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本文介绍了EPA功能块基本模型及功能块定义并主要描述了PID功能块在单片机上的设计方案及PID功能块过程控制算法的具体实现,并通过组态软件验证了PID的过程控制算法及抗干扰的功能. 相似文献
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郝锐 《硫磷设计与粉体工程》2005,(5):7-10
随着能源价格的上涨,现代硫酸装置作为热电站的角色越来越重要,为了能最大限度地节约能源,在硫酸装置的酸循环系统开发了一个热回收系统(HEROS),重点放在操作的方便性和很高的安全标准。HEROS的核心是一个在中间吸收塔上游并配有安装专用酸循环系统的文丘里吸收器,该系统产生的热量被传递到一套特别设计的锅炉的低压蒸汽系统中,材质的耐酸性可对操作参数进行比较灵活的控制,设计允许在中间吸收塔全部运行时关闭HEROS,该原理也可实现在老硫酸装置中对系统进行改造。 相似文献
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面向21世纪的重质油和渣油改质技术 总被引:4,自引:0,他引:4
面向21世纪的重质油和渣油改质技术郝锐*钱伯章(上海高桥石化公司炼油厂,上海200137)HaoRuiandQianBozhang(RefineryofShanghaiGaoqiaoPetrochemicalCorporation,Shanghai2... 相似文献
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化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing,CMP)工艺已运用于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)中,并逐渐成为研制高品质微纳器件不可或缺的一道关键技术。区域压力调整、抛光终点检测等技术已经引入到CMP工艺,确保片内不均匀性(Within-wafer Nonuniformity,WIWNU)小于5%,同时有效减小"蝶形"和"腐蚀"等抛光缺陷。CMP在MEMS领域中的运用工艺过程更为复杂,抛光对象更为多元,表面质量要求更高。结合硅、介质层、石英、锗、铂和聚合物等自行开发的CMP工艺以及抛光后清洗处理,详细讨论和阐述CMP工艺如何运用于MEMS领域。实验结果表明,采用CMP工艺,结合抛光液改进和兆声清洗,不仅可以实现薄膜的全局平坦化,而且可以获得高品质的超薄基底、无损的硬质应变薄膜和用于低温直接键合的表面粗糙度小于0.5nm键合表面。CMP技术是研制高品质的可应用于MEMS器件的基底和薄膜的有效手段。 相似文献
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InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降.由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响.论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响.研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率.论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性. 相似文献