一种改进的模糊边缘检测快速算法

比较全面的分析了Pal.King模糊边缘检测算法的缺陷,提出了一种新的快速模糊边缘检测算法.该算法不仅克服了Pal.King模糊检测算法定义的不足,简化了复杂的变换和逆变换运算,而且针对Pal.King算法中对隶属度阈值设置为固定值的不足,提出了确定模糊增强变换中最佳隶属度阈值的自动算法;并在此基础上实现模糊增强函数中增强阈值的自动获取.仿真结果证明,该算法效率高、提取边缘精细、适用面广,是一种很有实用价值的图像处理算法.     

基于体积特征的空间目标识别算法

提出了基于体积特征的空间目标识别算法，首先通过高分辨力单脉冲雷达对空间目标进行三维成像，然后提取空间目标的三维像体积特征，由于卫星的体积通常比碎片大，根据空间目标的三维像体积可以实现对卫星和碎片的识别。计算机仿真实验表明，该算法取得了比较好的识别效果。     

激光二极管抽运Nd:GdVO4微片激光器

报道了一种新型激光二极管（LD）端面抽运Nd：GdVO4微片激光器，测量了抽运输入功率与激光输出功率的关系，激光阈值功率为83mw，在2W的抽运功率下得到860mw的1.064μm基横模连续激光输出，光-光转换效率为43％，最大斜度效率达到47％。     

LP同质过渡层对ZnO薄膜结构性能的影响

采用磁控溅射法低功率在玻璃衬底上制备低功率(LP)过渡层,再在其上高功率生长ZnO薄膜,研究了LP过渡层对薄膜结构性能的影响。XRD和SEM结果表明,引入LP过渡层后,高射频(RF)功率溅射的ZnO薄膜(002)定向性显著改善。随溅射功率的提高,薄膜(002)定向性有所下降,但致密性明显好转。与无过渡层薄膜相比,在溅射功率分别为30 W和50 W过渡层上生长的薄膜晶粒变大。研究表明,在30 W的LP过渡层上用200 W功率制备的薄膜性能最佳。     

60 dB动态范围的自动增益控制电路设计

设计了一种工作频率在15.42 MHz应用于GPS射频接收芯片中的自动增益控制(AGC)电路,该电路与传统AGC结构相比,不需要峰值检测电路,也不需要环路滤波器,大大简化了设计复杂度,同时也使电路性能受工艺及温度变化的影响大大减小了,因此适用于低功耗、高集成的GPS射频通信系统中.电路设计采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺,电源电压2.5 V,经过流片验证,其动态范围可达60 dB,工作频率范围为[3.8 MHz,40 MHz],总功耗5 mW     

门电路环形振荡器仿真研究

在测量门电路的传输延迟时间时,通常用门电路环形振荡器,但门电路环形振荡器振荡频率较高,对实验仪器设备的要求也较高,用仿真实验的方法有直观明了的优点,所以在数字电路教学中常用仿真的方法来进行实验.然而,在用仿真方法进行实验分析时,实验结果和实物实验或理论分析会存在一些差异.分别用EWB的2种版本仿真软件EWB 5和Multisim 9对门电路环形振荡器进行仿真,分析出现差异的原因,指出在用仿真方法进行数字电路仿真分析和设计时要注意的问题.     

洁净室过滤器效率现场测试的实现

在生产和研究等领域内需要高级别的洁净室.洁净室依靠高效过滤器来维持室内空气的洁净,因此过滤器的效率对洁净室至关重要.早期的测试系统往往采用模拟电路,使测试烦琐、稳定性差.介绍一种用单片微机实现过滤器效率测试的系统,能在现场对过滤器效率进行测试.该系统的特点是成本低、精度高、测试准确、操作简单.经现场测试,测试效果完全达到使用要求.     

XX型炮弹的三轴加速度测试研究

为获取某炮弹在发射过程中弹丸所受环境的三轴加速度信号,研制小体积、抗高冲击、抗高过载的基于压阻式传感器的采集系统．采用Hopkinson杆动态校准传感器灵敏度。通过对存储测试电路模块的缓冲保护,克服试验过程中火炮发射时一系列恶劣环境因素的影响。获得的试验数据为XX型炮弹在发射技术方面的改进提供了必要依据。     

硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究

基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证.研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比.通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数.     

新型偶氮苯衍生物的制备及其光学性能

以4-(4′-硝基偶氮苯)-1-萘酚、4-氯正丁醇和3-噻吩乙酸为原料,通过脱氯化氢反应和酯化反应,制备了具有推拉电子结构的新型偶氮苯衍生物3-{4-[(4′-硝基苯偶氮基)萘氧基]丁基)噻吩基乙酸酯(ATh4).研究表明,ATh4的热稳定性较好,起始分解温度约为200℃;ATh4在不同的极性溶剂中产生明显的溶致变色效应,在550～750 nm范围内,ATh4在三氯甲烷和THF中没有出现明显的吸收带,而在DMSO、DMF和NMP中出现明显的吸收带,随着溶剂极性的增强,最大吸收峰强度不断增强,且最大吸收峰产生红移现象;ATh4具有良好的光致发光性能,在三氯甲烷中ATh4在550 nm处出现一个明显的荧光发射峰.