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常熟纺织机械厂有限公司研制开发的GT5 11型电子提花装置于 3月 2 9日在浙江嵊州通过了江苏省科技厅、中国纺织机械协会科技成果投产鉴定。作为国内最大的织机用开口装置科研生产基地的常熟纺织机械厂有限公司 ,于 1999年着手开发GT5 11型电子提花装置 ,2 0 0 0年试制成功首台样机 ,2 0 0 1年在上海国际纺机展览会上成功展出。经过在浙江嵊州、绍兴、嘉善等织造厂一年多的中试 ,该机性能稳定 ,用户反映良好。GT5 11型电子提花装置可广泛应用于各种新型的剑杆、片梭、喷气、喷水织机 ,用来生产装饰织物 ,毛巾、床单、领带、商标等高档… 相似文献
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以燃用特高硫煤的300 MW机组中应用的旋汇耦合脱硫除尘一体化技术为研究对象,对该类技术进行现场测试与评估。测试结果表明:燃煤硫分在5%左右时,脱硫系统的脱硫效率可稳定在99.70%~99.82%,SO2排放质量浓度在23.4~30.8 mg/m3,能够满足SO2超低排放小于35 mg/m3的要求;除尘效率在78.6%~87.8%,颗粒物排放质量浓度稳定在4.60~5.76 mg/m3,能够满足颗粒物超低排放浓度小于10 mg/m3的要求。与脱硫单塔双循环、双塔双循环系统技术改造方案相比,该类SO2超低排放技术的改造与运行费用均有比较大的优势。 相似文献
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总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背栅偏置电压补偿辐照导致的器件参数退化。本文研究了总剂量辐照对双埋氧层绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)总剂量损伤规律及背栅偏置调控规律,分析了辐射导致晶体管电参数退化机理,建立了DSOI晶体管总剂量效应模拟电路仿真器(SPICE)模型。模型仿真晶体管阈值电压与实测结果≤6 mV,同时根据总剂量效应模型给出了相应的背栅偏置补偿模型,通过晶体管背偏调控总剂量效应SPICE模型仿真输出的补偿电压与试验测试结果对比,N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的背偏调控模型误差为9.65%, P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)为5.24%,该模型可以准确反映DSOI器件辐照前后阈值特性变化,为器件的背栅加固提供参考依据。 相似文献
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目的研究毛细管网型太阳能辅助火炕供暖系统的热工性能和效果.提出利用毛细管网型火炕的供暖模式,提高炕面的舒适性.方法利用数值模拟和实验测试两种手段分析两个对比房间的炕面温度和室内温度的变化趋势和规律.结果测试数据显示普通房间炕头、炕中、炕尾的平均温度分别为65.7℃、43.28℃、39.82℃,炕面温差大于20℃,而采用该系统的房间炕头、炕中、炕尾的平均温度分别为51.34℃、38.26℃、33.79℃,普通室内房间平均温度为12.2℃,太阳能辅热火炕房间室内平均温度为18.5℃,比普通房间室内平均温度高6.3℃.结论毛细管网末端热惯性小,运行时室内温度迅速升高,炕面的温度分布比普通火炕均匀,可依据主观意愿实时改善室内热环境,辅助火炕运行时有效地改善了农居室内及炕面的热舒适性. 相似文献