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941.
Ta/Ta0.5Hf0.5C层状复合材料是一种极具潜力的耐超高温结构材料,但抗热冲击性能鲜有报道。本文设计以超高温等离子火焰对复合材料进行了脉冲考核,测试了材料考核过程中的温升数据及考核前后的微观组织和宏观形貌变化。在此基础上,利用有限元软件模拟了材料考核过程中的热应力分布,并指导开展了应力循环加载试验,分析了材料的抗热冲击机制。结果表明,复合材料经等离子火焰脉冲考核120次无裂纹生成。考核过程中,复合材料内部最大热应力数值约为207 MPa。复合材料自身的高强度和优异的抵御裂纹扩展能力是其优异抗热冲击性能的主要原因,其经210 MPa应力循环加载120次后,强度和韧性保留率分别高达70.1%和73.9%。 相似文献
942.
采用电子束蒸发方法在透明导电玻璃FTO上沉积Ti金属薄膜,室温条件下在C2H6O2+NH4F中通过恒压阳极氧化法制备出超长TiO2纳米管阵列/FTO电极,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM),X光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)及光谱分析等方法对纳米管阵列/FTO电极进行了表征.研究表明,制备出的TiO2纳米管阵列内径43nm,管长5.4μm,经退火处理后得到长度为5μm锐钛矿相TiO2纳米管阵列/FTO透明电极,在可见光波长段的透射率为45%,在400nm波长处有一明显吸收峰. 相似文献
943.
采用混酸和二甲亚砜对碳纳米管进行官能化修饰,实验发现经化学修饰后对多壁碳纳米管膜的电学性质有明显影响。经化学修饰后的碳纳米管膜电阻由结电阻和管电阻组成,未经化学修饰的碳纳米管膜电阻主要由碳纳米管管电阻决定。碳纳米管经化学修饰后,碳纳米管结增多,碳纳米管管电阻降低而碳纳米管结电阻增大。未经修饰的碳纳米管膜电阻随着温度的升高而略有增大,呈金属性;经混酸修饰的碳纳米管膜电阻随着温度的升高而减小,呈半导体性。 相似文献
944.
945.
以炭纤维无维布与网胎叠层针刺而成的整体毡为预制体,采用化学气相渗透法制备C/C复合材料,利用MM-1000型惯性试验台研究该材料在干态和CD 15W-40柴油机油润滑状态下的室温摩擦磨损性能,并采用扫描电镜(SEM)、偏光显微镜以及三维显微镜观察分析该材料的结构形貌、摩擦表面形貌和磨屑形貌.结果表明:C/C复合材料在干... 相似文献
946.
SiC含量对C/C-SiC摩擦材料摩擦磨损性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以整体碳毡为预制体,经化学气相渗透法制得C/C多孔坯体,然后采用反应熔融浸渗法制得C/C-SiC摩擦材料,探究SiC含量对C/C-SiC摩擦材料摩擦磨损性能的影响。结果表明:C/C-SiC试样的摩擦因数随着SiC含量的增加呈现先上升后下降的趋势,当SiC含量为29.88%时摩擦因数达到最大值0.62。当SiC含量低于33.56%时磨损率的变化规律与摩擦因数比较一致,当SiC含量高于33.56%时磨损率的变化规律与摩擦因数则呈相反的变化趋势。因此,SiC含量为33.56%时是该摩擦材料摩擦磨损性能的拐点。 相似文献
947.
在某一软土地基历史建筑保护区域,为顺利地实施综合管廊建设工程,防止周边历史建筑的地基坍塌失稳,工程施工采用了控制管廊主体截面尺寸、换填淤泥层以及实施基坑支护等措施,设计出宽4.9 m、高2.4 m的综合管廊断面;同时管廊基底下换填1.5 m厚级配碎石,并采用高压旋喷的基坑护坡桩,进行管廊地基加固和边坡支护.工程地面沉降... 相似文献
948.
微电子行业中,一般使用引线键合工艺完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接。在引线键合工艺前,需要先把芯片焊接在器件上,但是,芯片焊接(Die Bond,DB)工艺中使用的高温烘烤制程容易使镀层质量劣化,导致引线键合质量下降。尤其是,基于成本需求,业界近年来倾向于把金层厚度从常用的1μm~1.25μm调薄至0.3μm~0.5μm,但是,在实践中发现,镀金层减薄后更容易由于高温烘烤导致引线键合失效,此问题对器件封装良率造成了严重影响。本文中,作者研究并说明了高温烘烤后引线键合质量下降的原因,并给出了解决方案。 相似文献
949.