3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO₂栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm².栅介质厚度相同的情况下,P⁺栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N⁺栅样品.     

针对小波域量化隐藏方法的图像监测技术研究

基于对图像小波变化后各子带系数的不同统计特性，提出了一种针对小波域信息隐藏算法的新型图像隐写术分析技术。通过对原始图像和隐藏信息后的图像的小波变换系数子带直方图的分析，得出了小波域信息隐藏对子带系数的改变特性。进一步对系数进行傅立叶变换，从而量化信息隐藏对系数的影响程度。实验结果表明该方法适用于小波域量化隐藏信息算法的检测。     

掺杂金属的碳化硼氮的制备及其对柴油中含硫化合物的吸附

用三聚氰胺与硼酸合成了一种具有新形貌的介孔碳化硼氮（CBN）材料,并在其中掺杂Ag、Ni、Cu,合成出掺杂金属的碳化硼氮（M-CBN）。采用N₂吸-脱附、SEM、XRD、NH3-TPD等手段对CBN与M-CBN进行了表征,考察了焙烧温度对CBN的影响及CBN与M-CBN对国V标准柴油中含硫化合物的吸附性能。结果表明,在890℃下焙烧制得的CBN比表面积高达1368 m2/g,3种掺杂不同金属的M CBN比表面积也均在1000 m2/g以上。CBN与M-CBN的形貌均为具有锋利边缘的类台阶状,且其孔径集中分布在3~10 nm之间。吸附过程为可自发进行的放热反应,15℃时的脱硫效果最佳。与CBN相比,M-CBN的总酸性位明显增多,吸附脱硫效果也更为优越,加入质量分数为1.25%的Ag-CBN吸附剂可使国V标准柴油中硫质量分数降至1 μg/g以下。Ag-CBN经4次再生循环使用后,脱硫率没有明显降低。     

油田集输管道腐蚀因素及防腐措施

本文基于对油田集输管道腐蚀因素及防腐措施的研究,总结出油田集输管道防腐工作的重点和难点。     

基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统

介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心，通过以太网与雷达的控制计算机通讯。     

大屏幕彩电遥控系统的新型电路结构及控制方式

本文介绍了在屏幕彩电遥控系统的新型电路结构及控制方式，包括它们的组成、工作原理及特点。     

多通道信息融合的改进乘积规则

用传统的多通道信息融合乘积计算出的融合分值的动态范围比较小,融合效果不理想,本文在假定所有通道都能同时正常工作的情况下,提出多通道信息融合的改进乘积规则,基本思想是对原乘积规则中的概率密度和融合分值平滑,使得融合分值的动态范围增大,文中的两个实验表明,改进的乘积规则的识别率有明显提高,最后文中给出了在已知每个单一通道系统识别率的条件下,同理想融合方法集成出的系统识别率的上限计算公式。     

分布式反馈激光器调制特性研究

为了深入了解分布式反馈激光器（DFB）的发光机理与调制特性,通过理论分析和实验对DFB的调谐特性进行了研究。得到FITEL和JDS Uniphase两款激光器调制电流与输出中心波长的对应关系和两种确定系数不同的拟合方程,证明了这两款DFB激光器在实际应用中存在非线性关系。结果表明,FITELFRL15DCWD-A82激光器的3dB带宽与驱动电流幅值关系为3.715pm/mA;该调制结果优化了该激光器的可用相干长度,并验证了驱动信号频率变化不影响3dB光谱宽度。对DFB激光器低频调制特性的定量分析结果可为相干检测系统驱动电路设计提供实验依据。     

基于人类视觉系统的立体图像质量评价方法

随着立体图像的大规模发展,很多应用场合需要能够迅速有效地完成对立体图像的质量评价工作,以便于后续应用,而对其进行主观质量评价在效率上很难满足要求。因此,提出了一种感知质量评价算法,并结合了一些人类视觉系统的特性。首先需要得到视差图,然后通过边界图和显著图来对视差图进行加权调整。接着使用Minkowski融合方法将加权后的视差图整合成感知分数。最后,使用多尺度分析来得到最终的感知质量分数。通过使用EPFL立体质量评价数据库来验证文中的立体图像感知质量评价算法。实验显示算法最后得到的客观分数和EPFL数据库中的主观分数具有高度的一致性和单调性,证明了文中的立体图像感知质量评价算法是有效的。     

^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。