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161.
本文详细叙述了DFB激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈激光器(DFB—LD)。外延片成品率>40%。器件特性:25℃时阈值电流20mA,单面光功率>10mw,主边模抑制比SMSR达43dB(λ/4相移光栅),谱线宽度△ν-20dB=0.3nm,调制速率>1.8GHz。可靠性测试显示:高温监测光谱稳定,25°C时阈值退化率△Ith/t<0.3mA/kh,对应器件预估寿命将超过10万h。  相似文献   
162.
The authors formulate and implement a numerical mode-matching (NMM) method to model electrode-type resistivity tools in invaded thin beds. The authors derive the low-frequency approximation of the Maxwell's equations to obtain the partial differential equation for the potential field. The new NMM program is validated by comparing the numerical results with those obtained from other dc programs. It is found that this new program is much faster than the program using the finite-element method (FEM), and hence is useful for routine interpretation of resistivity logs and for inversion  相似文献   
163.
Several soil- and atmospheric-correcting variants of the normalized difference vegetation index (NDVI) have been proposed to improve the accuracy in estimating biophysical plant parameters. In this study, a sensitivity analysis, utilizing simulated model data, was conducted on the NDVI and variants by analyzing the atmospheric- and soil-perturbed responses as a continuous function of leaf area index. Percent relative error and vegetation equivalent “noise” (VEN) were calculated for soil and atmospheric influences, separately and combined. The NDVI variants included the soil-adjusted vegetation index (SAVI), the atmospherically resistant vegetation index (ARVI), the soil-adjusted and atmospherically resistant vegetation index (SARVI), the modified SAVI (MSAVI), and modified SARVI (MSARVI). Soil and atmospheric error were of similar magnitudes, but varied with the vegetation index. All new variants outperformed the NDVI. The atmospherically resistant versions minimized atmospheric noise, but enhanced soil noise, while the soil adjusted variants minimized soil noise, but remained sensitive to the atmosphere. The SARVI, which had both a soil and atmosphere calibration term, performed the best with a relative error of 10 percent and VEN of ±0.33 LAI. By contrast, the NDM had a relative error of 20 percent and VEN of ±0.97 LAI  相似文献   
164.
It has been reported that high-temperature (~1100°C) N2 O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N2O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO2 interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO2 interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate  相似文献   
165.
钒冶炼焙烧添加剂选择研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对小型钒冶炼厂焙烧工艺所用添加剂进行改进的可能性进行了探讨,研究了几种常用添加剂的焙烧条件,分析比较了其性能,提出用NaCl-Na2CO3作焙烧添加剂替代NaCl可大幅度减少大气污染,提高冶钒转化率;且不改变工艺流程,无需设备投资,具有较好的经济效益和环境效益。  相似文献   
166.
镍代钴矿用硬质合金的新进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
概述了镍代钴矿用硬质合金的国内外进展情况.  相似文献   
167.
PAN共聚纤维的热氧化研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
本工作采用连续式实骏装置与方法,借助力学测试、X射线衍射、元素分析、红外光谱等技术,系统地研究了PAN共聚纤维在连续热氧化过程中化学、结构、性能间的联系,亦对PAN基碳纤维力学性能提高的途径进行了探讨。研究结累表明:在热氧化过程中,PAN共聚体系的热化学反应主要发生在250℃左右;其间纤维的序态结构变化剧烈,易使纤维产生结构缺陷,进而影响热氧化纤维力学性能的变化。  相似文献   
168.
金刚石薄膜制备和评价   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用平直钨丝作热解源,并借助钨丝支架的弹性恢复力,较好地解决了热丝热解化学气相沉积法(HFCVD)合成金刚石过程中热解丝的变形问题.样品独立加热,基片温度、钨丝温度、钨丝与样品基片距离均可独立调节.装置改进后,在Si(100)上合成了面积大约45mm×25mm的比较均匀的金刚石膜.用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱和X射线衍射仪对制备的金刚石膜进行了分析.  相似文献   
169.
170.
采用三羟甲基丙烷(TMP)作交联剂与聚乙二醇(PEO-1540)和甲苯二异氰酸酯(TDI)反应,得到了具有较好力学性能的交联型聚醚聚氨酯(PEU),该聚合物与LiClO4的结合物具有较高的室温电导率(σ30℃=1.87×10 ̄(-4)S/cm)。采用全反射红外光谱(ATR-IR)对聚合物的结构进行了表征。对聚合物的组成、不同TDI类型及络合盐浓度对聚合物力学性能及其络合物电导率的影响进行了探讨。低度交联聚合物的络合物,其电导率与温度的关系符合建立在自由体积理论上的VTF方程,表明络合物中离子的传导主要是在无定形区域进行,与自由体积有关。  相似文献   
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