工程设计中的典型信号完整性问题及其设计策略

随着处理器能力的增强,对时钟和数据传输的速率要求也随之增强,否则处理器能力就很难得到发挥。但是如果此时在设计中不充分考虑信号完整性问题,就很可能带来性能甚至功能实现的问题,比如,调试中系统只能最高工作到某个频率,而这个频率却是低于系统最优工作频率的,即系统只能降额工作,通常该类系统在设计中很可能遇到了信号完整性问题。针对移动终端设计中(尤其是智能移动终端)的实际案例进行分析,包括进行了必要的仿真,有效解决了项目研发过程中所遇到的由反射和串扰引起的信号完整性问题,在此基础上,给出了工程设计中关于信号完整性设计的若干建议,作为后续相关高速信号完整性工程设计实践的参考。     

基于单片机的火控系统FEC设计

介绍了一种以MCU为主要核心的火控系统的软硬件设计,着重讨论了满足该系统要求的FEC(前向纠错)设计方案,最终选择了RS码 CRC(循环冗余校验)的信道编码,并分析了误码性能,证明其能满足系统要求。采用ATmega128单片机实现了文中提出的设计方案,在原始误比特率为10-3的信道上,实现了误比特率低于10-10的可靠通信。     

车身覆盖件3维激光切割的特殊工艺处理

为了研究车身覆盖件3维激光切割的工艺技术特性,采用3维5轴联动激光切割装备以及自动编程软件PEPS Pentacut分析了车身覆盖件3维激光切割的特殊工艺,提出了切割过程中特殊工艺的处理方法并通过切割试验进行了验证.结果表明,在实际的3维激光切割过程中,针对碰撞问题,通过添加工艺点,调整切割头方向,使其偏离法线方向一个角度便可消除;针对过烧缺陷,通过修改工艺点法线的方向和密集程度、采用脉冲激光或采用空气作为辅助气体等措施可以有效避免;针对变形难题,通过均布夹钳或修改程序等方法可有效解决.兼顾切割质量和效率,应在穿孔、上下坡及转角的轨迹段采用脉冲激光,在平缓轨迹段采用连续激光.采用3维激光切割技术取代传统工艺的修边模和冲孔模进行车身覆盖件的加工,可以大幅度地降低成本,缩短新车型的研发周期,具有良好的经济价值和应用前景.     

支持LRT的失败恢复算法及其事务性质分析

研究人员已经致力于组合事务的恢复问题研究,但是大多数成果集中通过向后恢复来维持事务的一致性,补偿是向后恢复通常使用的一种手段,但是向后恢复的最大缺陷就是导致代价相当高,且向后恢复策略不能完全满足各种不同恢复需求。提出一种基于失败类型的恢复算法(包括向前、向后和替代恢复),其是一种基于扩展Petri网的形式化建模方法,为实现松弛ACID属性,引入状态托肯、数据托肯和QoS托肯,增加失败变迁和补偿变迁。失败发生时,动态计算终止依赖点TDP和补偿集,依据任务之间的控制流、数据流、时序、状态和行为依赖,获取任务的失败类型,选择合适的恢复策略,构造一个支持无缝添加/删除失败恢复的可执行模型。     

改进的contourlet变换域隐马尔可夫树模型

Contourlet域隐马尔科夫树(C_HMT)模型不但可以描述尺度间的相关性,而且可以对方向子带间contourlet系数的相关性做出统计描述,是一种比小波域HMT模型更为有效的系数相关性描述方法.本文提出了一种改进的contourlet变换域HMT模型,节点的状态不只依赖于其父节点的状态,而且兼顾到其父节点相邻节点的状态.这种模型可以进一步捕捉尺度间contourlet变换系数更为丰富的相关性,从而能够更准确和有效的刻画contourlet变换系数的非高斯性和持续性.将该模型应用于图像的去噪,并与另外几种典型的去噪算法作定性比较,验证了本文提出的改进的C_HMT模型在图像去噪性能方面有一定的优越性.     

"电磁场与电磁波"实践训练环节的暑期学校模式

针对"电磁场与电磁波"课程中动手实践环节的实施难问题,采用暑期学校模式,设计了可用于一周或者二周时长的集中实践环节,涵盖天线理论、波导理论、传输线理论等知识点,训练学生的数值计算能力、全波仿真能力、动手加工能力以及实际测量能力等.实践证明,该实践训练方式投入少、收效大,可以有效提高学生手脑并用、知行合一的综合创新能力,对于电子信息类专业开展暑期学校、课程设计等,具有参考意义.     

LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响

利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.     

基于Nios Ⅱ的网络化文件管理系统的设计

以Altera公司的Nios Ⅱ处理器为核心,构建SOPC,在系统中加入SDRAM控制器,以太网控制器,SD卡控制器以及UART,jtag_uart或自定义的模块,构建一个片上系统,并基于μC/OS Ⅱ嵌入式操作系统进行网络通信和文件系统等方面软件的开发.     

电泳电压对碳纳米管沉积薄膜及阴极场发射特性影响

电泳法是制作碳纳米管冷阴极的重要方法.电泳电压是电泳过程中的重要参数,不同电压会影响阴极沉积的厚度和效率、形貌结构及场发射特性.实验对比研究和机理分析认为,电压在20～30 V区间内较易获得良好的碳纳米管场发射冷阴极.针对电泳边缘增厚效应,提出减小电场强度边缘效应方法.