N,N-TDD衍生物的合成

经过7步反应合成了两种N-(烷基)-TDD双取代衍生物配体NNEPTDD和NNEMPTDD,并对其进行了红外、核磁共振、质谱以及熔点等分析表征,结果表明合成的目标产物符合预期要求.     

氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能

制备了多个不同厚度金属钛膜吸附不同量^3H的氚钛片,利用这些源片辐照硅基半导体器件,测试并分析了它们的电学输出性能。结果表明,这些氚钛片辐照硅基半导体器件可以输出电流,但由于金属钛对氚源β射线的阻挡,器件输出电流和最大输出功率与钛膜中贮氚量不呈正比增长关系,小的钛膜厚度有利于提高β射线能量利用率。     

δ-Pu(111)表面CO吸附位的第一原理研究

采用密度泛函理论(DFT)结合周期模型方法研究了CO分子在δ-Pu(111)面的吸附行为。计算结果表明,CO/Pu(111)最稳定的吸附方式为C端hcp心式垂直吸附,其吸附能为-1.764 eV(自旋极化)和-1.791(无自旋极化)。fcc心式垂直吸附为次稳定吸附态,吸附能与hcp心式垂直吸附相差很小。CO与Pu配位数目是决定化学吸附的主要因素,配位的Pu原子数目越多,化学成键越稳定,两者间的相互作用主要源于CO分子杂化轨道和Pu原子杂化轨道的贡献。在较低温度下CO在Pu(111)表面倾向于以分子态吸附。     

小体积化学镀镍工艺

以尺寸不规则的Y1Cr18Ni9不锈钢片为基底,研究了在约2 mL镀液的条件下,化学镀镍工艺中主盐与还原剂浓度之比、pH、反应时间及反应温度对镀层沉积速率的影响.结果表明:当c(Ni2+):c(H2PO2-)=0.75:1,pH为6,温度为77℃,反应2 h的条件下,镀层沉积速率快,含镍量高于72%,且颗粒分布均匀、密实.     

基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化

传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合。以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15h,偶联处理48h,再在化学镀液中于90℃下施镀1h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137mg/(cm2.h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良。     

MSCT在孤立性肺结节的定性诊断

目的：探讨不同征象肺内孤立性结节的MSCT诊断。方法：选取分析了我院于2011年7月到2012年9月诊断及鉴别的96例肺内结节患者．并对该组患者的结节临床诊断及鉴别资料进行了回顾性分析．尤其进行了不同征象孤立性结节的CT图像分析。结果：肺内恶性结节MSCT诊断图像中，分叶征、血管集束征、空泡支气管征、短毛刺征、胸膜凹陷征五大类病症的出现几率分别为73．6％、52．4％、37．8％、64．9％、55．4％；肺内良性结节MSCT诊断图像中，该五大征象的出现率分别为26．4％、7．9％、11．8％、8．2％、24．9％。肺内恶性结节五大病症的出现率明显高于良性结节病症出现率，二者差异明显（P〈0．05）；而在良恶性支气管肺泡癌诊断比较中，两者不存在明显差异（P〉0．05）。统计数据中显示，肺内孤立性恶性结节的MSCT诊断中具有较高的敏感度（近80．9％）与特异性（81．2％），准确性高达82％以上。结论：肺内孤立性恶性结节的MSCT诊断鉴别准确率较高。     

氧原子在完美δ-Pu金属体相中扩散行为的密度泛函研究

采用密度泛函广义梯度近似方法计算O原子在δ-Pu金属体相中可能存在间隙位的结构和嵌入能。O原子稳定居于间隙位中心,使离其最近的一圈钚原子向外扩张。八面体间隙位最稳定,无自旋极化和自旋极化水平的嵌入能分别为-7.205 eV和-6.140 eV。四面体间隙位嵌入能相对稍大,是次稳定存在位置。通过不同扩散路径上的能量分析推测单个O原子在完美δ-Pu金属中的可能扩散路径。最可能扩散路径为相邻不同间隙位之间的交替扩散,八面体间隙到四面体间隙的扩散能垒为1.12 eV,而四面体间隙到八面体间隙的扩散能垒为2.72 eV。另外沿平行晶轴方向四面体间隙到四面体间隙交替直线扩散的能垒为6.40 eV,八面体间隙到八面体间隙交替扩散路径的势垒最高,大小为8.85 eV。     

美国Z—40风电机在辉腾锡勒风电厂常见故障和缺陷浅析

本文从Z－40风电机的液压系统，浆距控制和控制系统运行参数等方面入手，就Z－40风电机常见的几个故障和缺陷原因进行简单的分析。     

PN结型器件在氚钛片辐照下电输出性能

用多片具有不同金属钛膜厚度和充氚量的氚钛片对两种单晶硅基PN结型器件进行了辐照,在线测量了它们的电输出性能并进行了定性分析.结果表明,在本文所采用的钛膜厚度和氚量级下,器件输出短路电流等随充氚量增加而小幅增大,但不成正比关系;器件的掺杂浓度、结深等结构参数对器件电输出性能影响较大.