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MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流造成了明显的漏电流。为了降低漏电流,二氧化硅导入高浓度的氮如脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅受到高度重视。然而,脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅的一项顾虑是pMOSFET负偏压温度的失稳性。在此研究里测量了脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET负偏压温度失稳性,并且和传统的二氧化硅闸电极比较,厚度1.5nm的脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET和厚度1.3nm的二氧化硅pMOSFET经过125℃和10.7MVcm的电场1h的应力下比较阈值电压,结果显示脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET在负偏压温度应力下性能较差。在15%阈值电压改变的标准下,延长10年的寿命,其最大工作电压是1.16V,可以符合90nm工艺1V特操作电压的安全范围内。 相似文献
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通过多年从事投资者关系管理工作的实践与观察,得出做好投资者关系管理工作是公司价值发现的关键环节,并归纳总结出了几条做好投资者关系管理的基本方法,力求对其他上市公司做好此项工作有所借鉴。 相似文献
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用折光指数法测定锦纶6萃取工段萃取水中的单体含量 总被引:1,自引:0,他引:1
根据己内酰胺(锦纶6的本)在水中含量不同其光学性质不同的特点,采用阿贝的射仪进行锦纶6萃取水中单体含量的测定。地较稀释后的氧化还原法,手续简单,无毒无味,测定时间短,准确可靠。 相似文献
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一、小流量Qmin的把握规程要求首次检定须在Qmax、0.4Qmax、0.1Qmax下各检定3次,随后检定须在Qmax、0.2Qmax下各检定3次。Qmax下的检定只需把油枪板扣卡在最大处即可(此时油量最大),那么,对于0.4Qmax、0.1Qmax、0.2Qmax下的检定,该怎样把握呢?用100L二等量器在Qmax下检定时,用秒表测得注油时间为t秒,则Qmax=100/t(L/s)。用20L二等量器在0.2Qmax下检定时,它的注油时间t′=20/0.2Qmax=20〔/0.2×(100/t)〕=t(s)。简言之,用20L二等量器检定时,只要把握好注油时间,使它等于用100L二等量器在Qmax下检定时的注油时间,则此时的流量就是0.2… 相似文献
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镁铝质、铝镁质、镁碳质耐火材料采用HCl直接分解样,用EDTA标准溶液直接滴定,以消耗EDTA标准溶液的量求得MgO的百分含量。此方法简便、稳定、快速。完全可以对生产过程进行及时监控和指导。 相似文献
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主要讨论如何利用美国的商标制度,通过合法的途径来加强我国出口商品商标在美的保护,以防范他人侵权,并在确定他方侵犯时,我方应如何正确处理. 相似文献