虚拟仪器设计中时间插补器的研究

本文首先简要介绍了虚拟仪器的定义和特点,然后根据积分电路原理和设计原则,设计了一种测试触发信号短时间间隔的新方法-时间插补器,通过对被测信号的控制,将被测时间转换,完成虚拟仪器中的部分设计任务.     

2000年NIM铯冷原子喷泉时间频率基准装置研究的进展

本文报导了中国计量科学研究院(MM)研制新一代"激光冷却铯原子喷泉"国家时间频率基准装置的进展实现了从磁光阱(MOT)过渡到光学黏胶(OM)装载-冷却铯(Cs)原子,利用飞行时间(TOF)法记录到信噪比优于40的原子云荧光信号;原子经后冷却达到(10～20)μK;用光学黏胶从铯蒸气直接获得了冷原子云.并给出了对实验的讨论.     

分子内电荷转移荧光探针法测定表面活性剂的临界胶束浓度

研究了分子内电荷转移荧光体4-二甲氨基查尔酮(DMAC)在表面活性剂水溶液中的荧光光谱。观察到随表面活性剂浓度增大,DMAC 的荧光光谱先红移然后蓝移,而荧光强度呈“S”型变化并于光谱位移方向转折处突跃。突跃处对应的表面活性剂浓度即为其临界胶束浓度(cmc)。结果表明由该法测定的 cmc 与已报道值符合,说明方法的可行性与准确性。用该法测定表面活性剂/β-环糊精混合体系的 cmc,表明β-环糊精的存在诱导了胶束的形成。     

F-doped carbon hollow nanospheres for efficient electrochemical oxygen reduction

Journal of Materials Science - Herein, a metal-free catalyst F-CHNS-900 has been prepared through a one-step pyrolysis of polytetrafluoroethylene and ZnCl2 at 900 °C. According to the...     

自动测试系统中状态参数的一种实时监测方法

对关系到测试资源和被测对象（UUT）安全的一些状态参数进行实时监控是自动测试系统开发中必须解决的一个关键问题，本文应用共享内存技术实现了对关键数据的实时监测，结果表明，该方法能有效地对关键数据实时监测，提高了测试系统的安全性。     

不同1、2-含量聚丁二烯及其硅氢加成产物的制备与透气性能的研究

合成了不同1、2-含量聚丁二烯及其硅氢加成产物,对聚丁二烯不饱和主链双键及乙烯基(外双键)的硅氢加成反应活性研究表明乙烯基的硅氢加成活性远高于主链双键。含氢硅烷的极性、反应介质的碱性都有利于硅氢加成反应的进行。硅氢加成产物的抗张强度较加成前提高,伸长率下降。在1、2-含量达到40%左右时成膜后膜对氧气透过率(Po_2)最大,选择分离系数(α+(N_2)~(O_2))最低。聚丁二烯三烷基硅氢加成产物成膜后膜对氧气的透过率均有较大改善,选择分离系数变化不大。     

高活性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的合成及其烧结性能研究

以Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料,采用冲击波加载技术合成锆钛酸铅Pb(Zr0.95Ti0.05)O3粉体,并对粉体活性和烧结特性进行XRD和SEM表征,研究结果表明,利用冲击波的高温高压作用可以合成单一钙钛矿相锆钛酸铅粉体,合成粉体产生了细化并存在一定程度的晶格畸变,有利于增强粉体活性,促进了低温活化烧结,也显著地改善了陶瓷的烧结性能,在常压下1200℃烧结150min得到了密度达到7.83g/cm3的锆钛酸铅95/5陶瓷体,比传统固相法制备的粉体烧结温度降低了100℃左右,且得到的陶瓷体晶粒形状、大小均匀。     

两端简支圆柱体的轴对称振动

本文用三维弹性动力学理论研究圆柱体在两端简支约束下的轴对称自由振动问题。给出位移振型和应力振型的解析表达式，求得固有频率的精确解。研究结果表明：在圆柱体的径向还存在着不同的半波数的位移振型，这种性质在初等理论中是无法反映的     

金属熔体电磁成形过程研究

以制备无污染的航空发动机叶片为背景 ,分析了金属熔体电磁成形定向凝固技术的原理 ,并以铝合金及 1Cr1 8Ni9Ti为研究材料 ,探讨了交流电磁场作用下金属熔体的感应加热熔化及约束成形过程 ,结果表明 :感应器结构决定其内部的磁场及电磁压力分布 ,感应器输入功率、熔体高度、上下液固界面位置、抽拉速度及冷却条件等参数综合影响金属加热熔化特性、熔体形状及其稳定性 ;通过控制合理的工艺参数 ,获得了截面为圆形及近似弯月面形、表面质量和内部定向组织良好的样件 .     

Fabrication of Cu(In,Ga)Se2 thin films by ion beam sputtering deposition from a quaternary target at different substrate temperatures

Cu(In, Ga)Se₂ (CIGS) thin films were fabricated by ion beam sputtering deposition from a single quaternary target at different substrate temperatures (T _sub). The thin films were characterized with X-ray diffractometry, scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy and four-point probe technique to study the microstructures, surface morphology, composition and electrical properties, respectively. The results show that the films grown above 400?°C are of chalcopyrite structure. Cu(In_0.7Ga_0.3)Se₂ thin film was obtained when T _sub is 550?°C. The Cu and Se atomic percentage when T _sub is above 500?°C is higher than when T _sub is below 500?°C. With the increase in T _sub, the surfaces morphology of the films is denser and the resistivity of the films decreases.