慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为

用慢正电子探针分别检测了Ｐ＋注入和Ｐ注入Ｓｉ（１００）的两组样品。与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＋和Ｐ注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。     

非晶态合金Fe_(80-x)Cu_xSi_(15)B_5中Cu含量对正电子湮没特性的影响

我们对x=0、0.5和1的三种非晶样品测量了正电子平均寿命和Doppler加宽线形参数。为了确定寿命值的微小变化,采用了差分方法。将正电子实验的结果与X射线径向分布函数的测量结果作了比较。三种样品的平均寿命τ为151—148ps,正电子取样的平均原子半径～1.67A,径向分布函数估计的平均原子间距r_1/2～1.25A,这表明正电子被局域在原子密度低于平均值的区域内。忽略库仑相互作用的非线性项,我们估计与这种低密度区相联系的自由体积～0.77(以Fe中一个单空位的自由体积为单位)。X射线的结果表明,随Cu浓度增加平均原子间距略有增加。但寿命和H、D参数却下降,W上升。这表明正电子并未被深度捕获,冻结在Cu邻近自由体积和Fe邻近自由体积中的赝势差足以造成正电子的空间分布在Cu邻近自由体积中的局部增强,导致湮没特性趋向Cu。冻结在Cu和Fe邻近自由体积之间的赝势差估计为～0.84eV。它可以作为局域势上限的一个粗略估计。     

多晶钠离子导体Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)的正电子湮没一维角关联辐射研究

本文用正电子湮没辐射一维角关联实验装置,测量了多晶钠离子导体Na_5Y_1—xCr_xSi_4O_(12)(简称NYCS)系列各组分的正电子湮没辐射的一维角关联曲线,对测得的电子动量分布曲线归一化后,计算了线形参数,从H、W和S参数反映出NYCS系列样品中Na~+离子空位浓度的变化。测试结果表明,Cr_2O_3的含量不同,对多晶NYCS样品的一维角关联曲线的H、W和S参数均有很大影响,随Cr_2O_3的加入,H和S参数提高,W参数下降,当x=0.05时,两者均达到极值;继续加入Cr_2O_3,则H和S参数下降,W参数提高。这些结果说明,加入Cr_2O_3后,电导率的变化和Na~+离子空位浓度的变化密切相关,Na~+离子空位浓度增加,电导率提高,反之则降低。     

金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究

用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge／GaAs（100）异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Na和Mg的薄夹层可使Ge／GaAs（100）的价带偏离分别增加0．19和0．18eV。通过Na，Mg和Al夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。     

飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤

利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。