微波法制备锂硫电池正极材料硫化镍

采用微波法制备纳米球形硫化镍(NiS),并用XRD、SEM和恒流充放电测试等方法进行分析.制备的NiS样品为纯相α-NiS,粒径均匀且没有明显的团聚.用微波反应时间为60 s的样品组装扣式电池,以0.5 C在1.0～3.0 V循环的首次放电比容量为535 mAh/g,第100次循环的放电比容量为409 mAh/g,容量保持率为76％.     

一种高浓度微生物制剂用于A2O生物膜反应器的挂膜研究

针对地埋式污水处理系统的特点,将一种高浓度微生物制剂用于生物膜反应器的挂膜,研究了其在处理模拟家庭生活污水过程中的启动特性.在进水化学耗氧量、氨氮和总磷分别为750、48和7.5 mg·L-1的条件下,装置运行10 d后,对三者的去除率分别达到85%、58%和35%.光学显微镜、环境扫描电镜观察显示,随着系统的去除率逐渐升高,微生物的种类也在逐渐改变;聚合酶链式反应-变性梯度凝胶电泳的检测结果则表明,火山岩填料和悬浮填料表面生长的微生物种类较为丰富,虽然不同条件下微生物群落发生了不同程度变化,但是整个微生物系统仍保持相对的稳定性.      

脑科学与类脑研究概述

针对当前重要国际科技前沿——类脑计算进行研究,讨论了类脑计算的研究内容、特点和研究现状.类脑计算不是简单的人脑神经元的模拟和神经元模型的应用,而是对人脑的信息处理规律、复杂的工作模式及思维、学习、推理、决策本质性机理的深层次模拟.脉冲神经网络比传统神经网络具有更好的生物似真性,并能同时融入时、空信息,更适用于受人类推理、判断、决策等思维过程启发的类脑计算.因此,介绍了脉冲神经网络的特点、脉冲神经元模型、脉冲编码,以及脉冲神经网络在模式识别等领域中的应用,并对基于脉冲神经网络的类脑计算方法和神经形态芯片的研究现状及未来的发展进行了讨论.基于脉冲神经网络的类脑计算会对未来的生活、经济发展产生深远影响.

     

废旧电池的回收利用

对包括废旧铅酸、锌锰、氢镍、锂离子和镉镍等电池的回收利用现状进行了综述。这些废旧电池的回收处理主要是采用基于火法冶金和湿法冶金原理的两种工艺流程。其中,由于废旧铅酸、镉镍和锌锰电池中所含的铅、镉、锌、汞等组分在400～1300℃的温度范围内容易挥发分离,因此,回收处理这些电池时一般侧重采用火法冶金工艺流程,但也存在设备和运行成本较高的缺点;回收废旧氢镍电池和锂离子蓄电池时,则侧重使用湿法工艺流程来回收其中的钴、镍等有价金属,但也存在二次污染处理量较大的缺点。结合近期的研究工作进展指出,未来研究的重点应包括解决回收利用过程的经济性、治理产生的二次污染以及对各种废旧电池进行综合回收利用。     

浅议企业安全管理

人的安全是安全生产管理的核心，在企业安全生产管理中必须高度树立人本意识，把保障人的生命安全作为安全管理的第一要务，用人本理论和实践指导企业安全管理，通过人的本质安全管理来确保企业生产和生命财产的本质安全是安全管理的中心课题。     

生物基碳载硫正极材料的性能

采用具有超精细网络结构、良好分子取向、高结晶度和高聚合度等特性的细菌纤维素(BC)为基体碳源,通过添加KOH活化剂,在300℃预碳化2 h后,再在900℃碳化2 h,制备氮掺杂的具有较高比表面积(1 479 m~2/g)、孔分布范围广(0.2~5.0 nm)的分层次多孔碳纤维材料(NPC)。将硫单质通过熔融注入到NPC孔洞中,获得S-NPC复合材料。以复合正极材料组装电池,在1.5~2.7 V充放电,0.1 C首次放电比容量达1 137 mAh/g,经500次循环,比容量为890 mAh/g。平均每次循环,容量仅衰减约0.1%,且库仑效率高于98%。     

共价有机框架材料应用于锂硫电池的进展

金属锂负极枝晶不可控生长、隔膜界面兼容性差及正极中存在的穿梭效应等,导致锂硫电池的容量衰减、安全性能下降.共价有机框架(COFs)材料具有密度低、比表面积大、孔径和结构可调、易于功能化和共价结构组合多等优点,具有应用于锂硫电池关键材料的潜力.总结近五年COFs在锂硫电池中的应用进展,包括COFs在锂硫电池正极框架材料、...     

锂离子电池用聚多巴胺衍生碳包覆硅纳米颗粒复合材料的制备与性能

实现新型高理论比容量负极材料的应用是开发新一代高能量密度锂离子电池的关键。硅具有4 200 mA·h/g的高理论比容量，远高于商业化石墨负极的比容量，因此在高能量密度锂离子电池的开发中有很好的应用前景。然而硅导电性差，在充放电过程中会发生巨大的体积膨胀而使电极粉化，造成电池性能急剧下降。基于此，本文以聚多巴胺(PDA)作为碳源，采用自模板法成功制备了具有中空结构的硅/碳复合材料(Si@void@C-PDA)，主要步骤如下：先利用多巴胺(DA)与Si亲和力较高的特性，在纳米Si颗粒表面原位聚合形成PDA包覆层(对应样品记为Si@PDA)，然后通过碳化来实现对硅材料的碳包覆改性(对应样品记为Si@C-PDA)，最后采用Na OH溶液对Si@C-PDA进行蚀刻，得到具有中空结构的Si@void@C-PDA。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)分析了上述材料的结构，结果显示经过Na OH蚀刻后成功制备了具有中空结构的硅/碳复合材料。对材料进行电化学性能研究的结果表明，改性后的硅材料在电池中的界面阻抗明显降低。进一步的倍率性能测试表明，Si@void@C-PDA表现...