平面型HPGe探测器影响γ谱峰峰位的各种效应研究

用＾１９２Ｉｒ,＾８５Ｓｒ和＾１３７Ｃｓ等放射源ｅＶ水平上研究平面型ＨＰＧｅ探测器影响γ谱峰峰位的各种效应,包括收集电场效应,放射源位置效应,射线加合和堆积效应等,讨论了这些效应的修正问题。利用单γ峰和加合峰峰位差异推测了探测器本身的非线性偏离曲线。     

β+-γ符合正电子湮没寿命谱仪的研制

以正电子直接触发闪烁体作为起始时间信号,设计并建立了三探头符合β＾＋－γ正电子寿命谱仪。谱仪时间分辨率ＦＷＨＭ＝２５５ｐｓ,并已应用到实际测量工作中。     

高职制冷专业实践教学模式探究

根据目前我国制冷市场状况及其对制冷人才的需求形势,分析了传统“三段式”、“双证式”、“订单式”三种模式下的实践教学的特点,在此基础上提出了制冷专业实践教学改革的几点措施。     

双孢蘑菇工业化生产液体菌种繁育条件的优化

为适应双孢蘑菇工业化生产需要,以控制菌丝球直径和密度、并提高菌丝体生物量为目的,实验以双孢蘑菇As2796为出发菌株,采用单因素、正交设计方法,优化其液体菌种繁育条件。结果表明,筛选的双孢蘑菇一级液体种子的优化培养基为:马铃薯80 g、红糖12 g、葡萄糖9.0 g、蛋白胨2 g、酵母膏1 g、KH2PO42g、MgSO4.7H2O 1g、VB10.01 g、水1 000 mL;优化的二级种子液体繁育条件为:转速150 r/min、培养温度25℃、初始pH6.0、接种量12%、装液量100 mL。在此条件下菌丝球直径可有效控制在1.5～2.0 mm之间,菌丝体生物量干重可达25.0 mg/mL。     

Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜

介绍溶胶一凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程；对前驱体溶液进行了综合热分析，并对薄膜的性质进行了研究；成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650℃下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC／cm^2，矫顽场强Ec=130kV／cm。     

铁磁体/碳复合材料多频干扰性能

制备研究了钴铁磁体/碳和镍钴铜铁磁体/碳复合纳米材料,测试并根据朗伯-比尔定律计算了在紫外/可见光(200~800 nm)和红外波段(2.5~25 m)的质量消光系数,结果如下:铁磁体/碳复合材料焙烧后红外消光性能都有所提高,镍钴铜铁磁体/碳质量消光系数能达到0.36 m2g-1,在3~16 m波段大于0.15 m2g-1。镍钴铜铁磁体/碳与乙炔黑混合比为5:1时,质量消光系数达到1.25 m2g-1,在3~5 m和8~14 m均高于0.90 m2g-1。在紫外/可见光波段,铁磁体/碳复合材料都达到了良好的消光效果。探讨了材料在紫外/可见光和红外波段的主要作用机理。采用弓形法测试2~18 GHz波段反射率,结果表明:碳纤维在加入铁磁体/碳复合材料后,反射率曲线明显向低频移动,增加了吸波频宽。     

阿左旗地方性砷中毒病区环境水中砷的化学形态中子活化分析

研究了无机砷、甲基胂酸 (MMA)和二甲基胂酸 (DMA)分离富集的最佳条件。使用没有经过照射的砷化合物 (单一的或混合的 )配制的模拟水样 ,用Fe(OH) 3 共沉淀和离子交换色层法与中子活化法相结合进行了分离和测定。由于无机砷能以盐基砷酸铁的形式被Fe(OH) 3 共沉淀 ,而有机胂不能 ,从而实现了两者的分离。用Dowex 5 0w× 8强酸型阳离子交换树脂分离MMA和DMA ,实际水样的加标回收率为 96.4 %及 10 3%。结果表明 :本方法简单、快捷 ,适用于环境水中砷的化学形态分析。     

白龙江林区森林病虫害防治中存在的问题及对策

为促进白龙江林区植被的健康生长,保护林场现有自然资源,工作人员通过生物防治手段加强森林病虫害检测和防治水平,切实有效预防病虫害的发生。文章阐述了近年来白龙江林区的实48484际病虫害发生情况,通过对现有阶段的总结与分析,对白龙江林区未来病虫害防治的问题提出了相关对策。     

基于实物期权的电力交换均衡定价模型

考虑投资方通过投资一个水电厂与电网公司签订电力交换合同,利用实物期权法对资产进行合理定价.基于项目受益双方的利益最大化建立电力交换合同收益的均衡模型,并得到了合同电价的均衡方程.算例仿真和理论研究表明,该合同既保障电网公司免受电力需求不足或供应不足带来的损失,又兼顾了双方收益公平,具有现实意义.     

北京慢正电子强束流性能研究

采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究。实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5mm。在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10eV;;在高于3×10?Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内7存贮40ms后,束流强度减弱到原来的50%。系统各项性能运行参数达到了设计要求。