涉及计算机图形的发明专利保护客体的研究

主要研究涉及计算机图形的发明专利保护客体问题,在对计算机图形技术的分析以及涉及的专利保护客体的相关法条的深入理解的基础上,结合实际案例的审查过程,总结与计算机图形相关的专利申请中涉及客体问题的典型缺陷,阐明判断客体问题所涉及的主要因素。研究对于与计算机图形相关的权利要求的撰写及修改有一定的指导和借鉴意义。     

新颖的WDM EPON动态带宽调度算法

对WDM EPON的ONU授权调度技术进行了研究,采用调度理论的方法来解决授权调度问题。将授权调度和波长分配进行结合,并将其形式化为矩形Packing问题,采用拟人的策略,提出了基于欧氏距离的高效用ONU带宽分配策略,为WDM EPON中ONU授权调度问题的快速求解提供了一种高效的启发式算法。进一步模拟实验表明,提出的算法可以减少平均分组时延,提高网络带宽利用率,表明算法对授权调度的有效性。     

基于移动设备加密系统的设计与实现

为保障信息安全,政府部门和企业都建立了信息安全系统,对重要电子文档加密。然而,员工外出办公时,无法随时随地都携带着自己的电脑,有时必须使用他人或公共的电脑进行办公,在这种情况下无法保证机密文件的安全。文中提出了一种移动设备加密系统,将加解密功能固化到移动设备上,并由认证模式对本身的功能进行保护。密文文件可存储在移动设备上带出或通过互联网传输,而不用担心泄密风险。当到异地时,任何一台电脑都可以通过与移动设备的连接而进行对密文文件的使用,以此来保障信息的安全。     

微水导激光切割玻璃的耦合装置设计

为了解决激光切割钢化玻璃过程中由于热应力导致产生裂纹并发生破裂的技术难题,建立了光液耦合模型,采用FLUENT软件进行了耦合腔内多场分析,获得了微水导激光切割钢化玻璃的工艺参量。结果表明,在喷口口径为0.4mm、水束压力为20MPa、激光功率为48W、切割速率为20mm/s的工艺条件下,厚度为0.5mm及1.0mm的玻璃试样的切割表面均比较光滑、基体内无微裂纹存在,切缝宽度约为100μm。该双注水口耦合装置的设计是合理的,能够满足钢化玻璃切割工艺的要求。     

非周期性DS信号的信息码片时宽估计方法

对非周期性直接序列（Ds）扩频信号的截获是电子战中的难题。提出了基于自相关差分累积量的搜索算法,能够在低信噪比、扩频调制比（信息比特持续时间和伪码周期之比）远小于1的条件下对非周期性DS信号的信息码片时宽进行准确估计,给出了其理论推导过程、算法步骤和仿真实验结果。     

光纤激光焊接过程中缺陷的监测与诊断

为了识别激光焊接过程中间隙和错边缺陷,采用自身搭建的光纤激光焊接在线监测系统,实现不锈钢焊接过程中等离子体可见光信号及熔池红外光信号的实时监测,并利用滤波和短时傅里叶变换的信号处理方法对不同缺陷的光信号进行数据分析。得到了信号时域频域随焊接缺陷的变化规律,当出现间隙缺陷时,可见光信号时域幅值从1.5V降至0.2V,1000Hz~4000Hz频率成分缺失,红外光信号时域幅值由3.5V降至1.0V,2000Hz~7000Hz频率成分缺失;当出现错边缺陷时,可见光信号时域幅值从2.0V降至0.5V,红外光信号时域幅值由4.0V降至0.5V,两者0Hz~1000Hz频率成分均缺失。结果表明,可见光信号与红外光信号与激光焊接状态存在一定的相关性,利用光信号的幅值与频率的变化可以有效地识别激光焊接过程中的缺陷。这对实际生产具有一定的应用价值。     

利用极化方位角特征的高分辨极化SAR目标增强研究

针对高分辨极化SAR目标增强问题,提出一种利用极化方位角特征的增强方法.首先,利用圆极化法提取极化SAR图像像素点的极化方位角特征;其次,通过"方位角归零化"获得像素点在零度极化方位角下的散射矩阵值.对比归零化前、后目标及杂波区域内部像素点极化特性聚集程度的差异,阐述了利用极化方位角特征进行目标增强的原理;再次,统计获得目标及杂波区域的平均极化特性,采用非线性最优化方法实现了目标增强;最后,基于ADTS全极化SAR实测数据验证了本文方法具有优良的目标增强性能.     

p型金刚石欧姆接触的研究

金刚石的欧姆接触是制造半导体器接触的研究进展,结合器件的发展和实际工艺的要求,讨论了改善欧姆接触特性的途径和方法,指出目前存在急需解决的一些问题.     

考虑性别差异的与文本无关说话人识别系统的实现

在基于GMM的与文本无关说话人识别系统中考虑性别差异,提出了把不同性别的说话人特征参数归成不同的两个子集,识别时先判断待识别说话人特征是属于哪个性别子集后,再在相应的子集中进行识别的方法。实验结果表明,该方法能改善基于GMM的与文本无关说话人识别系统的识别率。     

一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。