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51.
一种可应用于板壳成形过程模拟的绝对-相对自由度壳单元 总被引:2,自引:1,他引:2
相对自由度壳单元是采用有限元法分析板壳成形过程的一种有效单元形式。它不仅可以解决采用实体单元模拟板壳成形过程所存在的问题 ,同时它与主从自由度壳单元相比还具有简单易用的特点。然而 ,目前尚未见到对该单元边界条件如何进行具体处理的方法的报道。作者的研究表明 ,该类单元应用于模拟薄壁件成形过程时尚不能直接采用置“1”法或置大数法处理其边界条件。为此 ,本文在该单元的基础上提出了一种绝对自由度和相对自由度相结合的壳单元。将该单元应用于薄壁管弯曲过程模拟的结果表明 ,它不仅继承了相对自由度壳单元的优势 ,而且可直接采用置“1”法或置大数法处理边界条件。 相似文献
52.
摩擦对叶片精锻预成形毛坯放置位置影响规律的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用自行开发的叶片锻造过程三维有限元模拟分析系统对不同预成形毛坯在不同摩擦条件下材料充填模腔的过程进行了模拟分析,获得了叶片精锻过程中摩擦对预成形毛坯在模具中放置位置的影响规律:当摩擦因数较小时,材料首先充满左侧型腔,此时,要获得合格叶片精锻件,需将预成形毛坯在模具中的放置位置向右移动,不同截面右移的距离大约是叶片该型面弦长的5%-10%。随着摩擦因数的增大,材料几乎同时充满模具左右侧型腔,说明在该条件下预成形毛坯在模具中的放置位置是比较合理的。该研究对叶片精锻工艺的优化设计具有重要的指导意义。 相似文献
53.
管材弯曲成形的国内外研究现状及发展趋势 总被引:19,自引:0,他引:19
总结了近年来国内外学者和工程技术人员从理论分析、实验研究、有限元数值模拟方面着手对管材弯曲成形开展的大量研究工作和取得的研究进展 ,包括管材弯曲过程中的起皱和破裂分析、横截面变形以及卸载后的回弹分析和预测等 ,并阐述了管材弯曲成形研究的发展趋势。 相似文献
54.
为扩展CSS-1110试验机数据采集系统软件的应用范围,用C语言进行软件开发,实现包括非单调的大塑性变形过程等各类试验数据的测试与处理。该软件在CSS-1110试验机上应用表明:运行稳定可靠,可缩短试验周期,提高效率,消除人为因素的影响,从而提高测试精度;与其它语言开发的采集系统相比,该软件的可扩展性和可移植性好。 相似文献
55.
锥辊辗轧实现的金属薄板带面内弯曲是一种具有广泛发展前途的金属塑性加工新技术。本文分析了这一成形过程的塑性变形机理,在此基础上建立了不均匀压下刚塑性硬化板带面内弯曲变形过程的的上限模型,并以 L F21 M 冷轧板为试验材料进行了实验研究。实验结果和数值模拟结果有助于掌握和利用这一先进的柔性加工工艺。 相似文献
56.
以钢厂副产的氧化铁红作为含铁原料,采用微波辅助熔盐法制备了SrFe12O19铁氧体,研究了Fe/Sr摩尔比和微波煅烧温度对样品的物相组成、微观结构及磁性能的影响。采用FullProf软件对样品的XRD数据进行了精修拟合分析,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌,用振动样品磁强计(VSM)对样品的磁性能进行了表征。结果表明,Fe/Sr摩尔比对样品的物相组成及样品的晶胞参数有重要影响,当Fe/Sr摩尔比为10.5时,样品获得了较好的磁性能。随着煅烧温度的增加,SrM相的厚度也随着增加,在1373.15 K下微波煅烧2 h, SrM相的厚度最大,此时样品矫顽力最大达到2.69×105 A/m,饱和磁化强度为63.04 A·m2/kg,而在1273.15 K制备的样品最大磁能积最大为9.47×103 J/m3。 相似文献
57.
采用高温固相法,掺杂不同质量分数的V2O5,在800℃煅烧2h合成了钒掺杂的含钛高炉渣催化剂(vanadium oxide modified titanium bearing blast furnace slag,VTBBFS)。用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见漫反射光谱仪对钒掺杂的含钛高炉渣催化剂进行了表征,确定其具有钙钛矿结构;粉体的颗粒形态均为不规则块状,800℃煅烧后出现了团聚现象;在紫外区域具有强光吸收能力,并发生红移。以白色念珠菌为实验菌种考察钒掺杂的含钛高炉渣催化剂抗真菌能力。结果表明,V2O5掺杂量为10%时,催化剂具有较强的抗白色念珠菌能力,在普通光照下杀菌率可达到100%。 相似文献
58.
59.
利用密度泛函理论框架下的第一性原理方法,对不同掺杂量、不同方式的Ni掺杂锐钛矿相TiO_2(anatase TiO_2:A-TiO_2)的晶胞结构、缺陷形成能和态密度图像等进行了研究,并着重讨论了掺杂Ni离子周围配位场改变对体系电子结构的影响.结果表明,掺杂方式的不同对Ni-TiO_2超晶胞的几何结构有较大影响.正是几何结构的变化导致掺杂Ni离子处于不同类型的晶体配位场之中,这是掺杂体系电子结构差异的本质原因.通过对掺杂体系形成能的比较,发现Ni掺杂TiO_2的具体方式取决于晶体生长过程中的氧环境.通过对体系电子结构的研究,发现各种掺杂体系的禁带中都出现由Ni 3d-O2p轨道杂化形成的杂质能级.Ni离子替代晶格Ti掺杂会使吸收光谱红移,而Ni的晶隙掺杂则使吸收光谱蓝移,且这种光谱吸收带边的差异会随掺杂浓度的增加而增大. 相似文献
60.