MPEG-2传送流监测和分析原理

介绍了MPEG-2传送流监测和分析仪的研究背景和对传送流进行测试的框架,并提出了分析仪的实现方法。     

基于小波包自组织神经网络的图像数据融合

基于小波包与模糊自组织特征映射神经网络的图像数据融合,将图像在小波包最优基下展开,利用小波包最优基空间、尺度定位性提高分辨率,获得更好的去噪效果;再采用具有很强聚类功能的自组织特征映射网络进行图像数据的聚类;最后通过计算图像像素点的灰度均值来得到图像数据的融合结果.     

石墨烯复合材料轮胎应用技术研究进展

石墨烯是一种新型碳材料,具有优异的导热、导电等性能,广泛应用在橡胶、轮胎、涂料、电子器件等领域。石墨烯复合材料应用于轮胎的胎面、胎侧、三角胶、气密层胶等部位,可以有效改善轮胎的性能,延长轮胎寿命。 本文详细介绍了国内外石墨烯复合材料在轮胎中应用技术进展情况,国内系列石墨烯新政出台,为石墨烯产业的发展保驾护航,石墨烯轮胎产业前景广阔。     

本刊"病例讨论"栏目征稿

采用传统电子陶瓷工艺制备了(Pb1-xCax)1.05(Nb0.95Ti0.05)2O6(x＝0、0.045、0.055、0.065)高温压电陶瓷,研究了Ca和Ti对陶瓷的显微组织、相结构、介电及压电性能的影响,得到了Ca取代量与(Pb1-xCax)1.05(Nb0.95Ti0.05)2O6陶瓷性能间的关系.X-射线衍射(XRD)分析表明,Ca和Ti的双位取代均形成正交铁电相,而相同方法制备纯的PbNb2O6,只能得到菱方非铁电相钨青铜结构,随着Ca的摩尔分数增加,晶胞体积减小.介电温谱测试表明该改性材料具有高居里温度(TC＞530 ℃). 当x(Ca)=0.055时,得到压电常数d33=86 pC/N、平面机电耦合系数kp=0.32、机械品质因数Qm=31.9、TC=536 ℃的陶瓷样品,材料可在高温(500 ℃)环境下使用.     

高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.     

不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析

为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N88)的能级分布情况,N8s约为1012 eV-1·cm-2量级.退火温度升高,N8s的能级分布靠近导带底;测试温度升高,Ns8增加且其能级分布远离导带底.利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO.SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo-C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应.     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

利用GEPON技术实现三网合一

本文在介绍了光纤接入的新技术GEPON的原理和实现,以及如何利用该技术实现数据、电话、电视的三网合一。     

无锡CMMB的覆盖规划与建设

详细阐述了针对江苏的中国移动多媒体广播(CMMB)校园覆盖计划,无锡CMMB单频网和光纤直放站补点覆盖的规划与建设,并提出隧道CMMB覆盖方案,实施完成后对覆盖情况进行测试与分析,最后对项目进行总结与展望,为后续发展做好准备。     

φ75mmSI-GaAs单晶的研制

近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量，在过去成功经验的基础上，自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉，在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长，首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下：电子迁移率：5.47×103cm2／V·s电阻率：23×107/Ω·cm位错密度EPD：8．8XIO4cm－’迁移率径向均匀性凸p／P：53见电阻率径向均匀性凸人P：146拓从得到的结果…