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采用CaO-SiO2-10%CaF2渣系,对工业硅进行造渣除硼研究。研究不同工艺条件下,渣系碱性、反应温度T、渣金比和通气搅拌对硼在渣相和硅液中分配系数LB的影响。结果表明,在1873K下,当CaO/SiO2质量比为2时硼的分配系数可达最大值4.61。在1773~1973K下,lgLB与1/T成线性关系。随着渣金比的增大,硼的分配系数也相应增大,但当渣金比大于3时,硼的分配系数并无明显增加。通气可显著提高硼的去除效果,硼的分配系数随气体中H2O含量的增加而增大。 相似文献
14.
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。 相似文献
15.
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层Zn,利用脉冲激光辐照样品,使得Zn掺入GaN中,得到高浓度的P型掺杂。利用电化学C—V法对样品进行测试,得到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明,激光诱导掺杂Zn后,未掺杂显n型的GaN材料转变为P型,接近样品表面处空穴浓度最大达3×10^18cm^-3。利用二次离子质谱方法对Zn含量进行测量,样品表面Zn原子的浓度最大约5.63×10^20cm^-3,Zn原子的浓度随深度的增加而减少和空穴浓度分布类似,由此推测p型激光诱导掺杂的机理是扩散。而对P—GaN材料进行再掺杂,样品表面附近的载流子浓度显著增加,在表面附近最高也达到约为3×10^18cm^-3。结合俄歇能谱对Zn原子浓度及其深度分布进行测量,测量结果表明在表面附近的Zn原子浓度很高,约为7×10^20cm^-3,并且浓度随深度增加而减小。改变激光辐照时间,样品表面的空穴浓度也发生变化,最大的空穴浓度约为5.8×10^18m^-3。试验结果表明激光诱导掺杂的方法对于GaN的P型掺杂是行之有效的。本方法原则上可以应用于GaN基材料的各种器件上。 相似文献
16.
采用两步化学腐蚀法在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,其中两步腐蚀法包括酸-碱两步腐蚀法和酸-酸两步腐蚀法。通过表面形貌SEM和反射谱的测试,详细地研究了不同腐蚀条件和腐蚀溶液制备绒面的形貌和光学特征。实验发现,当腐蚀速率较快时,多晶硅的绒面形貌会出现大量的晶界和针孔效应,并分析了其形成原因。同时,采用酸-碱两步腐蚀法的效果优于酸-酸两步腐蚀法的效果。最后,用PECVD在绒面上沉积SiNx减反射膜,使表面的反射率在600~800nm范围内降到3%左右,达到了良好的减反射效果,得出了最优的绒面制备方案。 相似文献
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文章介绍了AZO/N+-Si欧姆接触特性的研究和AZO/N+-Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N+-Si的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32×10-4Ω.cm2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。 相似文献
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19.
西部油田某凝析气井在修井作业时,发现油管内壁存在局部腐蚀结垢现象,部分油管发生断裂。为得出油管腐蚀失效的原因,以提出针对性措施,对失效油管进行了理化性能及力学性能测试,利用扫描电子显微镜(SEM)与能谱仪(EDS)对油管断口形貌和腐蚀产物进行了分析。结果表明:失效油管的化学成分、硬度及金相组织均符合标准要求;油管内壁发生结垢形成了垢下闭塞环境,导致垢下酸性介质聚集、pH值降低,地层水中Cl-含量较高导致了垢下Cl-腐蚀,同时垢下Cl-不断的自催化作用加剧了点蚀的发展,油管点蚀处形成应力集中,在上提管柱时发生准解理断裂。建议在井下添加缓蚀阻垢剂进行防护,减少结垢及腐蚀的发生。 相似文献
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