信息系统应用中的风险分析与预防

针对目前信息系统广泛应用的现状,对信息系统存在的安全风险进行了分析,包括计算机网络与基础设施、病毒攻击、信息系统开发过程、安全管理和人为操作等。对企业信息系统的风险及成因,从管理和技术角度出发提出了相应的解决方案,以消除信息系统的安全隐患,将企业的信息系统风险降到最低。使信息系统为企业管理提供了有力的支持,给企业经营带来了明显的经济效益。     

真空环境下的共晶焊接

共晶焊接是微电子组装中一种重要的焊接工艺。文章简要介绍了共晶焊接的工作原理以及共晶焊料如何选用和常用共晶焊料的性能特性。然后比较了几种共晶焊接设备的优缺点,得出用真空可控气氛共晶炉在真空环境下完成共晶焊接能有效防止共晶焊接过程中氧化物的产生,大大降低空洞率,从而提高焊接质量。它同样适用于多芯片组件的一次共晶。对真空环境下影响共晶焊接质量的真空度、保护性气氛、焊接过程中的温度曲线、焊接时的压力等条件做了探讨,得出了几种最优的工艺方案,能适用于大部分的共晶焊接工艺。     

AUTOCAD数据的转换处理

在全数字摄影测量工作站VirtuoZo上获取的矢量数据为CAD12.0的数据格式,由于我国比较常用的信息处理软件没有统一的编码要求,因此,获取的VirtuoZo数据还要根据用图单位的需求进行数据的转换。针对上述问题论述了VirtuoZo数据转换处理成其他系统数据格式的程序设计方法。利用该程序可以大大的提高工作效率。     

机动目标单站无源定位中的测量更新CKF-IMM算法

机动目标单站无源定位是一个典型的非线性滤波问题,将一种新型的滤波算法——容积卡尔曼滤波(CKF)应用于IMM算法之中.为进一步提高定位跟踪精度,提出了一种测量更新CKF-IMM算法.该算法利用马尔科夫过程控制子模型间的切换,并采用CKF算法对各模型进行滤波,然后将每个滤波器的输出状态进行概率加权求和,最后对融合状态再进行一次非线性测量更新.结合空频域单站无源定位模型进行仿真实验表明,与传统的EKF-IMM和UKF-IMM算法相比,CKF-IMM算法的估计误差更小、定位精度更高;而测量更新CKF-IMM算法较CKF-IMM算法可进一步提高定位跟踪精度.     

基于CURE算法的电子装备时变误差分析

针对当前靶场试验中现有试验数据误差处理方法的不足,对电子装备试验过程中存在的时变误差进行了分析,提出了时变稳定度、时变一致性和精度—时间概率3项考核电子装备时变误差的指标。采用一种基于CURE算法的电子装备时变误差分析处理方法,对两型激光测距设备的误差精度进行了对比分析。试验结果表明对于某些存在时变误差的电子装备,上述算法具有良好的区分度,证明了该方法的有效性。     

两级串联式电光开关高压快脉冲源的研制

研制了一种纳秒级同步延时的两级串联式电光开关高压快脉冲源,它具有延时精度高且可调、稳定性好、体积小且成本低的优点。在开关器件两端并联一个高压大电流快速开关二极管,有效地抑制了高压快速放电瞬间引线电感引起的过冲及振荡;采用光电隔离器将低压延时电路与高压开关电路隔离,防止了高压脉冲对低压延时信号的干扰;高压脉冲高电平最大值为1200 V,下降沿约为9 ns,零电平宽度在200 ns～15μs之间可调,同时两路高压脉冲相对时间抖动小于1 ns;两级电光开关串联通过腔外光学斩波将连续激光转化成了双快沿脉冲,其上升沿和下降沿均在10 ns左右,重复频率和脉宽分别在1～10 kHz和10～100 ns内范围连续可调。     

逆变电源瞬时反馈控制方法的研究

文中对逆变电源各种瞬时值反馈控制方法进行了对比研究,带电感电流内环的电压瞬时值反馈要获得与电容电流内环瞬时值反馈控制的效果,必须引入负载电流前馈;带电压微分内环的逆变电源控制系统与带电容电流内环的逆变电源控制系统相比,在理论上两种控制方案是等同的。     

深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究

研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。     

可调谐单纵模光纤激光器模式特性研究

为了实现光纤激光的单纵模,提出了一种环形腔结构,采用可调谐光纤Bragg光栅(FBG)作为波长选择器件,与2 m未抽运掺Er光纤(EDF)产生驻波饱和效应,在1.55 μm波长处形成42 nm激光输出,输出功率大于3.5 dBm,功率稳定性优于±0.005 dB.扫描Fabry-Porot(F-P)干涉仪观测到2个正交的偏振模,在环形腔内加入偏振器后可抑制强度较低的偏振模式,测量到清晰的单纵模激光,纵模线宽为20 MHz.由于饱和吸收效应,导致了激光输出斜率曲线表现出光学双稳态现象.     

室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析

室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰,结合能谱分析,ZnSe晶体表面缺陷处的Zn：Se比约为6：4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。