全文获取类型
收费全文 | 49058篇 |
免费 | 5886篇 |
国内免费 | 4212篇 |
专业分类
电工技术 | 4656篇 |
综合类 | 5471篇 |
化学工业 | 5781篇 |
金属工艺 | 3757篇 |
机械仪表 | 3780篇 |
建筑科学 | 3617篇 |
矿业工程 | 2301篇 |
能源动力 | 1485篇 |
轻工业 | 5300篇 |
水利工程 | 1664篇 |
石油天然气 | 1755篇 |
武器工业 | 856篇 |
无线电 | 4944篇 |
一般工业技术 | 3945篇 |
冶金工业 | 1825篇 |
原子能技术 | 822篇 |
自动化技术 | 7197篇 |
出版年
2024年 | 285篇 |
2023年 | 756篇 |
2022年 | 2053篇 |
2021年 | 2524篇 |
2020年 | 1874篇 |
2019年 | 1267篇 |
2018年 | 1363篇 |
2017年 | 1473篇 |
2016年 | 1322篇 |
2015年 | 2258篇 |
2014年 | 2827篇 |
2013年 | 3260篇 |
2012年 | 4203篇 |
2011年 | 4425篇 |
2010年 | 4139篇 |
2009年 | 3924篇 |
2008年 | 4057篇 |
2007年 | 3955篇 |
2006年 | 3259篇 |
2005年 | 2674篇 |
2004年 | 1943篇 |
2003年 | 1307篇 |
2002年 | 1217篇 |
2001年 | 1113篇 |
2000年 | 866篇 |
1999年 | 332篇 |
1998年 | 71篇 |
1997年 | 56篇 |
1996年 | 48篇 |
1995年 | 41篇 |
1994年 | 33篇 |
1993年 | 36篇 |
1992年 | 25篇 |
1991年 | 17篇 |
1990年 | 19篇 |
1989年 | 24篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 14篇 |
1979年 | 14篇 |
1965年 | 1篇 |
1959年 | 10篇 |
1956年 | 1篇 |
1951年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 453 毫秒
61.
62.
文章介绍抗坏血酸对核乳胶灵敏度、灰雾密度及潜影衰退性能的影响,并与日本富士ET-7B型乳胶的潜影稳定性能在不同温度和相对湿度条件下作相应比较。 相似文献
63.
差分式连续时间电流型CMOS跨导—电容低通滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
应用信号流图法对电流系统传递函数直接模拟,提出了一种新颖的差分式连续时间电流模式CMOS跨导-电容低通滤波器的实现方案。由于采用了差分式结构和电流负反馈,整个电路方案具有差分式结构和电流型电路的优点;并且仅使用最少数量的OTA和电容,与数字CMOS工艺兼容,适于全集成。面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真,结果表明,所提出的电路方案正确有效 相似文献
64.
65.
LIU Shu-ping JIA Yue-hu 《半导体光子学与技术》2006,12(1):21-24
According to Maxwell's theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340 nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500 μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out. 相似文献
66.
67.
68.
西安脉冲反应堆源区测量仪表是源区低端测量的关键仪表,同时也是反应堆堆外中子通量监测仪表系统的重要组成部分,该仪表在同类型反应堆仪表的基础上进行了研制改进和更新,使仪表在测量灵敏度、测量范围、抗干扰能力、可靠性及可维修性等主要性能指标方面有了较大提高。简要介绍了该仪表的设计思想、构成、工作原理、主要技术指标、应用效果及特点等。 相似文献
69.
70.