基于电话网络的直接预付费系统研究

本文比较了我国当前的几种抄表付费方式的优劣,提出一种基于电话网络的直接预付费系统。此系统采用先购电后用电的预付费管理模式,运用电话线来实现管理部门对各终端表计的管理,以提高预付费方式的安全性。文章给出了电话线通讯接口电路与系统中各个部分的程序模块。     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

本文介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。     

非接触式红外测温原理及误差分析

本文介绍了红外测温的机理以及系统的组成部分和测量范围的划分，并从环境、反射率、距离系数等几个主要因素分析了产生误差的原因，同时，还提供了一个实用红外测温的具体电路。     

分段线性宽频带CMOS集成压控振荡器设计

通过分析LC压控振荡器的工作原理,设计了一种基于开关电容阵列的集成压控振荡器,很好地解决了调谐范围与相位噪声之间的矛盾,并同时采用PMOS和NMOS做负阻管,进一步减小了相位噪声。     

高电源抑制比带隙基准电压源的设计

提出一种采用0.25 μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计.设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿.使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25 μm CMOS工艺下,当温度变化范围在-25～125℃和电源电压变化范围为4.5～5.5 V时,输出基准电压具有9.3×10-6 V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12 mV,在低频时具有85 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),整个电路消耗电源电流仅为20μA.     

基波补偿型有源电力滤波器的设计

采用串联基波补偿技术和PWM跟踪控制电路,设计了一款简单、方便、精度高的电力有源滤波器.实验仿真表明:在满足基波磁通补偿条件下,该有源滤波器对负载谐波源具有较好的滤波特性,达到了设计要求.     

石英晶体振荡器的集成化设计

在分析典型的分立式共射共基晶体振荡器原理的基础上,通过建立电路模型,设计一种集成化的石英晶体振荡器.采用电压源电路作为缓冲放大器的基极偏置,去掉容值较大的旁路电容,振荡电路与缓冲放大器电路共用偏置分压电阻,缩短电路起振时间,减小电路版图面积.基于特征尺寸为0.35μm的chrt.35dg_sige工艺库,利用Cadence中的spectre仿真工具对电路进行仿真.结果显示:当电源电压为2.7V时,振荡频率为12.8MHz,起振时间约为1.3ms,输出波形的峰峰值约为0.8V,单边带相位噪声1kHz处为-142dBc/Hz,10kHz处为-150dBc/Hz,整个电路的直流功耗小于2.7mW.     

基于Si/Si1-xGex/Si HBT的微波功率器件Ge组分的数值拟合计算

采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n—p—n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符。并得到一个最佳的Ge组分值。对器件的仿真设计具有实际指导意义。     

基于Si/Si1-xGex/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算

采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300 K时关于Ge组分变化的方程.并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值.     

新型双注入结型场效应器件

本文提出一种新型双注入结型场效应晶体管（BJFET）器件构思，并说明其工作原理。这种器件兼有双极型器件和结型场效应器件的特点，即有两种载流子参与导电，导电能力受电压控制，具有较大的电流容量和输入电阻。