一种新型开关电源并联均流技术的研究

提出一种采用低通滤波器(RC积分器)加上比较器代替运放来产生电流误差信号, 是电路工作稳定的新型均流技术,详细分析电路工作原理和设计原则,并给出关键参数。     

直链淀粉-共轭亚油酸分子间复合特性的研究

为了研究直链淀粉与易被氧化的功能因子--共轭亚油酸(CLA)能否形成可作为CLA的抗氧化载运体系的复合物,研究了用二甲亚砜/水溶液法来制备直链淀粉-CLA复合物的最佳结晶温度.在80～105℃之间出现吸热峰的热分析图和在20.0°2θ角出现特征衍射峰的X-射线衍射图验证了直链淀粉-CLA复合物的形成;复合物的产率和复合率的测定结果显示制备复合物的最佳结晶温度是30℃;CLA在正己烷中的浓度与其紫外吸光度呈现的良好线性关系(R2=0.999 5)表明可以用紫外检测法来简便快速地比较直链淀粉-CLA复合物样品中的CLA含量.     

SrTiO_3:Pr~(3+),Na~+体系荧光粉的合成与性能研究

采用高温固相法在还原气氛下制备了SrTiO3:Pr3+,Na+荧光粉。用X射线衍射分析测定了SrTiO3:Pr3+,Na+荧光粉的晶体结构,具体研究了激活剂Pr3+和助熔剂H3BO3的掺杂量对SrTiO3:Pr3+,Na+体系发光性能的影响。结果表明,SrTiO3:Pr3+,Na+荧光粉属于立方晶型;在Pr3+掺杂0.6%(与SrTiO3的摩尔比)和助熔剂H3BO3掺杂3%(与SrTiO3的摩尔比)时,此荧光粉的发光性能最佳。讨论了不同电荷补偿剂对SrTiO3:Pr3+体系激发光谱和发射光谱的影响,结果表明,Na+离子是制备Sr-TiO:Pr3+体系荧光粉的最佳电荷补偿剂。     

La元素对MoSi2涂层的宽温域氧化行为影响

采用包渗法在稀土 La₂O₃ 掺杂钼合金基体上制备 MoSi₂ 涂层,并就 La 元素对 MoSi₂ 涂层宽温域氧化行为的影响机制进行了系统研究。 结果表明:钼镧合金基 MoSi2 涂层组织结构较为致密,主要物相为 MoSi₂ 相。 不同温度下 La 元素对 MoSi₂ 涂层的抗氧化性能的影响不同,1600 ℃高温静态氧化条件下,La 元素的存在促进了涂层与基体的化学反应,加剧了 MoSi₂ 抗氧化主体层的消耗速度,使得 MoSi₂ 涂层的高温抗氧化性能有所下降;800 ℃ 中温静态氧化条件下, La 元素对 MoSi₂ 涂层抗氧化性能影响不明显;500 ℃低温静态氧化条件下,La 元素的加入加速了涂层中 Si 元素的扩散, 使得涂层表面能较快形成一层致密的氧化层,“Pest”效应得到抑制,从而显著提升涂层的低温抗氧化性能。     

八公山腐乳酿制过程中毛霉和根霉的前期发酵比较研究

八公山腐乳前期发酵工艺对其总体风味具有重要影响,围绕腐乳酿制中常用的总状毛霉（Mucorracemosus）和米根霉（Rhizopus oryzae）开展工艺探索具有重要意义。在单因素试验的基础上,选取发酵时间、发酵温度和接种量为影响因子,以蛋白酶活力为评价指标,采用响应面法优化总状毛霉和米根霉发酵腐乳的前期发酵条件,比较最优条件下二者前期发酵分泌酶系和氨基酸。研究结果表明总状毛霉的前期发酵条件为：发酵时间60 h、发酵温度24 ℃、接种量1.0×105 CFU/mL,此时分泌产蛋白酶活力为42.79 μg/mL;米根霉的前期发酵条件为：发酵时间50 h、发酵温度32 ℃、接种量1.0×105 CFU/mL,此时分泌产蛋白酶活力为33.51 μg/mL。通过对二者前期发酵的情况比较分析可知：总状毛霉发酵前期产物中蛋白酶活力高于米根霉,而淀粉酶、糖化酶、脂肪酶活力低于米根霉。总状毛霉发酵产物的氨基酸总量高于米根霉,但其中呈味氨基酸和疏水氨基酸差别不大。两种菌的前期发酵互有优势,为协同作用提供了一定的理论依据。     

氧化-乙酰化复合变性淀粉的乳化性能

淀粉基乳化剂具有原料来源广泛、天然安全和产品配伍性能好的优点,在食品工业中具有较好的应用和发展前景。文中以玉米淀粉为原料,通过氧化和乙酰化双重变性,研究了变性淀粉的糊化和乳化特性。研究表明,深度氧化对乙酰化具有一定的抑制作用;当样品的变性剂添加量之比(乙酸酐/次氯酸钠)在1.33～2.67时,可获得羧基含量为0.26%并且乙酰基/羧基比值在1.64～3.03的氧化-乙酰化淀粉,该淀粉质量浓度为6%时糊黏度在273～295 mPa.s,具有较优的乳化性能。     

基于最小二乘拟合法的焊点形状检测

自动光学检查是利用图像处理算法进行电路板故障检测与定位的技术。电路板焊点形状不规则故障，涉及到焊点几何形状的测量。本文提出一种新颖的基于最小二乘拟合法的焊点形状检测算法，对焊点形状轮廓图像进行曲线拟合，确定焊点形状近似的理想圆参数，即圆心和半径，以及焊点形状与理想圆之间的偏差，实验证实了该算法的性能。     

气动雾化进样-MPT-AES法测定石油焦中的硅

用微波等离子体炬 (MPT)为激发光源 ,氩气为等离子体工作气体 ,用气动雾化进样 ,研究了微波等离子体炬原子发射光谱法 (MPT -AES)测定石油焦中硅的方法。详细考察了载气流量、工作气流量、氧屏蔽气流量、微波功率等实验参数对测定硅的影响 ,同时考察了共存元素对硅测定的影响。结果表明 :硅的检出限为 0 .0 40 μg/mL ,线性范围为 0 .2～ 6 μg/mL ,回收率在 95 .7%～ 10 3.8%之间 ,相对标准偏差 (n =6 ) <2 .9%。操作方法简便 ,自动化程度高 ,运转费用低 ,准确快速 ,是一种测定石油焦中硅的行之有效的分析方法     

高校环境噪声污染与控制

近年来随着我国经济的发展，各地区院校的发展进程也不断加快。与此同时，我国高校的噪声污染问题也越来越多，越来越严重，声级也越来越高。本文论述了高校噪声的主要危害、主要来源，并提出了控制高校噪声的具体方法。