等离子体改性纤维布在水泥砂浆中的应用研究

应用大气下介质阻挡放电等离子体处理铺展在水泥砂浆内的纤维布，研究处理后的纤维布对砂浆抗压和抗冲击性能的影响。结果表明，在砂浆中加入等离子体处理的纤维布，其抗压和抗冲击性能比加未处理纤维布的试样分别提高了7％和108．3％。     

激光印字机直接印版的研制及应用

在本文中将报告一种新研制的可用激光印字机直接制版的胶印版材的性能及应用。     

Spectral Measurement of Atmospheric Pressure Plasma by Means of Digital camera

A digital camera measuring system has been used sucessfully to measure the space fluctuation behaviors of Induced Dielectric Barrier Discharge (IDBD) plasma at atmospheric pressure.The experimental results showed that:(1) The uniformity of elctron Temperature of space depends on discharge condition and structure of web electrode,For a certain web electrode the higher the discharge volgage is ,the more uniform distribution of electron temperature in space will be.For a certain discharge the finer and denser the holes on web electrode are,the more uniform distribution of electron temperature in space will be(2).Digital camera is an available equipment to measure some behaviors of the plasma working at atmospheric pressure.     

利用等离子体技术去除旧PS版表面感光层和油墨

报告了利用等离子化学方法除去旧PS版表面感光层和油墨的原理和实验结果。结果表明:利用这种方法完全可以去除表面涂层,去除后的版基表面除保留了原有砂目外,表面自由能增加,对感光材料吸着力增大。用这种再生版基所作的涂布和晒版结果表明,涂料附着牢固,图象清晰。这种方法有望为旧PS版再生提供一种有效快速无污染的新途径。     

大气等离子体枪制备类金刚石薄膜

大气下,采用DBD等离子体枪为等离子体聚合装置,以甲烷为单体,氩气为工作气体,在载玻片和单晶硅片上沉积类金刚石薄膜(DLC).考察了基片预处理、内电极形状、进气方式、以及等离子体炬喷口和基材的距离对DLC薄膜沉积的影响.通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析聚合膜结构并探索可能的沉积机理;表面轮廓仪测定了成膜速率;并对薄膜进行了机械性能测量.     

四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜

采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能内在因素.     

高气压脉冲DBD等离子体聚合羧基功能薄膜的研究

在40kHz脉冲介质阻挡放电（DBD）产生等离子体，以丙烯酸为单体，在2000Pa的高气压下，聚合带羧基的功能薄膜。采用接触角测试仪（WCA）、傅里叶红外光谱仪（FTIR）、X光电子能谱（XPS）研究了占空比对沉积薄膜化学结构、表面性能的影响。实验得到，中频脉冲DBD放电在高气压下制备的薄膜官能团含量较高；结果同时表明薄膜的性能受脉冲放电占空比的影响较大，占空比越小，薄膜的化学结构与单体更相近，官能团密度越多，但薄膜的稳定性较差。     

射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)制备Si-O-N特种阻隔包装材料的研究

采用13.56MHz射频等离子体聚合装置,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四甲基硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气以及氮气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上沉积硅氧氮薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电工作压强、放电功率、沉积时间和氧气、氮气、氩气和单体的比例等,研究所制备硅氧氮薄膜的性能.通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)表征分析沉积膜的化学组成;采用透湿、透氧测试仪测试薄膜的阻隔性能,探讨工艺参数的变化对薄膜表面的成分和阻隔性能影响以及氮的加入对薄膜柔韧性的影响.     

纳米高阻隔SiOx薄膜的等离子体制备

我国的阻隔包装薄膜采用多层共挤复合薄膜来达到对包装物基本的阻隔性能要求.为了达到包装材料更高的阻隔性,简化工艺并降低生产成本,采用潘宁放电等离子体增强化学气相沉积技术(PDPs),以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体沉积氧化硅薄膜.研究了不同放电参数,如气体的工作压强、放电功率、沉积时间和氧气和单体的比例等,对二氧化硅薄膜的阻隔性能影响.采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)和透湿、透氧测试仪分析了沉积膜的化学结构成分、测试薄膜的阻隔性能,得出如下结论:沉积的薄膜主要成分为氧化硅,透氧率和透湿率分别从135cc/m2/day,24.5g/m2·24h降至约1.7cc/m2/day,1.5g/m2·24h,达到国外先进水平.