Langmuir Probe Measurements of an Expanding Argon Plasma

In this work,we studied the effects of the discharge current,gas flow rate and vessel pressure on the electron temperature and density of Ar plasma by Langmuir probe measurement.The argon plasma was created by a one-cathode arc source.The experimental results show that with increasing discharge current and gas flow rate,the electron temperature and density increase.It is found that when the discharge current is 70 A,90 A and HO A at an argon flow rate of2000 seem,the electron densities at about 0.186 m distance from the nozzle are 13.00×10~(18) m~(-3),14.04×10~(18) m~(-3) and 15.62×10~(18) m~(-3),and the electron temperatures are 0.38 eV,0.58 eV and0.71 eV,respectively.The positive I-V characteristic is explained.     

B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷材料

采用钽镁共沉淀法制备ＭｇＴａ２Ｏ６粉体,然后与ＢａＣＯ粉体混合制备Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（简称ＢＭＴ）微波陶瓷材料,成功地解决了ＴａＣｌ３溶解问题。对钽镁共沉条件和粉体热分解工艺与粉体的平均粒径和钽镁比例关系;ＢＭＴ陶瓷制备工艺与材料的微观结构和微波性能关系进行了研究,制备的ＭｇＴａ２Ｏ６晶相粉体平均粒径为０．３μｍ,最大与最小粒径比为５。制备的ＢＭＴ陶瓷的几乎不含ＢａＴａ２Ｏ６等杂相,     

低能He+、Ar+、Xe+轰击SiC的蒙特卡诺模拟

应用蒙特卡诺程序SRIM对He 、Ar 、Xe 轰击SiC的微观过程进行了模拟.对不同能量(100～500eV)以及不同角度(0～85°)下He 、Ar 、Xe 轰击SiC引起的溅射率、溅射原子分布、溅射原子能量以及入射离子在SiC中的分布情况进行了分析比较.结果表明对于原子量较小的He 入射SiC所引起的溅射主要是由进入表面之下的背散射离子产生的碰撞级联造成的,溅射原子具有较高的能量;对于原子量较大的Ar 、Xe 入射所引起的溅射主要是由进入SiC内部的离子直接产生的碰撞级联产生,溅射原子的能量相对较低.随着离子入射角度的逐渐增加,SiC的溅射率逐渐增加,在70°左右达到溅射峰值,随着入射角度的继续增加,入射离子的背散射不能使碰撞级联充分扩大,反冲原子的生成效率急剧降低,导致溅射率开始急剧下降.     

低能入射Si与Si（001）2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟

利用Tersoff势函数，对300K时初始入射动能为0．03eV的单个si原子从6个不同位置轰击Si（001）2×1重构表面的动力学过程进行了模拟．分析了入射si原子的动能变化、势能变化以及其运动轨迹．结果表明：入射原子与表面原子相互作用几个皮秒后即可进入稳定位置，其与基底原子的结合能最大可以达到2．99eV；从位置1，2，3，4入射的原子不能使基底表面的二聚体键断开，而从位置5和位置6入射时，表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成．