模糊Büchi自动机的等价刻画

模糊语言的研究是形式语言研究的焦点之一,然而如何对模糊语言进行刻画甚至更好地分类是其中一个重要研究方向.文章在模糊ω-语言的研究基础上,从模糊逻辑角度研究了模糊ω-正则语言的等价刻画.首先借助广义子集构造方法,证明了任一模糊Büchi自动机与具有分明初始状态和状态转移函数且具有模糊终状态的模糊Büchi自动机是等价的,藉此研究了模糊ω-正则语言的代数刻画和层次刻画,讨论了模糊ω-正则语言关于正则运算的封闭性;其次引入单体二阶(L)ukasiewicz逻辑的概念,给出模糊Büchi自动机识别语言的等价逻辑刻画;最后通过引入ω-星自由和ω-非周期模糊ω-语言,利用“层次化”处理技巧得到了多值逻辑意义下的分类定理,对模糊ω-正则语言给出了一种分类方法.     

内外片温差作用下真空玻璃应力与变形分析

内外片温差导致的真空玻璃应力和变形是真空玻璃破裂重要因素之一.基于理论和ANSYS热结构直接耦合数值模拟分析,计算了内外片温差作用下的真空玻璃应力和变形,分析了温差作用下影响真空玻璃破裂因素.结果表明,当真空玻璃内外片存在温差时,真空玻璃产生的球面弯曲曲率半径与玻璃基片的厚度成正比,与玻璃基片的线膨胀系数及内外片温差成反比,与真空玻璃的长、宽尺寸无关;温差作用下导致的真空玻璃球面弯曲挠度及边缘弯曲挠度与真空玻璃长、宽尺寸及弯曲半径成正比,最大边缘弯曲挠度发生在长边中点处;温差作用下真空玻璃的最大拉应力与真空玻璃的基片厚度及长宽尺寸均无关,说明无论真空玻璃尺寸大小如何,均有可能会因温差作用产生破裂;真空玻璃应用过程中,因装配约束作用,增大了温差作用下的真空玻璃边缘拉应力,且最大拉应力分布在边角部位,从而造成了真空玻璃在接近于边角处破裂.     

一种高效MOS半波整流电路

针对传统半波整流电路的不足提出了基于 MOS工艺的改进方法及电路 .该电路利用 MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运 ,有效地提高了半波整流电路的整流效率 ,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数 ,从而以较简单的电路形式改善了半波整流电路的性能 .着重分析了该电路形式的作用机理 ,并给出了相应的 Hspice模拟结果     

CMOS宽动态范围的可变增益放大器

采用CMOS工艺,针对超外差结构的无线宽带接收器,提出了一个新结构的可变增益放大器,并对该放大器进行了仿真和测试.测试和仿真结果表明:该放大器能够工作在5 0～6 0 0MHz的频率上,增益为- 2 8～4 2dB ,最大增益的噪声系数为7 6 5dB ,最小增益的IIP3为2 0dBm ,而且具有良好的鲁棒性,在3V的电源电压下,电流消耗只有12mA .     

电子政务外网网络安全分析

本文介绍了电子政务网络的总体结构,分析了电子政务网的安全问题,结合电子政务外网安全体系设计方案及网安全管理,以期使得安全防护目标能够切实达成。     

立窑水泥厂设备维修制度初探

当前,有不少立窑水泥厂,特别是乡镇水泥厂维修制度不健全,设备坏了才被迫修理,事前毫无准备,造成停产时间长,经济损失大的被动局面.我厂经过多年的生产实践,摸索出一套适合中小型立窑水泥厂的维修制度,为提高设备完好率和设备运转率,缩短检修时间,节约维修费用,增强企业竞争力起了积极的推动作用.我厂维修制度的主要内容包括编制检修计划,确定检修类别、检修方法,工程竣工验收等4个方面.现就其具体内容简述如下.     

模糊线性时序逻辑的可实现性

模糊线性时序逻辑（fuzzy linear temporal logic）被应用于刻画模糊系统的规范语言,其可实现性（realizability）用于判断满足该时序逻辑公式的开放系统模型是否存在.模糊线性时序逻辑可实现性和系统合成（synthesis）的基本思想是：给定模糊线性时序逻辑公式,判断是否存在满足该公式的系统.如果存在,则构造满足该公式的最优系统.为了检验模糊线性时序逻辑的可实现性,首先引入模糊Büchi博弈的定义,作为检验模糊线性时序逻辑公式是否可实现的模型.其次通过归约的方法,研究模糊Büchi博弈的性质（最优无记忆策略存在性.最后验证模糊线性时序逻辑的可实现性并且给出其系统合成的过程,并说明它们的时间复杂度.     

超高压输电线路铁塔附近地面工频电场仿真分析

根据铁塔实际结构和导线抛物线方程,建立了铁塔附近三维电场计算模型.基于模拟电荷法分析了500 kV输电线路铁塔周围地面上的工频电场分布,分析了铁塔对其附近电场环境的影响,并讨论了影响电场计算结果的因素.研究结果表明:铁塔对其附近地面电场有一定屏蔽作用,电场强度在铁塔下方显著降低且在金属构架处产生畸变;铁塔的影响范围和铁塔高度及塔基尺寸有关;铁塔构架等效半径、线单元剖分段数以及铁塔不同简化模型都会影响计算结果.     

特高压双回直流架空线路电晕起始电压的计算分析

为研究特高压双回直流架空线路的电晕起始特性,本文考虑线路排列方式和绞线的实际结构,结合气体放电理论建立了特高压双回直流线路的起晕电压计算模型。根据正负极起晕的不同机理,在利用优化模拟电荷法对绞线表面空间电场求解的基础上,计算了各极子导线的起晕电压。分析并讨论了导线布置、温度与气压及绞线参数等因素对起晕电压的影响。计算结果表明：-+/-+排列方式时线路起晕电压值较高。另外,导线半径的增大、气压的升高、分裂数的增加都能显著提高起晕电压。导线对地高度、极间距、上下层导线高度及分裂间距也都会不同程度影响起晕电压。绞线绞入率逼近于0时,绞线起晕电压接近光滑导线的起晕电压。     

一种1.8 V 4.8 GHz 0.9 mW 0.18 μm CMOS分频器

给出了一个电源电压为1.8 V、功耗为0.9 mW的4.8 GHz二分频器。该分频器采用基于反转触发器(TFF)的电路结构,使用动态负载,输出I、Q两路正交信号。对设计的电路采用标准UMC 0.18μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,该分频器工作频率可达6.5 GHz。