1 株产壳聚糖酶细菌的分离、鉴定和发酵条件优化

从烟台海岸带沙质土壤中分离筛选壳聚糖酶产生菌株,对其进行分类鉴定,优化其发酵条件,为酶法生产壳寡糖提供技术依据。通过透明圈法初步判断产酶能力,液体发酵复筛测定酶活力,筛选到酶活力达36.20 U/mL的菌株amyP216。通过菌体形态、菌落特征、生理生化及16S rDNA序列分析鉴定菌株amyP216为莫哈韦芽孢杆菌（Bacillus mojavensis）。通过单因素和正交试验确定最佳发酵条件为：胶体壳聚糖添加量20 g/L、酵母浸粉添加量12.5 g/L、吐温-80添加量1.0 g/L、初始发酵pH 6.0、发酵温度30 ℃。在最优条件下利用5 L自控发酵罐培养45 h壳聚糖酶活力可达到80.60 U/mL,较优化前（36.20 U/mL）提高了1.2 倍。莫哈韦芽孢杆菌amyP216是一株壳聚糖酶活力较高的生产菌株,具有潜在的研究和应用价值。     

脉冲激光沉积类金刚石膜和生物相容性

类金刚石膜具有很高的硬度、很小的摩擦系数、很高的化学稳定性和很好的生物相容性,在生物医学领域中具有巨大的应用价值。首先,论述了类金刚石薄膜的微观结构、物理化学特性和生物相容性以及它们之间的相互联系。总结了脉冲激光沉积类金刚石薄膜过程中实验参数对类金刚石薄膜的微观结构和特性的影响。为类金刚石薄膜的研究与生物医学应用提供一个参考。     

基于埋置式基板的3D-MCM封装结构的研制

研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片三维封装于一种由叠层模块所形成的立体封装结构中;通过封装表层的植球工艺形成与表面组装技术(SMT)兼容的BGA器件输出端子;利用不同熔点焊球实现了工艺兼容的封装体内各级BGA的垂直互连,形成r融合多种互连方式3D-MCM封装结构.埋置式基板的应用解决了BGA与引线键合芯片同面组装情况下芯片封装面高出焊球高度的关键问题.对封装结构的散热特性进行了数值模拟和测试,结果表明组件具有高的热机械可靠性.电学测试结果表明组件实现了电功能,从而满足了无线传感网小型化、高可靠性和低成本的设计要求.     

可视分析法在辣椒籽油提取工艺优化中的应用研究

研究旨在找出从辣椒籽中提取辣椒籽油的优化工艺区域。根据考察的工艺参数特点,选择3个影响因素,它们分别是时间(Tim)、物料比(Rsl)、温度(Tmp),实验指标是酸值(AV)和脂肪酸产率(Pr),采用均匀设计法设计该3因素10水平实验。采用VA(Visual Analysis)法分析实验影响因素与实验指标之间的关系,最终找出最佳的工艺范围。     

激光镇痛及其机理分析

总结了激光镇痛的一般方法，分析了激光镇痛的机理，指出在实施治疗过程中应注意的问题，重点研究了He－Ne激光和CO2激光在镇痛治疗中的应用，为临床应用提供了一定的参考．     

应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h,BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)×10-4Pa cc/s He;剪切力在9.0～13.4 MPa之间,达到了封装工艺要求;封装成品率达到100%.这表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法.还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.     

大宽高比混凝土独立扩展基础抗拔设计方法研究

对不同宽高比混凝土基础进行上拔试验,并运用有限元软件ABAQUS对不同宽高比混凝土独立扩展基础进行上拔数值模拟,通过将有限元分析结果与试验结果进行对比,验证了有限元方法的有效性。采用建立的数值模型进一步进行有限元分析,研究了宽高比、斜边坡度等因素对混凝土扩展基础截面承载性能的影响。在此基础上,基于有效宽度的概念,引入有效宽度修正系数k、坡度修正系数j来考虑宽高比与斜边坡度对等效内力臂系数的影响,并提出适用于基础抗拔计算的截面上部配筋计算公式。结果表明,基于有限元得出的修正系数与建议修正系数吻合度较高,误差在1%~3.4%之间,从而证明了提出的建议修正方法的合理性。     

一种硅埋置型微波多芯片组件封装的电性能

研究了一种基于体硅工艺和BCB厚膜布线技术的微波多芯片组件新封装结构,将特定组件中多个微波芯片埋置在接地金属化的硅腔体中,通过热压焊金凸点将芯片垂直引出,并于其上布置多层BCB/Au微波传输线,层问互连则连采用电镀金凸点为通柱.对封装中各微波信号通路的电学性能、封装环境对芯片电学功能的影响和可集成于封装中的Ku波段带通滤波器进行了模拟与优化研究.     

微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究

采用电镀的方法在制备了尺寸小于100 μm的Sn-3.0Ag凸点,研究了多次回流和时效过程下SnAg/Cu界面IMC的生长、孔洞的生长机理和分布以及影响因素.结果表明,回流过程中孔洞彤成的主要原因是相变过程发生的体积缩减,而时效过程中孔洞形成的主要原因是柯肯达尔效应.时效过程中Cu3Sn(ε相)中孔洞的生长及分布受初始形成的Cu6Sn5(η相)影响.厚η相及η晶界处形成的孔洞促进ε相中孔洞的生长.平直的ε相/Cu界面以及ε相层内孔洞的连接对凸点的长期可靠性构成威胁.