5MW THR事故分析

使用RETRAN-02程序,对5MWTHR压水方式及压水微沸腾方式运行下的六大类事故进行了分析。文中给出了一些主要事故过程描述及分析结果。结果表明:5MWTHR是一种固有安全性很好的反应堆。     

陶瓷工业热工设备设计优化之探讨

首先讨论了设计及其优化的一般概念,以及热工设备与系统优化任务的异同点。随后,结合陶瓷工业热工设备设计的实际问题,详尽地介绍了设备优化设计的方法和步骤,包括:如何选定设计变量和目标函数,给出特性方程和报价方程,建立最优化数学模型,求解设计变量和目标函数极大化(或极小化)等。采用和推广优化设计方法,将可以改进和提升传统的设计方法,获得更大的经济效益与社会效益,从而更好地适应我国的经济转型和现代陶瓷工业的飞速发展形势。     

填料物理性质对环氧树脂砂浆性能的影响

环氧树脂砂浆的力学性能优越,在建筑领域得以广泛应用,同时也由于环氧树脂砂浆的价格较高,导致其应用受到一定地限制。改善环氧树脂砂浆中的主要组成部分——填料可使在一定幅度内降低环氧树脂砂浆的价格。本文主要针对填料的物理性质及其对环氧树脂砂浆性能的影响进行探讨。     

印刷适性试验机的结构、调节与使用(七)──纸及纸板耐摩擦性的测定

耐摩擦性是表示纸和纸板在一定压力下，一定的面积受到摩擦后表面受损的程度。它反映了纸和纸板表面抗摩擦的能力。在测试中，根据纸张的用途可以进行干摩擦，也可以进行湿摩擦。目前，包装商品的数量日益增加，包装印刷品上图象的耐摩性变得越来越重要，为确定包装印刷品在运输和加工处理过程中是否能承受外加的力量和包装印品之间的相互摩擦，需要对印刷品及印刷材料进行有效的耐靡擦性实验。用这种方法也可以测定印刷品颜色的牢度。“AICZ－－”型印刷适性仪附带的摩擦仪可以测定纸张和纸板的耐摩擦性，也可以测定上光率度及印铁牢度。…     

差别化涤纶短纤维的应用

本文对国内差别化涤纶短纤维的主要品种及理化性能进行介绍，并通过低比例含毛系列产品的开发与实践，总结了差别化涤纶短纤维在现有国产毛纺设备上应用的经验及改进意见。     

择优取向对热压/热变形纳米NdFeB磁体腐蚀行为的影响

利用电化学测试技术和材料分析方法研究了择优取向对热压/热变形纳米NdFeB磁体腐蚀行为的影响。结果表明:不同取向的热压/热变形纳米NdFeB磁体的腐蚀行为相似,但与取向轴平行截面相比,与取向轴垂直截面具有更大的局部腐蚀倾向性以及更快的溶解速率;不同取向的热压/热变形纳米NdFeB磁体均发生Nd的优先腐蚀,且与取向轴垂直截面腐蚀产物膜中O的原子分数略大;富Nd相面积分数以及晶界数的差异是导致不同取向的热压/热变形纳米NdFeB磁体腐蚀行为差异的主要原因。     

栉孔扇贝四倍体幼虫的诱导研究

以栉孔扇贝Chlamys farreri为材料，采用浓度为0．5mg／L的细胞松弛素B(CB)处理、抑制受精卵第一极体排放的方法，进行四倍体诱导研究。5次重复实验结果表明，诱导组和对照组的平均受精率分别为45．0％和56．6％，D形幼虫的平均孵化率分别为5．3％和51．1％。经胚胎和幼虫发育观察发现，在诱导组中异常原肠胚的比例高于对照组；受精后48h，诱导组的滞育担轮幼虫的比例显著高于对照组。在受精后48h采用流式细胞术检测孵化的D形幼虫，诱导组中四倍体幼虫的比例为36％-70％，平均为49％，同时发现了平均比例为31％的三倍体幼虫。本研究表明，该项技术能有效地诱发栉孔扇贝四倍体幼虫，但面临四倍体幼虫孵化率低的问题，今后应设法提高四倍体胚胎和幼虫的发育水平。     

印刷适性试验机的结构、调节与使用(四)——纸及纸板表面强度测定

在平版印刷中,多色胶印机的印刷方式为湿式印刷,油墨的叠印是以湿压湿的方式进行的.平版印刷是用黄、品红、青、黑四块印版套印来复制彩色图象印刷品的.印刷时,印版的空白部分有一层抗油脂的水膜层,它被转移到橡皮滚筒上,再转印到纸上.纸张由输纸机构输入,经过四个印刷单元.到达收纸台机构,完成印刷.除了第一印刷单元印的第一色油墨外,其余的三色油墨,都是印在已经印过油墨的纸张表面.纸张表面每和橡皮滚筒接触一次,就被橡皮滚筒沾附的微量润湿液润湿一次,纸张表面强度就下降一些,掉毛现象也随之严重起来.这种在印刷过程中,由于润湿液的影响,使纸张表面强度下降而产生的掉毛现象,叫做纸张的湿掉毛.     

高温熔剂法制备氧化镁晶须的研究

采用MgCl₂·6H₂O为原料、KCl为助熔剂, 分段灼烧制备出直径1～50μm、长50～2000μm的MgO晶须. 通过对水氯镁石热解的理论分析、以及对灼烧各阶段产物的化学分析, 确定生成晶须的中间产物为无水氯化镁, 然后直接从无水氯化镁制备出MgO晶须. 并探讨了MgCl₂、HCl和H₂O浓度的变化对晶须形貌的影响. 提出了MgO晶须生长的机制: 即MgO分子在容器壁上非均相成核, 晶须生长的初期是以VLS机制进行, 在合成的后期, VLS机制变成VS机制.