深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍     

悬臂梁微尖端器件的制备与应用研究进展

随着扫描隧道显微镜(SPM)家族的成熟,悬臂梁微尖端MEMS器件的广泛应用前景也逐渐清晰.对悬臂梁微尖端MEMS器件的种类、微尖端制作方法以及现今的研究应用方向进行了论述,最后指出了悬臂梁微尖端MEMS器件向着大规模阵列化发展的方向.     

用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究

用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅.     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析

X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10.19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。     

二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计

针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路结构实现探测器输出信号的低噪声低失调放大,采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响,并采用片内电容采样保持,使得I/O引脚数较少,从而减小版图面积。采用spectre工具进行仿真,在CSMC 0.5 m 2P3M CMOS工艺下实现。结果表明:读出电路性能良好,闭环增益为65.8 dB,等效输入噪声谱密度为450 nV/Hz,等效输入失调电压100 V以内,功耗为5 mW,能实现探测器信号的准确读出。     

一种复合式MEMS皮拉尼真空计的设计

微电子机械系统(MEMS)皮拉尼真空计可广泛用于芯片封装和设备测试等领域.量程是MEMS皮拉尼真空计的重要性能指标之一.设计了一种复合式MEMS皮拉尼真空计,通过将具有不同测量范围的两款器件串联复合在同一芯片上,实现量程的扩展.以二极管型皮拉尼真空计为例设计了器件结构,优化了尺寸参数,并给出了兼容CMOS工艺的制造方案...     

二极管原理非制冷红外焦平面阵列的集成设计

面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展.焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点.基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺实现大规模阵列集成方面有很大的优势.读出电路是基于标准CMOS工艺进行设计的.320×2...     

RTDS在发电机失步保护动模测试中的应用

介绍了RTDS在发电机失步保护动态模拟测试中的应用,阐述了基于RTDS建立发电机失步保护动态模拟测试仿真模型的方法,并通过一套成熟的发电机失步保护装置验证了RTDS在考察发电机失步保护上的有效性。