无包套热等静压对于重合金90W-7Ni-3Fe机械性能和断裂模式的影响

本文考察了无包套热等静压对于合金90W-7Ni-3Fe机械性能的影响以及断裂模式和机械性能之间的关系。亚固相线热等静压使具有低延伸率(<10%)烧结试样的延性显著改善(为原来的3倍)。对于具有延伸率20~25%的烧结试样,则可以在一定程度上予以改善(为原来的1.3~1.4倍)。本文探讨了热等静压对于重合金作用的机制。机械性能的改进主要归因于氢含量的降低和基体-钨晶粒间界结合强度的提高,这是通过与氩热处理以及真空热处理的对比而确定的。     

低温燃烧合成掺杂纳米TiO2的光吸收和光催化性能

以TiCl4为前驱体,采用低温燃烧合成工艺制备了同时掺杂Zn2+、Fe3+、Ce4+的纳米TiO2粉体,用紫外-可见光漫反射光谱表征粉体的光吸收特性,以亚甲基蓝为目标污染物研究了粉体在可见光辐射下的光催化活性;详细研究了Fe/Ce(mol)、(Fe+Ce)/Ti(mol)、柠檬酸/Ti(mol)、煅烧温度、煅烧时间等对产物光吸收带隙的影响.结果表明,通过改变合成条件可实现对掺杂二氧化钛粉体光吸收带隙的有效调制,最大红移使光吸收波长拓展至494 nm;光吸收带隙与光催化活性并没有直接的对应关系,只有适当的带隙宽度和带隙结构才具有较好的光催化活性.     

纳米散射中心对P型Si80Ge20合金热电性能的影响

理论模型表明,通过向SiGe合金中掺杂惰性纳米相-声子散射中心可以减小材料的热导率进而可以达到提高材料热电优值的目的.为了验证该结论的正确性,通过超声分散的方式将纳米相的C60及BN散射中心加入到P型Si80Ge20合金中,后采用热等静压的方式制备了P型Si80Ge20热电合金块体材料.实验结果表明,通过掺杂惰性纳米相-声子散射中心可以显著地降低材料的热导率而对材料的电导率及Seebeck系数影响不大,其最终结果可以达到提高材料的热电优值的目的,但提高的幅度较传输模型预测的小.     

氨解法制备的Ti(C、N)粉末及其性能

介绍了氨解法制备Ti（C、N）的合成过程。论述了热解温度及热解气氛对Ti（C、N）粉末的组成、比表面积和粒度等性能的影响，并对制得的Ti（C、N）粉末的特性进行了研究。     

强流脉冲离子束作用下超细晶钨的抗瞬态热负荷性能评价(英文)

采用高能球磨和放电等离子体烧结技术制备纯钨、氧化物弥散强化钨和碳化物弥散强化钨。为了评价钨在瞬态热冲击下的性能,采用强流脉冲离子束,在热流密度高达160MW/(m2·s-1/2)的条件下对4种不同晶粒尺寸的钨进行抗热冲击试验。与商品钨相比,弥散强化钨在瞬态高热流作用下显现出不同的行为。氧化物弥散强化钨显现出较差的抗热冲击性能,这主要是由于低熔点的第二相Ti和Y2O3的引入,从而使得钨的表面发生熔融、起泡和开裂。而碳化物弥散强化钨合金则显现出较好的抗热冲击性能。     

钛酸钡粉体制备方法研究进展

钛酸钡因其具有优越的介电性能而被广泛应用于多层陶瓷电容器、热敏电阻、光电器件等电子元件。本文综述了钛酸钡粉体制备的各种方法 ,认为液相法制备的粉体因具有纯度高、成分均匀、粒径小等特点而成为制备粉体主要方法 ,其中溶胶 -凝胶自燃合成法工艺简单、粉体自净化、易于规模化生产 ,水热合成法所得粉体不团聚、粒度较均匀 ,是两种极具发展前景的制粉方法     

前驱体法制备B4C-TiB2复相陶瓷及其性能研究

以B4C粉、钛酸四丁酯为主要原料，通过烧结过程中的原位反应，在2100℃热压烧结制备了B4C—TiB2复相陶瓷。分别采用XRD和SEM分析了其物相组成和显微结构，并测试了其致密度和力学性能。结果表明，在B4C基体中生成了弥散分布的超细TiB2颗粒，TiB2的引入使样品的致密度提高。添加2vol％TiB2的样品的硬度、抗弯强度、弹性模量和断裂韧性分别达到了31GPa、586．6MPa、4087GPA和7.61MPa.m^1/2，比相同条件下制备的碳化硼单相陶瓷均有提高。     

溶胶-凝胶法低温自燃合成BaCe_(0.9)Nd_(0.1)O_(3-δ)粉体

采用低温燃烧合成工艺合成了BaCe0.9Nd0.1O3-δ固体电解质。研究发现,初始溶液中柠檬酸和硝酸铵的比率对自燃反应的燃烧焓以及凝胶的分解温度有着重要影响。利用TG-DSC,XRD,TEM和BET对制备的粉体表征。实验结果表明,在800℃得到的粉体平均粒径为40～50nm左右。在900℃基本形成钙钛矿相,比传统固相反应法要低700℃以上。     

燃烧法合成高纯β-SiC超细粉的工艺参数

以硅粉、碳黑、活性炭为原料,以聚四氟乙烯为添加剂,在氮气中分别用直接燃烧合成和预热燃烧合成工艺制备了高纯β-SiC微粉.用扫描电镜测得产物呈等轴球形,平均粒径为100 nm.添加剂聚四氟乙烯的质量分数(下同)为5%以上时,均可以直接点燃合成高纯度亚微米级的β-SiC,2%的添加剂就可以使理论预热温度由1 023 K降到673 K,降低了成本.另外,以活性炭代替碳黑为原料,对比了硅和碳的摩尔比为1:1和1:1.25的2个配方对产物物相的影响,说明用足够纯净的活性炭为原料代替碳黑制备β-SiC是可行的.将预热法、氮气助燃法以及化学活化法成功的进行了结合,布料方式由以往的压块改为直接粉状布料,且在60L燃烧合成反应器中单炉装料1 kg条件下,合成了高纯度的户sic粉体,适应了中试生产的需要.