碳酰肼及其在含能材料中的应用

论述了磷酰肼的制备方法及其在含能材料中的应用，给出了碳酰肼高氯酸盐系列配合物的性能及其用作钝感起爆药的可能性，展望了碳酰肼在含能材料领域的研究发展方向。     

Structural and optical properties of polycrystalline CdS thin films deposited by electron beam evaporation

Highly crystalline and transparent cadmium sulphide(CdS) films were deposited on glass substrate by electron beam evaporation technique.The structural and optical properties of the films were investigated.The X-ray diffraction analysis revealed that the CdS films have a hexagonal structure and exhibit preferred orientation along the(002) plane.Meanwhile,the crystalline quality of samples increased first and then decreased as the substrate temperature improved,which is attributed to the variation in film thickness.UV-vis spectra of CdS films indicate that the absorption edge becomes steeper and the band gap present fluctuation changes in the range of 2.389-2.448 eV as the substrate temperature increased.The photoluminescence peak of the CdS films was found to be broadened seriously and there only emerges a red emission band at 1.60 eV.The above results were analyzed and discussed.     

起爆药结构与感度关系及新型起爆药的发展方向

讨论了常规起爆药的晶体结构,分子结构与其感度的关系,从分子设计观点分析了新型高能钝感配合物类起爆药。     

富铅配料的PbI2晶体生长与性能表征

以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm,对应能隙为2.27eV.采用上述晶体制备的PbI2探测器在室温下对241Am 59.5keV γ射线敏感,能谱半高宽(FWHM)为26.7keV.     

磷钼酸钙阻燃抑烟剂的制备和性能研究

采用MoO3、磷酸、氢氧化钙制得磷钼酸钙,利用XRD、IR、DSC和TG对其进行了表征;将磷钼酸钙作为阻燃抑烟剂加入到PVC中,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2O3、MoO3、Al(OH)3等对照。结果表明,加入了磷钼酸钙的PVC材料的氧指数达到27．1％,有焰燃烧的烟密度为297,无焰燃烧的烟密度为351,具有良好的阻燃抑烟性能,且对PVC的力学性能影响较小。     

聚氯乙烯（PVC）的阻燃与消烟

本文介绍并讨论了聚氯乙烯（PVC）的发烟机理及抑烟机理,并综述了近年来国内外PVC阻燃抑烟技术的研究及应用进展。     

磷钼酸铵的制备及性能

对新型阻燃抑烟剂——磷钼酸铵的制备和性能进行了研究;利用XRD、IR、DSC和TG对所制备的磷钼酸铵进行了表征,为磷钼酸铵的应用提供了理论基础。将磷钼酸铵加入PVC中,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2O3、MoO3、Al(OH)3等进行对比,通过对阻燃材料氧指数和烟密度的测试表明,磷钼酸铵具有良好的阻燃抑烟性能;力学性能测试表明,磷钼酸铵与高分子材料具有良好相容性,是一种性能出众的新型阻燃抑烟剂,具有广阔的应用前景。     

电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究

采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜,研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明,不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征,但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高,PbI2薄膜的紫外-可见透过谱透过性能提高,光学带隙由室温时的2.33 eV增大到200℃时的2.44 eV。同时发现,不同源-衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同。光致发光谱(PL)测试表明,薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁,其PL发光峰的强度和展宽随源-衬间距的增大有明显变化。论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应,发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源-衬间距有密切关系,光电导率的数量级约在10-8~10-9Ω-1.cm-1之间。     

电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究

采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响.测试结果显示:(1)不同衬底温度下沉积的CdS薄膜均呈现了〈002〉晶向的高度优势生长,属于六方相结构.随着衬底温度的升高,还逐渐出现了〈103〉、〈004〉、〈105〉等六方晶向;(2)CdS多晶薄膜表面连续,致密性好,且晶粒大小随着衬底温度的升高而增大;(3)低温下制备CdS薄膜吸收谱有较宽的吸收边,随着衬底温度的升高,吸收曲线趋于陡直.制备样品在550nm波段后的平均透过率都超过70%,符合作为CdTe太阳电池的窗口层.     

电子束蒸发法制备MoO3薄膜及其性质研究

采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜.X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿<010>晶向择优取向生长.随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大.此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动.扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征,退火后晶粒大小的分布趋于均匀.紫外-...