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介绍了一种在强γ辐射场中探测快中子的探测系统,利用实验室n-γ放射源,调试了系统n-γ甄别性能,确定了其最佳工艺状态。运用Monte-Carlo数值模拟,从理论上计算了模拟探测器的探测效率,并与实验测量结果进行了对比分析。 相似文献
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本文分析了分布式制造动态调度的本质,提出了对分布式制造资源集成系统的要求,并利用多A-gent理论对分布式制造资源集成系统进行建模,给出了系统集成的拓扑图和说明系统的信息流动过程,解决了构造分布式制造动态调度资源集成系统的理论基础。 相似文献
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射频MEMS压控电容器 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1 相似文献
116.
117.
高加速应力筛选(HASS)概述 总被引:4,自引:1,他引:3
林震 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(6):57-61
高加速应力筛选(HASS)是一种新兴的试验技术,用于产品的生产阶段。在暴露和剔除产品的制造和工艺缺陷,提高可靠性,降低野外失败和返修率等方面非常有效。从研究开发HASS的背景出发,介绍了HASS的目的及作用,重点探讨了高加速的基本原理,典型的HASS过程。 相似文献
118.
取样光栅周期中等效啁啾的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在Moire取样Bragg光纤光栅(SBG)的理论基础上,首次通过用相位模板旋转和2次曝光的方法,得出了带有取样啁啾的SBG的各个Fourier级数的等效啁啾率。实验数据和理论值的误差小于9%。 相似文献
119.
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脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用PLD方法成功地制备了SBT铁电薄膜,并制作成Pt/SBT/Pt薄膜电容器。SBT薄膜的晶面取向以(008)和(115)为主。在5V电压下,极化反转,并且得到较饱和的电滞回线,剩余极化强度和矫顽电场分别为84μC/cm2和57kv/cm。IV特性测试显示两个对称的双稳峰,并得到零电压下,面积为314×104μm2,厚度为035μm的电容器,电容约为560pF,介电常数约为600。疲劳测试表明Pt/SBT/Pt具有优良的抗疲劳特性。 相似文献