4D-HOPE下的计算机类创新型团队协同培养探索

针对大学生创新型团队在构建和培育方面存在覆盖面小、协同创新力量整合不足等问题,以产教融合校企合作为抓手,提出4D-HOPE校企协同育人新模式。依托院系协同平台,介绍跨专业、年级“4-3-2-1”金字塔式ACM算法攻关团队的构建过程,探讨4D-HOPE下,“4-3-2-1”创新型团队成长机制和培养途径。     

基于量子逻辑的图灵机及其通用性

基于量子逻辑的自动机理论是量子计算模型的一个重要研究方向.该文研究了基于量子逻辑的图灵机(简称量子图灵机)及其一些变形,给出了包括非确定型量子图灵机l-VTM,确定型量子图灵机l-VDTM以及相应类型的多带量子图灵机,并引入量子图灵机基于深度优先与宽度优先识别语言的两种不同定义方式,证明了这两种定义方式在量子逻辑意义下是不等价的.进一步证明了l-VTM、l-VDTM与相应类型的多带量子图灵机之间的等价性.其次,给出了量子递归可枚举语言及量子递归语言的定义,并给出了二者的层次刻画,证明了l-VTM与l-VDTM不等价,但两者作为量子递归语言的识别器是等价的.最后,文中讨论了基于量子逻辑的通用图灵机的存在性问题,给出了一套合理编码系统,证明了基于量子逻辑的通用图灵机在其所取值的正交模格无限时不存在,而在其所取值的正交模格有限时是存在的.     

±800kV锡泰线黄河大跨越区段耐雷性能分析

为了进一步提升±800 kV锡泰线黄河大跨越区段耐雷水平,利用暂态分析软件ATP-EMTP建立了仿真模型,结合大跨越区段特高塔及大档距的特点,采用改进的特高塔多波阻抗模型、充分考虑工作电压的影响、冲击接地电阻特性及绝缘子闪络特性,建立更精确的计算模型,分析在现有的防雷保护措施下,接地电阻、呼高以及避雷器加装方案对跨越段...     

基于模拟电荷法的变电站工频电场仿真分析

随着供电需求的增大,超高压变电站越来越接近公众活动区域,变电站站内的电场分布情况也显得越来越重要。本文提出改进的模拟电荷法,推导了带电体周围的工频电场计算公式。通过对500k V变电站进行模型建立及简化,编程计算出站内离地1.5m处的工频电场强度;采用CDEGS软件对重庆某500k V变电站进行仿真计算,将仿真结果和实测值与本文算法的计算结果进行对比,验证了本文算法的正确性与有效性。最后选取该变电站内三条路径,计算分析该处工频电场强度的分布情况,为深入研究变电站的工频电场分布提供参考。     

变电站电磁场测量数据的径向基函数处理方法

为更准确描述变电站内的电磁环境,针对有限的电磁场测量数据,提出了基于径向基函数插值的数据后处理方法。首先将变电站测量数据处理归结为一类曲面插值模型,给出了径向基函数曲面插值的离散方程和实施方案。在实测电磁场数据的基础上进行的插值仿真结果表明:插值后场量函数的连续性、光滑性更好,更贴切反映了物理量的连续变化规律并给出区域内场量分布更精细的信息;径向基函数插值实施简便,对空间维数不敏感并可方便应用于二维和三维数据处理中,是一种有效的数据后处理方法。     

格值树自动机与格值上下文无关树文法的等价性

本文将模糊树自动机和模糊上下文无关树文法的概念推广到格半群上。证明了在接受语言和生成语言的意义下,树自动机和上下文无关树文法是等价的。同时给出了构造正规形式的等价文法的方法。     

大采高双巷掘进巷间煤柱合理宽度研究

为解决大采高工作面双巷掘进巷间煤柱的留设问题,以某矿二盘区62101大采高工作面运输巷与辅助运输巷之间的煤柱为工程背景,采用理论分析与数值模拟的方法对巷间煤柱尺寸进行了系统的分析:首先通过极限平衡理论分析得出一次采动影响后煤柱破碎区宽度为2.52m,进而得出煤柱极限宽度为7.98 m;其次,在理论分析的基础上通过数值模拟分析了煤柱宽度为4、6、8、10 m时巷间煤柱的应力演化规律、破坏规律及巷道围岩变形规律;综合分析理论研究及数值模拟研究结果,同时考虑工作面实际生产地质条件,最终确定巷间煤柱的宽度为8 m。     

萎缩性胃炎的病理与超微结构的研究

一、病理学检查的结果: 诊断为萎缩性胃炎者18例,慢性浅表性者8例,具有浅表性及萎缩性表现者4例。二、电镜检查结果: 1.腺体实质细胞的改变:根据病变程度的轻重,在超微结构方面亦有不同程度的变化。 2.肠上皮化生:在30例标本中9例有肠上皮化生方面的变化,检出率占30％。 3.在30例标本中,发现3例有癌细胞,检出率为10％。     

MALU—单指令周期可实现乘法的ALU

ＭＡＬＵ—单指令周期可实现乘法的ＡＬＵ李永明，陈弘毅，于政，褚彤，边昆（清华大学微电子研究所，北京１０００８４）一、引言算术逻辑单元（ＡＬＵ）是微处理器（ＭＰＵ）和微型控制器（ＭＣＵ）的关键部件．常规的ＡＬＵ只含有加法，利用多次相加及移位操作来实现乘...     

低功耗CMOS低噪声放大器的设计

针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比。模拟结果表明,按照该方法基于0.18μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB。