心形线的像素级生成算法

给出了心形线的像素级绘制算法。基于心形线在直角坐标系中的隐函数形式,迭代过程中避免了三角函数运算,绘制时以x,y的坐标的增量为步长,充分体现了光栅显示器的特点。利用曲线各阶差分的递推计算,只用到整数的加减法运算。生成的曲线误差在坐标轴方向最大偏差不大于半个像素单位。     

PET柔性衬底上低温沉积ITO薄膜性能的研究

采用反应热蒸发的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备In2O3:Sn(ITO)薄膜.鉴于塑料对温度的敏感性,详细研究了衬底温度对其上沉积的ITO薄膜的微观结构及光电性能的影响,在低温条件下(Ts=140℃)获得电阻率为7.52×10-4Ωcm,可见光范围内的透过率大于80%和结构特性良好的薄膜,并将其应用于PIN型太阳电池的前电极,获得了转换效率为4.41%的柔性非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池.     

像增强管老炼工艺研究与分析

像增强管老炼工艺可以尽早排除管子的早期失效和可能出现的图像缺陷,有利于管子尽快达到稳定工作状态,起到工艺稳定和筛选的双重作用.根据新近研制成功的低噪声双碱阴极像增强管的结构和性能特点,设计了管子的老炼工艺规范,并在操作暗箱内通过无光照和有光照两种工作模式,对整管进行老炼工艺研究;同时,也对管子出现的图像缺陷进行了研究与分析,并给出了指导性的解决办法.     

Ge_xC_(1-x)非均匀增透保护膜系的设计和制备

用射频磁控反应溅射法 (RS)制备出 Gex C1-x薄膜 ,其折射率可以在 1 .7～ 4.0之间变化。设计出单层 Gex C1-x非均匀增透保护膜和含有 Gex C1-x非均匀膜的多层增透保护膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明 ,Zn S衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透 ,在 5 0 0 0～ 85 0 cm-1波数范围内 ,平均透过率从 6 7.1 9%提高到 78.70 % ,比未镀膜净增加 1 1 .5 1 %。     

小型电机的工程设计

在Windows平台上，利用C＋＋Builder可视化、反馈性和调试功能，可供专业工程技术人员学习和掌握简单易学的实践性和应用性强的工程设计，实现小型异步电机的数据分析和处理。形成了比较完善的工程设计软件。     

单片式彩色LCOS微显芯片电路设计

介绍一种单片式彩色LCOS微显芯片的电路设计。这种LCOS芯片配置合适的光机及电路系统可用于单片式LCOS彩色背投电视或其它投影产品。与传统场序彩色LCOS微显芯片类似，该芯片的主要模块由行扫描驱动器、数据驱动器和象素驱动矩阵三大部分组成。不同的是二者的行寻址方式不同，传统场序彩色LCOS采用的是逐行扫描法，而此处介绍的彩色LCOS采用的是随机寻址方式，将红、绿、蓝三种数据几乎同时写入象素矩阵，配合滚动的光照显示彩色图像。单片式LCOS系统与三片式LCOS系统相比可以节省微显芯片及配套电路系统数目，从而大大节约成本，在背投电视和其他投影产品产业中有很大的实用价值。     

PET塑料衬底非晶/微晶硅叠层太阳电池研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在125℃的低温条件下,沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅(μc-Si)薄膜。对材料的光电特性和结构特性的测试结果表明,低温条件下制备的μc-Si薄膜具有较厚的非晶孵化层,并且纵向结构演变较为明显。采用梯度H稀释技术,在沉积过程中不断降低H稀释度,改善了μc-Si薄膜的纵向均匀性。将此技术应用于非晶硅(a-Si)/μc-Si叠层电池的μc-Si底电池,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备出初始效率达到6.0%的a-Si/μc-Si叠层电池。     

基于NS的光突发网络仿真平台的构建

以NS仿真软件基础,提出了一种通用的光突发网络仿真平台的构建方法.同时,以一个9节点的光突发网络为例,说明平台的仿真过程,并分析突发包端到端时延等测试结果,验证了平台的有效性.最后,利用平台扩展了光突发网络中三种典型的汇聚算法,比较它们在网络负载较大时的拥塞状况,总结这三种算法对网络性能的不同影响.     

CBGA组件热变形的3-D SOLID模型有限元分析

利用有限元中的3-DSOLID模型分析CBGA组件的热变形、应变和应力的分布，表明有限元法是研究微电子封装中BGA焊点、CBGA组件的可靠性的方法。     

一种宽频带自跟踪馈源的设计

针对一种高性能宽频带自跟踪馈源的使用需求, 提出了由8路天线单元合成双圆极化和差波束的新型设计思路.介绍了这种天线实现圆极化和差波束的馈电原理, 应用仿真软件Ansoft HFSS对8单元阵列进行了仿真设计, 给出了仿真方向图, 分析了8路馈电信号幅度和相位误差对设计的影响.结果表明, 该馈源在一定幅度相位误差范围内, 实现了1~12 GHz频带范围内单脉冲跟踪, 且具有良好的性能.