第三代同步辐射光源HELS的设计研究

叙述了第三代同步辐射光源ＨＥＬＳ的设计研究,包括１台能量为７ＧｅＶ的光源储存环,１台７ＧｅＶ的电子同步加速器注入器和１台４５０ＭｅＶ的电子直线加速器预注入器。光源储存的束流发射度达到２．３３ｎｍ．ｒａｄ,是目前世界上现有的同样能量的光源储存环的发射率的三分之一左右。     

一种多目标传感器优化布置方法及其应用

为解决复杂结构损伤识别中的传感器优化布置问题,以某发射台为研究对象,提出了一种多目标传感器优化布置方法(multi-objective optimum sensor placement,简称MO-OSP)。从结构运动方程出发,推导了同时具有各自由度模态独立性信息、损伤灵敏度信息以及运动能量信息的综合信息矩阵。根据信息熵原理,以协调灵敏度矩阵条件数最小和信息矩阵最大为目标,构造了能够兼顾算法敏感性和鲁棒性的目标函数,进而实现测点优选。采用多个评价准则和损伤识别实例,将所提方法与已有的3种典型传感器优化布置方法进行了对比分析。结果表明,提出的MO-OSP方法能充分满足模态线性独立和损伤敏感性,还具有较强的抗噪声性能,是解决复杂结构损伤识别中传感器优化布置问题的有效方法。     

对现行工程项目投资决策方法的研究与思考

本文通过对目前国内外投资决策分析方法的主要内容、工作原理和工作步骤进行了阐述和对比分析,客观地指出了目前国内投资决策分析方法所存在问题、产生原因和造成影响,并针对这些问题提出了相应的解决对策和建议.     

天然气净化厂原料气前处理技术研究

长庆油田某净化厂300×10~4m~3/d的脱硫脱碳装置,由于原料气气质较脏,原有的原料气过滤器过滤效果不佳,使大量杂质随原料气带入溶液系统,导致溶液浊度上升,富液滤芯更换频繁,吸收塔拦液频繁。由于大量杂质的存在,使高温低压的再生系统产生大量的电化学腐蚀,导致设备和管线严重腐蚀。增设了一台高效的HGSD/150型原料气精细过滤器后,存在问题逐渐解决。主要对天然气净化厂原料气前处理的技术的比较,并增加HGSD/150型原料气精细过滤器,通过对其前、后的运行情况分析及经济效益的比较,评价该设备的运行效果。     

第三净化厂脱硫再生系统设备改造

长庆油田公司采气一厂第三净化厂引进的300万m3/d撬装净化装置在日常运行中出现原料气气质偏离设计条件,净化装置出现再生系统腐蚀严重、热媒炉效率低、再生系统供热不足、再生塔存在拦液现象等问题.通过更换再生系统再生塔、脱硫重沸器、新增一台功率较大的热媒供热系统及对脱硫MDEA贫富液热交换器流程改造等措施,解决了第三净化厂脱硫再生系统长期以来的各种问题.     

基于FDA的居民用户空调用电行为分类分析方法

针对居民空调用电行为分类中存在事件型数据,导致分类分析耗时长、结果不准确等问题,提出一种基于函数型数据分析（FDA）模型的居民空调用电行为分类分析方法。该方法采用多重分形理论提取居民用电行为特征,使用函数型数据分析算法对居民空调用电行为进行聚类后获取居民空调用电行为类别,采用改进动态时间规整算法对居民空调用电行为实施分类处理,得到居民空调用电行为。根据非介入式设备采集到的实际居民用电行为信息检验该方法的有效性,实验结果表明:该方法可以较好地提取居民用电行为特征,且可有效提高用户空调用电行为分类精度以及缩短分类耗时,可充分描述居民空调开启情况以及消耗电量,具备较好的应用效果。     

均匀化热处理对AZ151镁合金显微组织的影响

采用热分析仪、光学显微镜和布氏硬度机等仪器,研究了不同的均匀化热处理条件下AZ151镁合金的显微组织和布氏硬度值,分析了温度对均匀化效果的影响以及硬度值随温度的变化,研究表明:温度是均匀化过程中的主要影响因素,并且扩散过程的速度随着温度的提高而增加;升高温度也不能使AZ151中的Mg17Al12完伞分解,AZ151镁合金合理的均匀化工艺为430℃/16 h.     

LPSO相对Mg-7Gd-5Y-1Nd-x Zn-0.5Zr(x=1,1.5,2)合金热压缩动态再结晶过程的影响

将Mg-7Gd-5Y-1Nd-x Zn-0.5Zr (x=1, 1.5, 2)铸态合金在510℃下均匀化热处理48 h,随炉冷却至480℃并分别保温0/1/8 h,利用扫描电镜（SEM）探究热处理后的组织形貌;对热处理后的合金样品进行一系列热压缩试验,并使用电子背散射衍射（EBSD）技术对热压缩后合金的动态再结晶情况进行研究。结果表明：炉冷+预析出热处理过程中,晶粒内部有片层状长周期堆垛有序（LPSO）相析出;晶界、晶界块状LPSO相及晶内片层状LPSO相均对动态再结晶的发生有促进作用,但其促进作用依次减弱,形核位置的优先级依次为晶界、块状LPSO相界面、片层状LPSO相界面。晶内片层状LPSO相的存在能够为动态再结晶提供潜在的形核质点,使动态再结晶晶粒能够从原始晶粒内部开始生长。晶内动态再结晶在片层状LPSO相界面处形核并长大,同时片层状LPSO相抑制了动态再结晶晶粒沿垂直片层方向的生长,使其只能在片层中间生长拉长,不再呈现等轴晶状。     

碳化硅粉添加量对碳素炉用硅砖性能的影响

以优质硅石为原料,加入不同含量的碳化硅粉压制成型,在1 450℃下制备硅砖试样,分析了添加不同含量碳化硅粉对硅砖材料性能的影响。结果表明,当碳化硅粉添加量为2%时,制备的硅砖显气孔率为18.0%,体积密度1.88 g/cm~3,常温耐压强度和荷重软化温度分别达到73.6 MPa和1 710℃;随着碳化硅含量的增加,烧后线变化率相差不大;当其含量3%时,试样开始出现黑心现象。在本试验条件下,碳化硅粉最佳添加量为2%。     

钇对纯镁的组织和性能的影响

采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)对Mg-Y合金与纯镁的铸态凝固组织进行了观察,并采用X射线衍射仪(XRD),能谱分析仪(EDS)对合金在凝固过程中形成的相进行了分析,利用析氢法及电化学方法研究了Mg-Y合金与纯镁在3.5%的NaCl溶液中的腐蚀行为。结果表明,纯镁的晶粒比较粗大,合金的晶粒比纯镁小,合金由灰白色的初生α相和深色的共晶组织构成,以及少量呈颗粒状弥散分布在基体中Mg24Y5相。析氢法中,试样在浸泡了8 h左右时,合金腐蚀速率是纯镁的2.85倍,纯镁在浸泡7 h后pH值稳到10.4左右,而合金的pH值变化较快,在1.5 h后就已经达到了10.4,最后稳定在11.2左右。从腐蚀形貌看,纯镁的腐蚀较浅,沿表面扩展,呈纹理状,合金则呈现明显的局部腐蚀特征,表面形成了严重的腐蚀坑。3.5%的NaCl溶液中测得的极化曲线可以得出,合金的腐蚀电流Icorr(4.05×10-4A.cm-2)比纯镁Icorr(6.81×10-5 A.cm-2)要高的多。