声光效应拉曼-内斯方程矩阵级数解法及声光调制器优化设计

提出一种求解正常声光相互作用拉曼 内斯 (Raman Nath)方程的矩阵级数解法 ,该解法直观方便且具有普遍性。计算结果表明 ,对Q =4 1π ,Bragg衍射的效率只有 97 5 % ;对非对称入射 ,以往的Raman Nath近似解误差较大 ;指出提高Bragg衍射效率的有效途径在于提高声光频率比并给出计算声光器件最优长度的计算公式。     

超高分子量聚乙烯的辐照效应

通过密度测定和ＤＳＣ热分析，观测了超高分子量聚乙烯的辐射效应。实验结果表明：在吸收剂量０—１．１３ＭＧｙ范围内，密度随吸收剂量的增加而增大，熔化热和熔点也有所增加，特别是在低剂量范围内增加十分明显。以上结果都说明，超高分子量聚乙烯在辐照过程中，结晶在完善或有新的结晶形成     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

UHF频段卫星移动通信系统若干问题的探讨

本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点，借鉴国外经验，提出了建设ＵＨＦ频段卫星移动通信系统的建议；对照已建成的Ｃ波段卫星固定通信系统，分析了其优缺点；最后深入探讨了应用中的若干技术问题。     

Grain Boundary Sliding in Fatigue of Pure Aluminum

The distributions of plastic strain near grain boundaries induced by fatigue loading were investigatedby the fiducial grid method in pure aluminum specimens, and the resulted grain boundary sliding(GBS) was systematically analysed. The results show that the strain field near a grain boundary isnonuniform. GBS is restricted by the junction of grain boundaries and causes discontinuities of bothdisplacement and strain. A peak value of shear strain was created in short-range area across the grainboundary. GBS plays an important role in cyclic softening and secondary hardening. The control fac-tor of GBS is the relative orientation between two grains and the macro orientation of the grainboundary rather than the ∑ value of the boundary.     

由AEO_3硫酸化合成AES的研究

以氨基磺酸和氯磺酸作硫酸化剂,由AEO_3合成了AES,讨论了工艺条件对反应过程和产品质量的影响。     

混合Hermite-Lagrange插值之同时逼近

对于(-1,1)中的结点组{X_k}_(k=1)~n,记l_k(x)为相应的Lagrange插值基本多项式,又记A_n=‖∑(2-x~2-x_k~2)(1-x_k~2)~-1丨l_k(x)‖。对于f∈C_([-1,1)~q与r=[q+2/2],本文证明满足条件H_n(f,x_k)=f(x_k)(k=1,2,…,n),H_n~(s)(f,±1)=f~(s)(±1)(s=0,1,…,n-1)的n+2r-1次代数多项式H_n(f,x)有逼近性质H_n~(s)(f,x)-f~(s)(x)=(?)其中δ_n(x)=n~(-1)(1-x~2)~(1/2),△_n(x)=δ_n(x)+n~(-2).作为证明的重要工具,本文还对n次代数多项式P_n(x),建立了另一形式的Bernstein不等武:若 P_n(x)=O(1)δ_n~q(x)ω(δ_n(x)),则p_n~(S)(X)=O(1)δ_n~(q-2S)(X)ω(δ_n(X))△_n~s(X)。