降低生产成本提高矿山经济效益

结合新桥硫铁矿一期坑采60万t/a生产中存在的采矿成本高,一期延深工程需要进一步优化技术方案等问题,提出了如何通过加强技术管理降低生产成本,提高矿产资源综合利用的措施.     

全压强范围内等边三角形截面管道的流导计算

利用文献[1]提出的分层流动模型流导计算理论，对等边三角形截面管道的流导进行计算，得到了在全压强范围内适用的流导计算公式。     

增设回流管提高打浆质量

附图是我厂~#6纸机生产纸袋纸改后的打浆生产工艺流程。打浆设备分别是由3台锥形磨浆机和2台(?)450双圆盘磨组成,串联打浆。过去打浆系统经常出现“纤维跑粗”,即纤维经过打浆设备,而实际上纤维并没有分丝,帚化,搓揉等,尤其在停机、开机时较为严重,给成纸的质量带来了很大影响。     

Fe掺杂SnO_2稀磁半导体超精细场的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论线性缀加平面波方法的WIEN2k程序,计算Fe掺杂SnO2稀磁半导体的电子结构和磁性,计算中性电荷态Fe0和电荷受主态Fe1-或Fe2-。结果表明,Fe掺杂SnO2的基态都是铁磁态,O空位更容易出现在Fe原子周围。中性电荷态Fe0磁矩较小,Fe1-或Fe2-态磁矩变大,并且计算的磁超精细场和磁矩与穆斯堡尔谱测量结果相符合。电子结构分析表明,掺杂Fe-3d轨道与氧八面体O-2p轨道相互作用,造成3d轨道能级分裂。不同电荷态下,能级分裂的程度不同,从而影响电子填充3d轨道的模式。3d轨道中未成对电子数增加,处于高自旋态的Fe原子是产生巨磁矩的原因。     

复杂地质条件下综采设备快速安装技术优化研究

以平煤股份一矿戊10-31040工作面为工程背景,从切眼支护优化设计、综采设备安装工艺改进和安装工序优化三方面入手,对复合顶板条件下的综采设备快速安装技术进行研究,得出了一套可行的快速安装技术,提高了安装效率。     

Variation of Radiation Damage with Irradiation Temperature and Dose in CLAM Steel

The dependences of radiation induced defects on irradiation temperature up to 700℃ at 15 dpa and on irradiation dose up to 85 dpa at room temperature have been inves-tigated by the heavy ion irradiation and the positron annihilation lifetime spectroscopy for the CLAM.A void size peak is observed at ～500℃ where the vacancy cluster contains 9 vacancies and has an average diameter of 0.59 nm.The size of the vacancy clusters increases with the increase of irradiation dose at room temperature,and the vacancy cluster at 85 dpa consists of 9 vacancies and reaches a size of 0.60 nm in diameter.The absolute values of the void size at the peak and the increase of void size with dose in the CLAM steel are negligible compared to those of the normal stainless steels,indicating that the CLAM steel has good radiation resistant property.     

单源热蒸发制备有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜及其性能表征

采用全真空单源热蒸发沉积技术直接制备钙钛矿太阳电池用有机无机杂化CH₃NH₃PbI₃薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和分光光度计对制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜微结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征分析, 并与非真空旋涂法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜性能进行比较。结果表明: 单源热蒸发法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜呈现单一的钙钛矿四方晶体结构, 且与蒸发源材料的晶体结构同源性高, 没有出现杂质相偏析; 对比旋涂法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜表面均匀致密平整, 且薄膜结晶度更高; 单源热蒸发法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜禁带宽度为1.57 eV, 符合钙钛矿太阳电池吸收层光学性能要求。     

工艺参数对离子束溅射ZnO∶Al薄膜结构与性能的影响

以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌矿结构且c轴择优取向;AZO薄膜的结晶质量和性能对基底温度有较强的依赖性,只有在适当的基底温度下,可改善结晶程度且利于颗粒的生长,呈现较低的电阻率;不同厚度的AZO薄膜均出现较强的ZnO(002)特征衍射峰且随着厚度的增加,ZnO(110)峰强度不断加强,相应晶粒尺寸变大,但缺陷也随之增多;同时得出利用离子束溅射方法制备AZO薄膜的最佳工艺为:等离子体能量为1.3 keV、基底温度200℃和沉积厚度为420 nm,该参数下制备的薄膜结晶程度较高、生长的颗粒较大,相应薄膜的电阻率较低且薄膜透射率在可见光区均达到80%以上。