等温热处理对AZ91D半固态挤压铸造成形的影响

研究了等温热处理温度和保温时间等工艺对AZ91D镁合金半固态挤压成形的影响.结果表明半固态等温热处理可以将普通金属型铸造的AZ91D镁合金锭中的枝晶组织转变为球形晶粒组织,并能进行半固态挤压成形.AZ91D镁合金半固态挤压成形所需的最佳工艺条件是加热温度570 ℃左右,保温时间25～35 min,或加热温度580 ℃左右,保温时间10～20 min.     

V-EPC法铸渗工艺的实验研究

对影响铸渗质量的主要因素进行了分析 ,采用正交实验对 1 6Mn钢表面进行了 Ni基合金 V- EPC法铸渗处理 ,从中确定出合理的工艺 ,为生产实践提供了依据。     

某商住楼托梁拔柱施工

某商住楼为临街建筑,9层框架结构,底层层高7·2m,2层4·2m,3~9层3·0m,其中1~2层为超市,3~9层为住宅。基础为桩基础,地基持力层为中风化白云岩。因1~2层建筑设计柱网过密,使用方要求将4根柱拔掉,其中1根待拔柱位置如图1所示。由于该建筑已修建完成,住宅已交付使用,因此拔除底层     

模具抛光技术浅谈

着重介绍了模具抛光的方法和工作原理、常用的工具及设备、工艺特点、操作方法和技巧,分析影响抛光效果的因素和抛光时的注意事项.为模具加工制造中合理选择抛光方法,分析和解决抛光中出现的各类问题提供参考.     

自孕育法流变压铸AZ91D镁合金微观组织特征

采用一种新的自孕育法制备AZ91D镁合金半固态浆料,研究了AZ91D镁合金半固态浆料的流变压铸成形,并对半固态浆料和压铸件的微观组织进行研究分析。结果表明,自孕育法可以制备出组织细小、均匀的半固态浆料。将自孕育法制备半固态浆料短时保温后,浆料中初生α(Mg)内部没有液相夹裹,平均晶粒尺寸为70.4μm;在增压压力为180 MPa,压射充型速度在2~5 m/s内,经585℃保温10 min的AZ91D镁合金半固态浆料能顺利进行流变压铸,能够改善AZ91D镁合金铸件的微观组织,获得性能良好的半固态压铸件。     

Sn微合金化对Mg-Zn-RE-Zr合金组织及性能的影响

采用金相显微镜、电子探针、扫描电镜、X射线衍射仪及电子万能拉伸实验机等设备研究、分析了Sn的微合金化对Mg-Zn-RE-Zr镁合金的显微组织和力学性能的影响.结果表明:由于Sn的加入,合金组织中出现弥散分布球状颗粒相Mg2Sn,具有沉淀弥散强化作用,改善了合金的组织,提高了合金的力学性能.并且当Sn添加量为0.5%时合金的力学性能最佳:抗拉强度达到207 MPa,伸长率达到16.9%.     

触变成形AZ91D镁合金的组织与二次凝固行为

采用光学显微镜和扫描电镜对AZ91D镁合金组织进行分析,研究AZ91D镁合金在半固态触变成形过程中的组织特征与二次凝固行为。结果表明,成形件的充型过程是按先底部后上部的顺序填充。触变成形件中心线部位的组织中初生相含量比边缘部位的高,产生宏观上的液相偏析。沿高度方向上,中心线处的初生相颗粒尺寸从上部到底部,先减小后增大。二次凝固过程包括3个阶段：第1阶段是初生α-Mg相生长;第2阶段是液相内部重新形核并生长成细小的等轴晶;第3阶段是剩余的液相发生共晶反应形成共晶体。共晶反应按离异方式生长,共晶组织中的Mg17Al12在初生相颗粒周围形成“晕圈”。     

负压铸渗法制备铸铁表面FeCr复合渗层的组织及性能研究

通过负压铸渗法在铸铁表面制备FeCr复合渗层.经过组织分析、硬度测试、三点弯曲试验对渗层的性能以及渗层与基体的结合强度进行测试.结果表明:渗层组织比较致密,硬度远高于基体,渗层与基体结合良好.     

NaOH对铝合金A356微弧氧化膜形成及其耐蚀性的影响

电解液采用NaOH-Na2SiO3体系,对铝合金A356进行徼弧氧化.通过改变NaOH浓度研究起弧电压、成膜速率的变化规律以及NaOH浓度的变化对膜层耐蚀性的影响.试验结果表明,随着NaOH浓度从1 g/L到5g/L逐渐增加,起弧电压从350 V降低到230 V,成膜速率在NaOH浓度为4 g/L时出现最大值0.8 μm/min;耐蚀性从19 min提高到25 min;综合各种因素,理想膜层的NaOH最佳浓度为4 g/L.     

铸铁表面负压铸渗法Ni/WC复合渗层组织和性能

以制备表面质量良好,硬度较高的铸铁材料为目的,采用负压铸渗法在铸铁表面制备了不同WC含量的Ni基复合渗层,用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和电子探针(EPMA)等测试手段,分析了渗层的显微结构、相组成、化学成分分布、宏观、显微硬度等.结果表明:渗层中WC颗粒分布均匀,渗层组织致密,界面结合良好;渗层主要由Ni基固溶体、W2C颗粒、NiB和FeB等相组成;显著地提高铸铁表面的硬度.最终在铸铁表面获得了硬度、质量较高的复合渗层,达到制备目的,满足使用要求.