掺La的PbTiO_3压电陶瓷中Pb空位的正电子湮灭研究

在ABO_3钙钛矿型结构的压电陶瓷中掺入不同化合价的杂质离子会产生组分缺陷,这对材料机电性能有重要影响。Tsuda等研究了掺Gd的BaTiO_3的正电子寿命谱,证明了正电子对掺Gd所造成的Ba空位是敏感的。笔者曾用PAT对掺Bi的Pb(Zr_(0.55)Ti_(0.45)O_3作了研究,发现正电子捕获率K随掺Bi量增大有减小的趋势,这可能是因为Bi大部分进入B位的缘故。为了证实正电子对Pb空位的敏感性,以便评价PAT作为一种研究Pb空位等陶瓷微观缺陷的手段的意义,本工作改换了La作为掺杂剂,因为La的离子半径较大,一般     

用正电子湮没和超声衰减方法研究金属疲劳

用正电子湮没寿命方法和超声衰减方法对金属铝合金和钢疲劳样品进行了测量。结果表明,在疲劳加载次数较小时,正电子参数将随着疲劳加载次数的增加而增加;但当疲劳加载次数足够大时,金属样品内部发生了结构的变化,如空位之间发生合并而形成空位团,位错之间发生命并、缠绕,这些结构的变化导致正电子平均寿命到在最大值后下降。在用超声方法对金属疲劳样品进行测量时,观察到衰减常数有类似的变化趋势。     

用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率

用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料的迁移率，讨论了正电子有效质量，杂质浓度和温度对正电子迁移率的影响。     

聚对苯二甲酸乙二酯的玻璃化转变和结晶化的正电子湮没研究

薄片状的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)样品由化学研究所的关家玉同志提供,密度为1.337g/cm~3,试样结晶度很小,几乎是非晶态的。将样品和源一起放入控温样品室内,在不同温度下测样品的正电子湮没寿命谱。     

氢在中子辐照硅单晶中的特性

我们采用样品熔融-气体色谱分析方法测得氢气氛区熔的硅单硅中含氢量为1—1.5×10~(17)cm~3,将这种硅单晶放在反应堆内辐照到2×10~(17)n/cm~2的中子剂量,然后作等时和等温退火,测量电阻率、正电子湮没寿命谱。     

聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/梯形聚苯基硅倍半氧烷(PPSQ)原位共混体系的正电子湮没行为

聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）／梯形聚苯基硅倍半氧烷（PPSQ）原位共混物室温下的o-Ps寿命及强度随PPSQ含量变化的关系表明，该共混物中两种聚合物分子间存在一定程度的相互作用。通过研究具有3种不同配比的PMMA／PPSQ（95／5，90／10，80／20）原位共混物在20－150℃范围内的正电子湮没寿命温度谱，可观察到该共混试样的两种结构转变，在M5（PPSQ含量为5％）中两聚合物间的相容性较好，相互作用较强，故其Tβ较高，M5及M20的Tg相近，这说明当PPSQ的含量较大（＞5％）时，该共混物中出现分相，通过分析PMMQ／PPSQ原位共混物的自由体积空穴尺寸及总自由体积分数随温度变化的规律可知；在3种共混试样中，M10的自由体积空穴尺寸及自由体积分数最大，故其Tg最低。     

热空气老化的顺丁硫化胶中的正电子湮没

本文研究了以陶土作填充剂的顺丁硫化胶(BR)在热空气中老化后的正电子湮没寿命谱特性。正电子寿命谱用POSITRONFIT程序进行三寿命自由拟合分析。实验结果如表所示。     

用正电子寿命方法研究钢中氢损伤

氢损伤是目前材料科学中的一个重大课题,一般认为氢会造成氢脆、发裂、白点等缺陷。在氢损伤机制的研究中,搞清固溶氢以什么形态存在及固溶氢是否会导致钢的晶体缺陷是很有意义的。 正电子湮灭技术可以灵敏地反映材料中晶体缺陷的变化,而且正电子和氢离子具有相同的电荷,从电学性质上可以模拟氢离子,因此正电子湮灭技术可望成为研究氢损伤现象的有力工具。     

POSITRON ANNIHILATION IN Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18) GLASS

<正> 实验用非晶态Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)合金系液态合金急冷法制得的薄带。将该合金在550℃,0.5h退火制得晶态样品。两种样品都经X射线衍射验证。 用滴在厚1.2μm镍箔上的~(22)Na作为正电子源,用多层合金样品迭合后再和源成夹层排列。应用快-快符合寿命谱仪,时间分辨率(FWHM)为290ps,在+138℃到-174℃温度区间测量正电子湮没寿命谱。每个寿命谱的累计计数为10~6。应用计算机程序POSITRONFIT处理寿命