,给风-火系统配置抽水蓄能电站是有效方法之一.采用机会约束的方法来考虑风机的随机性,提出计及风电随机性的风-火-蓄机组组合模型.并通过验证证明其正确性.     

表面形貌对定向氧化锌阵列场致发射性能的影响

采用热蒸发的方法生长不同形貌的ZnO纳米材料。通过调节反应温度和氧气流量,生长了梳状ZnO ,ZnO纳米针和ZnO纳米柱状。场致发射测试结果表明一维纳米ZnO材料的表明形貌对其开启电场和发射电流有很大的影响。ZnO纳米柱阵列的开启电场最低,电流密度最大。这是由于它与衬底的良好接触以及较弱的场屏蔽效应。实验结果表明ZnO纳米柱阵列是一种优良的场致发射器件的冷阴极材料。