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扬子PTA装置富氧氧化技术开发及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在进行一定的技术准备之后,扬子公司于2000年进行了富氧氧化工业化试验。显示富氧氧化可提高装置产能,降低装置能耗。对产品品质及物料消耗没有不良影响。同时分析了不同纯氧投入量产生的效益。 相似文献
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45.
网络虚接口对特殊数据包的处理起着很大的作用。文章介绍了网络虚接口的概念,在对传统的网络接口比较分析的基础上,设计和实现了一个基于量Linux的用于对发送数据包的内容进行特殊处理的网络虚接口。 相似文献
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运动估计块匹配两级搜索算法 总被引:2,自引:0,他引:2
根据视频图像相邻块在空间上具有很大的相关性,吸收了矢量预测块匹配的核心思想,提出一种两级块匹配运动估计算法,在第一级中,首先根据矢量预测确定一个小区域,然后在此区域内进行快速搜索,如果在第一级中没有搜索到匹配块则进行第二级搜索,该算法可大大提高搜索速度. 相似文献
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GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。 相似文献
48.
湿化学法制备纳米ATO导电粉 总被引:19,自引:0,他引:19
采用非均相成核法 ,在Sn(OH) 4 晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH) 4 ,制备纳米ATO粉末。以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响。以TG DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程 ,XRD显示为四方金红石型结构 ,平均粒径为15nm。当Sb/Sn(mol比 ) =0 .0 5 ,pH =2 ,T =60℃ ,SnCl4=1.2~ 1.8mol·L-1时 ,粉体电阻小于 0 .5Ω。 相似文献
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用X射线衍射、扫描电镜和磁性测量等方法研究了Al的添加对Gd-Co合金的影响。研究结果表明:在一定范围内掺杂Al导致GdCo2、GdCo5和Gd2Co17晶格常数增大,但仍保持各自的晶体结构;Al的添加使GdCo2和Gd2Co17的居里温度降低,但是对于GdCo2却是先增后减。该结论为寻找新的磁性材料提供了有价值的参考。 相似文献
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